План Электропроводность

• ИМПЕНДАНС И ПОЛНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОВОДИМОСТЬ И СМЕНА И ПРИМЕНЕНИЕ ТИПОВ ИСТОЧНИКОВ . ТОННЕЛЬНЫЕ И ПОВОРОТНЫЕ ДИОДЫ. ТРАНЗИСТОРНЫЕ ИСТОЧНИКИ ТОКА. Электричество цепи расчет методы . ВЫРАЖЕНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛОЖЕНИЙ ТОКА НАПРЯЖЕНИЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЯХ
• План

• Электропроводность — понятие о переносе электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля; способность объекта проводить электричество и физическую величину, которая количественно определяет это свойство. Тела, проводящие электричество, называются проводниками. Проводники всегда имеют свободные носители заряда — электроны и ионы (упорядоченное движение которых называется электрическим током). Электропроводность количественно определяется плотностью тока, проходящего через проводник при напряженности электрического поля, равной единице.

• В полупроводниках и диэлектриках распределение электронов в зонах по энергетическим уровням одинаково, но ширина запрещенной зоны у диэлектриков больше. В полупроводниках электроны могут проходить через запрещенную зону в пустую за счет тепловой энергии.
• По мере увеличения тра увеличивается вероятность таких переходов. Проходящие электроны находятся в тех же условиях, что и проводящие электроны в металлах, и участвуют в проводимости.

• В диэлектриках такого результата можно добиться при значительно более высоких затратах. Так, в полупроводниках и диэлектриках электропроводность увеличивается с повышением температуры.
• Есть несколько приемов для измерения импеданса с высокой точностью. Двумя составляющими точности импеданса являются: отклонение (точность относительно фактического значения) и изменчивость (стабильность измеренных значений). Каждый компонент требует учета различных факторов. 1 Оптимизация условий измерения

• Оптимизация условий измерения является важной частью высокой точности
• измерения. Ниже приведены условия для измерения инструмента измерения импеданса.
• (1) частота
• Частота является основным условием измерения импеданса.
• инструмент. Действительно, все электронные компоненты имеют частотную зависимость, в результате чего значения импеданса меняются в зависимости от частоты.

• Кроме того, точность измерения приборов для измерения импеданса зависит от частоты и значения импеданса.
• 1. Частотная зависимость типичных электронных компонентов1
• Устройства для измерения импеданса используют сигнал переменного тока от измерительных клемм (DUT) к тестируемому устройству. Текущий уровень сигнала может быть установлен следующим образом в зависимости от тестируемого устройства.
• Как правило, высокий уровень сигнала приводит к меньшей изменчивости измеренных значений, но необходимо учитывать, не вызовет ли подаваемый измерительный сигнал электрическую неисправность в ИУ.

• Для большинства приборов для измерения импеданса уровень измерительного сигнала определяется напряжением размыкания измерительных клемм. Это соответствует напряжению разомкнутой клеммы (В). В этом случае на выходное напряжение, подаваемое на ИУ, влияет сопротивление источника сигнала, установленного на измерителе импеданса.
• Как правило, высокий уровень сигнала приводит к меньшей изменчивости измеренных значений, но необходимо учитывать, не вызовет ли подаваемый измерительный сигнал электрическую неисправность в ИУ.

• Для большинства приборов для измерения импеданса уровень измерительного сигнала определяется напряжением размыкания измерительных клемм. Это соответствует напряжению разомкнутой клеммы (В). В этом случае на выходное напряжение, подаваемое на ИУ, влияет сопротивление источника сигнала, установленного на измерителе импеданса.
• В отличие от сопротивления, которое описывает соотношение напряжения и тока в электрическом резисторе, попытка применить термин электрическое сопротивление к реактивным элементам (катушкам индуктивности и конденсаторам) приводит к тому, что сопротивление идеальной катушки индуктивности равно нулю, а сопротивление идеального конденсатора — бесконечности. .

