Oʻzbekiston respublikasi оliy va oʻrta maxsus

Foydalanilgan adabiyotlar:

1. 
   Monch W. Semiconductor surfaces and interfaces. Third Revised Edition published by Sprin- ger–Verilog Berlin Heidelberg New York. 2001, p. 442.
   
2. 
   Йулчиев Ш.Х. Влияние легирования кремния нетрадиционными примесями и ионизиру- ющего облучения на характеристики границы раздела Si-SiО₂. Дис... канд. физ.-мат. наук, 2003, c. 136.
   
3. 
   Нестеров Д.Н. Особенности электронно-энергетического строения двумерных и одномер- ных наноструктур кремния. Дис... канд. физ.-мат. наук, 2005. –С 122.
   
4. 
   Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г. Исследование влияния ультразвукового воздей- ствия на генерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний– диоксид кремния. Физика и техника полупроводников. 2006, том. 40 (7), с. 828 ‒ 832.
   
5. 
   Усмонов Ш.Н. Взаимодействие примесей в твердых растворах на основе кремния, арсе- нида-галлия, селенида-цинка, сернистогокадмия и электрофизические свойства гетероструктур, полученных на их основе. Дисс. д.ф.-м.н., Т., ФТИ, 2018.
   
6. 
   Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Йўлчиев Ш.Х. Исследования структурхностных состоя- ний твердого раствора (GаAs)_0,69(Gе₂)_0,17(ZnSe)_0,14. Доклады Академии наук, Т., 2019, №1, с.12‒14.
   
7. 
   Park K. and Alberi K. Tailoring Heterovalent Interface Formation with Light. Sci. Report. 2017,
   

№7, р. 8516 ‒ 8521.

8. 
   Bing-Yi J., Jian-Bang Zh,. ChVn-Feng W, JVan H. and Chong-De C., Optimization of qVantVm dot solar cells, based on strVctVres of GaAs/InAs-GaAs/ZnSe. Acta Physica Sinica. 2012, Vol. 61(13), р. 1‒6.
   
9. 
   Сапаев Б. Исследование роста и фотоэлектрических свойств эпитаксиальных гетерос-
   

труктур Ge−(Ge₂)_1−x(GaAs)_x, полученных из свинцового раствора-расплава усулом жидкостной эпитаксии. Письма в ЖТФ. 2004, том 30 (15), с. 29 – 37.

10. 
    Kawai H., Giorgi G., and Yamashita K. Back Cover: Impact of short‐range order and clVste- rization on the bandgap bowing: First‐principles calcVlations on the electronic properties of metastable (GaAs)_1–x(Ge₂)_x alloys. Physica StatVsSolidiB. 2012, Vol. 249 (1), р. 29 ‒ 37.
    
11. 
    Сапаев Б., Саидов А.С., Заверюхин Б.Н. Получение эпитаксиальных слоев твердых раст- воров (Si₂)_1-x(GaAs)_x на Si-подложках и исследование их электрических, фотоэлектрических харак- теристик. Письма в ЖТФ, 2004, том 30 (2), с. 25 ‒ 32.