Oʻzbekiston respublikasi оliy va oʻrta maxsus

Alinazarova Maxfuza Alisherovna (Namangan davlat universiteti Fizika kafedrasi katta o‘qituvchisi, fizika- matematika fanlari bo‘yicha falsafa doktori, Phd),
Toshtanxoʻjayev Xayrullo Ma’murxon oʻgʻli (Namangan davlat universiteti magistranti)
GAAS ASOSIDAGI LAZER MATERIALLARINI SUYUQ FAZALI EPITAKSIYA USULI YORDAMIDA OLINISHI


Annotatsiya. Ushbu ishda n-GaAs-p-(GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y ko‘p tarkibli geterotuzilmasini olish uchun suyuq fazali epitaksiya usuli tadqiq etilgan. Shuningdek, epitaksial qatlamlarni o‘stirish jarayonla- rining ketma-ketligi o‘rganilgan.
Аннотация. В данной работе исследован метод жидкофазной эпитаксии для получения многокомпонентной гетероструктуры n-GaAs-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(X)Y. Также изучена последо- вательность процессов отрастания эпитаксиальных слоев.
Annotation. In this work, the method of liquid phase epitaxation was studied to obtain the multi- content heterotuosity n-GaAs-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. Also, the sequence of processes for growing epitaxial layers has been studied.
Kalit so‘zlar: epitaksial qatlam, suyuq fazali epitaksiya, elektron ishlanmalar, yarim o‘tkazgichli mikroelektronika.
Ключевые слова: эпитаксиальный слой, жидкофазная эпитаксия, электронные разработки, полупроводниковая микроэлектроника.
Key words: epitaxial layer, liquid phase epitaxia, electronic developments, semiconductor Micro- electronics.
Ma’lumki, bugungi kunda GaAs asosida olingan yarimo‘tkazgichli ko‘pqatlamli geterotuzilmalar o‘zining maqbul issiqlik fizik tavsifi, elektronlarning yuqori harakatchanligi, man etilgan sohaning yetar- licha kengligi, shuningdek, zaryad tashuvchilarning to‘g‘ri sohalararo o‘tishning imkoniyati borligi tufay- li zamonaviy elektron texnikasining asosiy elementlaridan hisoblanib, uning asosida qator noyob elektron ishlanmalar yasalgan. Lekin yarim o‘tkazgichli mikroelektronikaning jadal rivojlanishi, nanotexnologiya, nanomateriallar va nanoelektronika kabi yangi yo‘nalishlarning paydo bo‘lishi, ommaviy ishlab chiqari- layotgan elektron ishlanmalarining funksional imkoniyatlarini kengaytirishni, yangi materiallar qidirib to- pishni, shuningdek, noyob fizik xususiyatli ikki va ko‘ptarkibli qattiq qorishmalar olish texnologiyalarini ishlab chiqishni talab etmoqda.
Jumladan, yarimo‘tkazgichli optoelektronika va nanotexnologiya, shuningdek, kvant o‘lchamli ko‘pqatlamli geterotuzilmalarni yaratish jadal rivojlanib bormoqda. Bunday texnologik jarayonlar zamo- naviy epitaksiya (gaz fazali, molekular nurli, suyuq fazali va boshqalar) usullarini ishlab chiqishni hamda nanoo‘lchamli tuzilmalar yaratishni talab qilmoqda.
Shuningdek, nanoobyektli, ko‘ptarkibli geterotuzilmalar olishning texnologik shart sharoitlari, ular- ning fizik xususiyatlarini tadqiq qilish va mikroelektron va optoelektron mahsulotlar sanoatiga tatbiq qi- lish yarimo‘tkazgichlar fizikasi va texnikasining zamonaviy bosqichining dolzarb muammosi hisoblanadi. Yarim o‘tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda suyuq va gaz fazali epitaksiya usullari eng ko‘p tar- qalgan. Materialni o‘stirilayotgan yupqa parda moddasini o‘zida mujassam etgan suyuq faza (aralashma
yoki eritma)dan epitaksial cho‘ktirish usuli modda sovitilganda kristall holatga o‘tishiga asoslanadi.
Suyuq fazali epitaksiya yupqa pardalarni o‘stirilayotgan moddaning erish haroratidan past harorat- larda o‘stirish imkonini beradi. Ular muvozanatli kristallanish sharoitiga yaqin sharoitda kristallanib, mig- ratsion (ko‘chish) jarayonlarini tormozlaydi va metall qoldiqlarisiz mukammal kristall o‘stirishni ta’min-

1.