• Полное сопротивление представляет собой отношение комплексной амплитуды напряжения гармонического сигнала, подаваемого на двухполюсное устройство, к комплексной амплитуде тока, протекающего через двухполюсное устройство. При этом импеданс не должен зависеть от времени: если время t в выражении импеданса не уменьшается, то понятие импеданса неприменимо к данной двухполюсной сети.
• Исторически сложилось так, что для импеданса, комплексной амплитуды и других частотных функций комплексного значения обозначения записываются как f (jō), а не f (ō). В данной работе показано, что мы имеем дело со сложными образами гармонических функций в виде эджот.

• Туннельный диод i VAX показан на рисунке 1. АВ характеризуется секторальным отрицательным дифференциальным сопротивлением. Если туннельный диод подключен к колебательному контуру в электрической цепи, то колебания могут усиливаться или генерироваться в оптимальных пропорциях между контуром и величиной отрицательного сопротивления в этом контуре. Туннельные диоды применяются в основном при построении генераторов ГЕНЕРАТОРА в диапазоне 3-30 ГГц, а также при расчете быстродействующих цепей с обычными вычислительными устройствами.

• Туннельные диоды изготавливаются из большого количества смешанных полупроводников (созданных полупроводников). Сделано на основе созданных полупроводников Вольт-амперная характеристика np - перехода имеет область отрицательного сопротивления, в которой протекающий ток уменьшается с ростом напряжения. Элемент с отрицательным сопротивлением не требует электрической энергии, он передает ее цепи, т. е. является активным элементом цепи.
• Поскольку она является нисходящей частью вольт-амперной характеристики, туннельные диоды могут применяться как генераторы и широкого диапазона частот, в том числе СВЧ (сверхвысокой частоты), как усилители электрических колебаний, а также как быстродействующие пересоединения.

• Туннельные диоды изготавливаются из созданных полупроводников, в основном из германия, кремния и арсенида галлия . Поскольку np-переход носителей через потенциальный барьер в туннельный проход узкий и резкий, np - переходы туннельных диодов осуществляются методом наплавки . готовый. Кроме того, используется метод эпитаксиального сложения созданных слоев , что также помогает получать резкие переходы . Уменьшить емкость ( т.е. увеличить верхнюю предельную частоту туннельного диода , который может выступать в роли активного элемента с отрицательным сопротивлением ) Способ получения малой площади pn -переходов применяемый.
• рис . 2 вольт - ампер туннельного диода описание показано . Униг форма соединения концентрация , концентрация количество а вроде когда соединения тип и температура в зависимости от этого с участием вместе температура зависимость разные из материалов готовый туннель диоды за хар вроде будет .

• Туннель токини хар два резать в обе стороны проходят возможно . Вот и все с участием вместе , напрямую нехватка туннельный поток в поле первый раз острый в виде Известно , что увеличивается а максимум ценность после достижения _ острый уменьшился . Текущий коэффициент вперед в направлении переход в поле электрический площадь силы увеличивать туннельный переход с . возможность передатчик электроны сони уменьшился . Вперед Напряжение известен а ценность такой электроны сони до нуля повороты и туннельный поток полный исчезает . Вперед Напряжение более а увеличивать Только предыдущий распространение Это поток _ усилить идущий Напряжение и традиционный выпрямитель или универсальный диод с участием увеличивается . Туннельные диоды обеспечить регресс предвзятость туннельное течение в районе острый увеличивать наблюдаемый обеспечить регресс напряжение _

• Тоннельное диодирование очень маленький толщина из - за туннельного диода переход процесс очень маленький , поэтому низкое напряжение для туннельный диод в обл . почти нет скорость провайдер устройство _ Его частота характеристики в основном слияние барьер и разные вроде беженцы определяет _ Отрицательный дифференциал сопротивление ( ток соотношение увеличивать рост напряжение ) _ туннельный диод _ часть Текущий вольтли характеристика доступность диод тоже усилитель и электрический колебания генераторы использовать возможность дает , и импульс устройства отличается как высокий туннельные диоды на скорости дано , снова оправдано . Такой устройства качество описания длина и CVC отрицательный дифференциал сопротивление диод с участием линейный раздел от определено . Выше список упомянул устройства который один использовать значение держать в зависимости от туннельных диодов разделенный увеличение , генераторная установка и обмен _

•