Reja: Bipolar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash



Download 0,54 Mb.
bet5/13
Sana05.04.2022
Hajmi0,54 Mb.
#530685
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13
Bog'liq
Reja I. Kirish II. Asosiy qism

Termik oksidlash. Termik oksidlash - kremniy sirtida oksid (Si02)
qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000-1200) °C temperaturalarda kechadi. IMSlar tayyorlashda Si02 qatlam bir necha muhim funksiyalari bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi; MDYA - tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.
Legirlash. Yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalami kiritish jarayoni
legirlash deb ataladi. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish uchun, zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Legirlashning asosiy usullari yuqori temeraturalarda kiritmalar atomlarini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bombardimon qilish (ionlami kristall panjaraga kiritish) dan iborat.
Diffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi bo'ylab yoki
niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi.
Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristallga kiritish bilan amalga oshiriladi. Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. Ionlar tokini o‘zgartirib Iegirlovchi kiritmalar konsentratsiyasini, energiyasini o‘zgartirib esa - legirlash chuqurligini boshqarish mumkin.
Yemirish. Yarimo‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa
birikmalami kimyoviy moddalar hamda ulaming aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarimo‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda «darcha»lar ochish va turli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurchalar» hosil qilish uchun qo‘llaniladi. Yarimo‘tkazgich sirtini tozalash va «darcha»lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarimo‘tkazgich barcha
kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab bir xil tezlikda eritiladi. Ba’zan
yarimo'tkazgichni turli kristallografik yo‘nalishlar bo'ylab turli tezlikda eritish va natijada turli ko'rinishga ega bo‘lgan «chuqurcha»lar hosil qilish zarur bo’ladi.

Download 0,54 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish