Elementlari p-n -o’tish sohalari bilan izolyatsiyalangan bipolyar IS texnologiyasi Epitaksial qatlamning butun qalinligiga diffuziyon usul orqali izolyatsiya hosil
qilinadi. Diffuziya natijasida tagidan va yon tomonlaridan p-n-o‘tish sohasi bilan
chegaralangan cho‘ntaklar hosil bo‘ladi. Mikrosxema ishlayotganda taglikka eng
katta manfiy potensial beriladi.Shuning uchun p-n-o‘tish sohasi qarshiligi keskin
ortib ketadi va cho‘ntaklarda hosil qilingan elementlar (tranzistor, diod, va h.) o‘zaro
va taglikdan izolyatsiylangan bo‘ladi.