I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

9.13  § Bipolyar ISlarni tayyorlash texnologiyasi 
 
Bipolyar  IS  elementlari  bir-biridan  va  taglikdan  izolatsiyalangan  sohalarda-
hosil  qilinadi.  Ko‘pgina  IS  lar  uchun  datslabki  material  sifatida  yashiringan  n
+
  - 
sohalarga  ega  bo‘lgan  epitaksial  qatlamli  yarim  o‘tkazgich  platsinkalari  ishlatiladi. 
Yashiringan  n
+
  -  soha  kollektor  qarshiligini  kamaytirish  uchun  xizmat  qiladi.Bitta 
texnologik  jarayonda  tranzistorlar,  diodlar,  rezistor  va  kondensatorlar  hosil 
qilinadi.Texnologik  jarayon  so‘ngida  metallash  jarayoni  bajariladi:  bunda  faol 
sohalarga  kontaktlar  (tutashuvlar),  tok  o‘tkazuvchi  yo‘llar,  tashqi  oyoqchalarga 
ulanadigan kontakt maydonchalari hosil qilinadi. 
Himoyalovchi  maska  sifatida  SiO
2
  qatlami  hosil  qilinadi.  SiO
2
  qatlam 
akseptorli kirishmalardan faqat bor ( V) atomlari uchun to‘siq bo‘lishi mumkin.Al,In 
va  Ga  SiO
2 
  qatlamda  tez  diffuziyalanadi.Bu  atomlar  uchun  to‘siq  vazifasini  nitrat 
kremniy (SI
3
N
4
) qatlami bajaradi. 
Donorli  aralashmalardan  ko‘pincha  fosfor  ishlatiladi.  U  surma  va  mishyakka 
nisbatan  katta  diffuziya  koeffisiyentiga  ega  va  surmaga  nisbatan  kremniydagi 
eruvchanligi katta. 
Akseptorli  aralashmalarga  nisbatan  donorli  aralashmalar  kremniyda  sekinroq 
diffuziyalanadi  va  bir  tekis  taqsimlanadi.  Shuning  uchun  kremniyli  n-  p-n 
tranzistorlar p-n-p ga nisbatan ko‘proq tarqalgan.Emitter sohalarini hosil qilish uchun 
fosfordan foydalaniladi, chunki fosforni eruvchanligi katta bo‘lganligi uchun (10
21
sm
-
3
)  injeksiya  koeffisiyenti  yuqori  bo‘ladi.n
+
  -  emitter  sohalarini  hosil  qilish  bilan  bir 
vaqtda  kollektor  sohasining  kontakt  hosil  qilinadigan  qismida  ham  n
+
  -  soha  hosil 
qilinadi,bu soha kontakt qarshiligini kamaytirishga xizmat qiladi.