Изготовление самосовмещенного

Отжиг легированных структур

1. 
   Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
   

Весь диапазон температур отжига разбит на три области. В первой области используется относительно низкая температура отжига, так отжиг при температуре 500°C приводит к ликвидации таких точечных дефектов в кремнии, как дивакансии. Во второй области отжиг производится в диапазоне 500°C<Т<600°С, при этом в решетке кремния бор содержится в меньшей концентрации в узлах кристаллической решетки и в большей концентрации в междоузлиях. В третьей области при температурах T>600°C за счет увеличения числа кремниевых вакансий и их замещения атомами бора концентрация атомов примеси увеличивается. При дозах имплантированных ионов 10¹² см^–2 полный отжиг, приводящий к расположению внедряемой примеси в узлах решетки кремния, происходит при Т=800°С в течение нескольких минут.

2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором

Режимы отжига кремния имплантированного при комнатной температуре фосфором, определяются в зависимости от количества внедренной примеси. Доза имплантируемого фосфора от 3·10¹² до 3·10¹⁴ см^–2 требует проведения отжига при температурах T > 800 °C для устранения более сложных радиационных дефектов по сравнению с отжигом слоев, имплантированных бором. Когда имплантированный слой фосфора становится аморфным (при дозе выше 3·10¹⁴ см^–2), начинает действовать другой механизм отжига. Температура отжига при этом несколько меньше, чем для кристаллических слоев и составляет 600 °С. Более сложные процессы происходят при отжиге скрытых слоев с аморфной структурой, расположенных на определенной глубине под поверхностью подложки. Эпитаксиальная перекристаллизация начинается на обеих поверхностях раздела аморфных и монокристаллических областей.

3.