I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

 
Kombinatsiyali izolyatsiyalangan bipolyar IS 
 
Kombinatsiyalangan  izolyatsiya  cho‘ntakning  tagini  p-n-  o‘tish  bilan  va  yon 
tomonlarini dielektirik qatlam bilan izolyatsiyalash tushuniladi. 
―Izoplanar  -1‖  jarayoni  kremniy  epitaksial  qatlamini  butun  qalinligi  bo‘yicha 
lokal  oksidlash  texnologiyasidir.Bunda  epitaksial  qatlam  qalinligi  1  mkm  dan 
oshmasligi kerak, chunki 1 mkm dan qalin oksid (SiO
2
) o‘stirish jarayoni juda sekin 
bo‘ladi:  1mkm  qalinlikgacha  oksid  qatlam  tez  o‘sadi(chiziqli),  so‘ngra  sekin 
o‘sadi(parabola qonuniyati bo‘yicha). 
Cho‘ntakning  pastki  qismida  izolyatsiya  yashiringan  n
+
-soha  bilan  r-Si  taglik 
o‘rtasidagi  n
+
-p-o‘tish  sohasi  hisobiga  bo‘ladi.Kremniyni  lokal  yemirish  va 
oksidlashda  bitta  Si
3
N
4
-foydalaniladi.Bu  esa  texnologik  operatsiyalar  sonini 
kamaytirishga yordam beradi: 
 
(  9.15 - Rasm) 
a)  Si
3 
N
4
 qatlamni mexanik o‘tkazish 
 
 
b)  Fotolitografiya va local yemirish 
 
     d)  Lokal termik oksidlash 
 
c)  Si
3
N
4
 maskani olib tashlash, cho‘ntaklarda 
,bipolyar transistor hosil qilish va metallash 
 
― 
Izoplanar-II‖ 
- 
jaryonida 
bipolyar 
tranzistorning  emitter  sohasi  yon  tomondagi  izolyatsiyalovchi  SiO
2
  qatlamga 
chiqadi.Kollektor  sohasining  kon-takt  osti  n
+
-sohasi    aloxida  cho‘ntakda  joylashgan 
bo‘lib, emitter-baza joy-lashgan cho‘ntak bilan n
+
-yashiringan soha orqali tutashadi. 
         Bu  texnologik  jarayonda  moslashtirishga  bo‘lgan  talab  ancha  susayadi.Chunki 
emitter  sohasini  hosil  qilish  uchun  ochilgan  darchani  yon  tomondagi  
izolyatsiyalovchi  SiO
2
  qatlamga  surish  mumkin,  aralashma  SiO
2
  qatlamga 
diffuziyalanmaydi. Baza sohasini hosil qilish uchun diffuziyani cho‘ntakning hamma 
yuzasiga qilinadi. 

---

 
157 
Izoplanar texnologiya planar va meza texnologiyaning afzalliklarini o‘zida jamlagan, 
ya‘ni planar texnologiyada hosil qilingan p-n o‘tish chekkalarida mavjud bo‘ladigan 
elektr  maydonining  notekis  taqsimotidan  qutilish  mumkin,  strukturalar  faol  sohalari 
o‘rtasidagi parazit  sig‘imlarni  kamaytirish  mumkin  bo‘ladi.  Bunda izolyatsiya  sifati 
va IS integratsiya darajasi ortadi.