Reja: Bipolar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash

Integral kondensatorlar. Integral kondenstorlar hosil qilish uchun
ixtiyoriy p-n o‘tish: kollektor - asos, baza - kollektor, emitter — baza, yashirin n+ - qatlam — izolatsiyalovchi p — soha ishlatilishi mumlan. Teskari siljitilgan p-n o‘tishning barer sig'imi berilayotgan kuchlanishga bog‘liq bo‘ladi. Ko‘p hollarda kollektor o‘tish sig‘imi ishlatiladi.
Integral diodlar. Integral diodlar integral tranzistor asosida hosil
qilinadi. Tranzistorning istalgan p-n o‘tishi diod hosil qilish uchun
ishlatilishi mumkin. Ko‘p hollarda baza — emitter o‘tishi, kollektor baza
bilan tutashtirilgan holda yoki kollektor zanjiri uzilgan holda
( ) baza — emitter o‘tish ishlatiladi. Bunday diodlaming ochiq holatdan berk holatga o‘tish vaqti eng kichik bo'ladi.
IMS tayyorlashda yarimo‘tkazgich asosning bir tomoniga ishlov
beriladi, hosil qilingan elementlaming chiqish elektrodlari plastina sirtida bitta tekislikda joylashadi. Shuning uchun «planar texnologiya» deb nom berilgan.
Yarimo‘tkazgich IMSlami tayyorlashda operatsiyalar ketmaketligi mikrosxemada elementlami elektr jihatdan izolatsiyalash usullari bilan belgilanadi: elementlarni teskari siljitilgan p-n oHishlar bilan izolatsiyalash', dielektrik ( qatlam) yordamida izolatsiyalash. Shu munosabat bilan yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlashni ikkita asosiyjarayoni:
a) elementlami p-n o‘tish bilan izolatsiyalovchi planar – epitaksial texnologiya;
b) dielektrik qatlam yordamida izolatsiyalovchi planar - epitaksial texnologiya.
Planar - epitaksial texnologiya. Planar - epitaksial texnologiya
asosida to‘rtta element (kondensator С , diod D, tranzistor T va resistor R) dan tashkil topgan (7.2-rasm) sodda IMSni tayyorlashda texnologik operatsiyalar ketma-ketligini kо‘rib chiqamiz.

7.2-rasm. Ishlab chiqilayotgan IMSning prinsipial sxemasi.