Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

7.9- расм. Микросхемани узиш ва улашда сигнал тарқалишининг кечикиш вақтини аниқлаш диаграммаси.


Унда ва катталиклар U_n остонавий кучланишга нисбатан аниқланган. Улар кириш куч­ланишининг ярмига нисбатан ҳам аниқланади Сигнал тарқалишининг ўртача кечикиш вакти мантиқий элементнинг тезкор- лигини характерлайди. Унинг катталигига қараб мантиқий микросхемалар ўта тезкор (t_зд._р._ўрт<10 нс), тезкор (10 нсзд р ўрт<30 нс), ўрта тезкор (30 нс < t_{зд р ўрт} < 300 нс), кичик тезкор (t_{зд р ўрт}≥300 нс) турларга ажратилади.
Мантиқий микросхемани характерловчи катталиклардан яна бири ўртача истеъмол қувватидир:

Унда Р° ва Р¹, мос равишда, мантиқий «О» ва «1» ҳолатлардаги қувватлар.
Ўртача истеъмол қувватининг катталигига қараб мантиқий микросхемалар бақувват (30 mВт < Р_ўрт < 300 mВт), ўрта қувватли (3 mВт < Р_ўрт < 30 mВт) камқувватли (0,3 mВт< Р_ўрт < 3mВт), микроваттли (1 мкВт < Р_ўрт < 300 мкВт), нановаттли (Р_ўрт < 1 мкВт) турларга ажратилади.
Кўрилган параметрлардан ташқари мантиқий мик­росхемалар яна кўп хизмат қилиш ўрни, шароити каби ҳолатларни ҳисобга оладиган параметрлар билан ҳам характерланади.


7.7. ТЛНС, PTЛ, РЕТЛ турдаги мантиқий
схемалар


Транзисторли мантиқ микросхемалари ичида энг бошланғичи ва соддаси TЛHC (ББТМ)—бевосита боғланишли транзисторли мантилий схемадир. Унда ҳар бир мантиқий элементнинг чиқиши кейингисининг кириши билан бевосита уланган бўлади. Бу схеманинг характерли белгиси параллель ёки кетма-кет уланган транзисторларнинг коллектор нагрузкасининг умумий бўлишдир (7.10-расм).

7.10- расм. Бевосита боғланишли транзнсторли мантиқ схемаси; а — ЁКИ- ЙЎҚ амали учун, б—ВА- ЙЎҚ амали учун.


Транзисторлар параллель уланган схемада мусбат мантиқ учун ЁКИ—ЙЎҚ амали, кетма-кет уланган схе­мада эса, ВА — ЙЎҚ амали бажарилади. Манфий мантиқ бўлганда эса, амалларнинг ўрни алмашинади. Ҳақиқатан ҳам транзисторлар параллель уланган холда (7.10 а- расм) кириш сигнали «О» мантиққа мос U° куч- ланишга тенг бўлса, транзисторлар ёпиқ бўлиб, чиқиш кучланиши юқори сатҳли («I» мантиқ) кучланишга эга бўлади. Агар киришлардан бирига «I» мантиққа мос юқори сатҳли U¹ кучланиш берилса, транзистор очилиб тўйиниш режимига ўтади. Натижада чиқиш кучланиши тўйиниш кучланишигача камаяди (U°=U_кТ), чунки U₂ = E_к— I_к·R_к га тенг.
Манфий мантиққа ўтилганда, яъни киришга манфий қутбли сигнал берилганда, чиқиш кучланишининг «I» мантиқли ҳоли транзисторларнинг ёпиқ ҳолига тўғри келиши учун иккала киришга «О» сатҳли кучланиш қўйилган бўлиши керак.
Транзисторлар кетма-кег уланган схемада (7.10, б- расм) чиқиш кучланиши «I» сатҳдан «О» сатҳга ўтиши учун иккала киришга бир вақтда юқори («I») сатҳли кучланиш таъсир этиши ва у транзисторларни тўйиниш ҳолатига ўтказиш учун етарли бўлиши керак. Бевосита боғланишли транзис­торли мантиқий схеманинг асосий камчилигн транзисторларда база токларининг тенг тақсимланмаслигидир. Бунга сабаб гранзисторлар кириш характеристикаларининг бир хил бўлмаслиги ҳисобланади. Базаларга бир хил кучла­ниш таъсир этса ҳам, база токларининг қиймати бирдай бўлмайди. Бирор тран­зистор базасида ток кўпроқ тутилиб қолса, бошқа базаларнинг токи транзисторни тўйиниш режимига ўтиши учун етарли бўлмай қолади. Натижада мантиқий эле- ментларнинг нотўғри ишла­шн вужудга келади.
Параллель уланган базаларда токнинг тенг тақсимланишини вужудга келтириш учун транзисторлариинг база занжирига қўшимча R_б резистор уланади (7.11,а-расм).