I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

9.12  § Tetraetaksisilan Si(OC
2
H
5
)
4 
ning termik parchalanishidan oksid qatlam 
o’stirish 
 
Tetraetaksisilan  T=700-750
0
C  da  parchalanib,  SiO
2
,  SiO,  CO
2
  va  organik 
radikallarga  gaz  holatida  ajraladi.  Parchalanish  reaksiyasida  kislorod  manbai  bo‘lib 
tashqi manba emas, tetraetaksisilanning o‘zi ishtirok 
etadi. 
Agar parchalanish reaksiyasi taglik joylashgan 
kamerada  amalga  oshsa  u  holda  taglik  harorati    T
tag
  
parchalanish  harorati  T
parch
      bilan  bir  xil  bo‘ladi. 
Agar  taglik  boshqa  kameraga  o‘rnatilsa,  uning 
haroratini sezilarli darajada past olish mumkin. 
Oksid  qatlam  qalinligi    h  ning  oksidlanish  vaqtiga 
bog‘liqligi: 
3-Jadval 
1- parchalanish harorati T
parch 
= 700 
0
C 
2- parchalanish harorati T
parch
= 725 
0
C 
3- parchalanish harorati T
parch
= 750 
0
C