I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

+
-sohali epitaksial struktura tayyorlash 
 
 
 
 
( 9.12- rasm) 
a)  p-Si  taglikda  termik  oksidlash 
usuli  bilan  SiO
2
  qatlam  hosil 
qilish  va  FL  yordamida  SiO
2
 
qatlamda darcha ochish 
b)  Diffuziya  yordamida 
darcha  bor  joylarda  n
+
- 
sohani hosil qilish 
d) 
SiO
2
 
qatlamni 
yemirib 
tashlab, 
epitaksial Si qatlami (n
e
) 
o‘stirish. 
 
-hosil qilingan strukturada bipolyar IS tayyorlash 
 
 
 
 
(9.13- rasm) 
s)  Strukturada  termik 
oksidlash  usuli  bilan 
SiO
2 
qatlam 
hosil 
qilish.FL 
yordamida 
SiO
2
  qatlamda  darcha 
ochish 
g)  Epitaksial  qatlam  (n
e
)ning 
butun 
qalinligi 
bo‘yicha 
akseptorli  aralashma    darcha 
ochilgan  joylarda  diffuziya 
bo‘lib,  p
+
-sohalar  hosil  qiladi. 
Natijada 
p-n-o‘tish 
bilan 
o‘ralgan 
cho‘ntak 
hosil 
bo‘ladi. 
m)  Hamma  cho‘ntaklarda  bir 
vaqtda  tranzistor  hosil  qilish. 
Buning  uchun  termik  oksidlab 
SiO
2
 qatlam hosil qilinadi va FL 
yordamida 
darcha 
ochiladi 
hamda 
akseptorli 
kirishma 
atomari diffuziya qilinib bipolyar 
tranzistorning  bazasi  (p-soha)ni 
hosil qilinadi. 
 
 
(9.14- rasm) 
n) Termik oksidlab SiO
2
 qatlam hosil qilib, FL 
yordamida  emitter  va  kollektor  kontakt 
sohalari  uchun  donor  aralashmasini  diffuziya 
k)  Termik    oksidlab  SiO
2
  qatlam  hosil 
qilinadi.    Vakuumda  qizdirib  uchirish 
usuli bilan Al qatlamini hosil qilinadi. FL 

---

 
156 
qilish  uchun  darcha  ochiladi.  Diffuziya 
jarayonida  n
+
  -  emitter  va  n
+
  -kontakt  sohasi 
hosil bo‘ladi. 
yordamida 
Al 
qatlamini 
faqat 
‖E‖,‖B‖,‖K‖  sohalarida.  tok  oquvchi 
yo‘lchalarda  va  kontakt  maydonchalarida 
qoldirib,  qolgan  joylardagi  Al  qatlamini 
yemirib tashlanadi.