Изготовление самосовмещенного

Отжиг в атмосфере кислорода

Процессы отжига, в результате которых все имплантированные ионы занимают электрически активные положения в узлах кристаллической решетки, обычно приводят к возникновению микродефектов. Эти дефекты называют вторичными дефектами. Любые образовавшиеся микродефекты приводят к образованию дислокаций и дефектов упаковки. Эти дефекты, называемые третичными дефектами, имеют достаточно большие линейные размеры, достигающие десятков мкм.

10. Диффузия.

    1. 
       Назначение и задачи диффузии
       

Диффузия в полупроводниках это процесс последовательного перемещения атомов примеси в кристаллической решетке, обусловленного

тепловым движением. Для изготовления р–n перехода используется термическая диффузия примесных атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку вещества для изменения его электрофизических свойств. Перемещение примеси в решетке происходит посредством последовательных скачков, осуществляемых в трех направлениях.
При наличии градиента концентрации собственных или примесных атомов на их диффузию оказывают влияние точечные дефекты.
Задачи технологического этапа диффузии:

• 
  управление концентрацией легирующей примеси в подложке;
  
• 
  обеспечение однородности легирования;
  
• 
  обеспечение воспроизводимости процесса;
  
• 
  увеличение числа подложек, подвергаемых одновременному легированию, для снижения себестоимости продукции.
  

Назначение диффузии:

• 
  формирование базовых и эмиттерных областей и диффузионных резисторов в биполярной технологии;
  
• 
  создание областей истока и стока в МОП технологии;
  
• 
  легирование поликристаллического кремния. Способы диффузии:
  
• 
  диффузия из неограниченного источника в газовой фазе при высоких температурах;
  
• 
  диффузия из легированных оксидов;
  
• 
  диффузия из ионно–имплантированных слоев при последующем отжиге (проводится для активирования имплантировании атомов и уменьшения числа дефектов).
  

Изучение диффузии ведется в направлении создания на основе экспериментальных данных точных моделей, способных предсказывать протекание процесса диффузии путем теоретического анализа. Конечная цель этого анализа – обеспечение формирования электрических характеристик полупроводниковых приборов на основе выбора параметров технологического процесса расчетным путем.

2.