I bob. Ionli implantasiya usuli

3.2.Oje-yelektron spektroskopiyasi usulida miqdoriy tahlili.

Miqdoriy taxlil. YeOS usulida miqdoriy taxlil o’tkazish uchun yelementning Oje – yelektronlari toki va mazkur yelementning namuna sirtidagi konsentrasi orasidagi bog’liqlikni o’rnatishdan iboratdir. Yelementda WXY Oje – o’tishlar natijasida hosil bo’luvchi Oje – yelektronlar tokini quyidagicha yozin mumkin.

bu yerda  – g’allayonlanayotgan hajm, Ye – Oje – yelektronlarning yenergiyasi (Oje – yelektronlarning yenergiyasi taqsimoti Gauss yoki Lorens bo’yicha), Ye_p va I_p(Ye, Z) – g’allayonlantiruvchi birlamchi yelektronlar oqimining yenergiyasi va zichligi, Ye_W – ichki W sathning yenergiyasi, _n(Ye,Ye_W) – ichki W sathning ionlashish yuzasi, N_a(Z) – sirtdan Z chuqurlikda a yelementning atom konsentrasiyasi,  - Oje – yelektronlarning chiqish chuqurligi, yexp(-Z/) Oje – yelektronlarning chiqish yehtimolligi, _a(WXY) – WXY Oje – o’tish yehtimolligi.

G’allayonlantiruvchi oqim zichligini ikkiga ajratish mumkin. Bu yerda I_p – birlamchi g’allayonlantiruvchi oqim, I_p(Ye,Z) – sochilgan birlamchi yelektronlar ta’sirida yuzaga keluvchi g’allyonlantiruvchi oqim. U holda quyidagicha yozish mumkin:

bu yerda R_V orqaga sochilish koyeffisiyenti, T – analizatorni o’tqazishi. Miqdoriy taxlilni ifoda asosida o’tqaziladigan bo’lsa, ionlashish yuzasi, Oje – yelektronlarni chiqishi va orqaga sochilish koyeffisiyentini aniq bilish kerak. Bundan tashqari Oje – yelektronlar tokining mutloq tokini aniq o’lchash kerak. Sirtning notekisligi xam taxlilni murakkablashtiradi, chunki tekis sirtga qaraganda Oje – yelektronlarning chiqishi kamayadi. Bu barcha shartlarni oddiy laboratoriya Oje – taxlilida bajarib bo’lmaydi. Fizik kattaliklarni nazariy aniqlashga asoslangan miqdoriy taxlil hozirda bajarish mumkin bo’lmasa, EOS usulida miqdoriy taxlil qilishning bir qator usullari mavjud.