Gann effekti va ko’chkili ko’payish. Reja

3-rasm. Gann diodi tuzilmasi (a), unda elektr maydon kuchlanganligi (b) va konsentratsiyaning (d) taqsimlanishi.

Gann diodi asosidagi generatoming sodda sxemasi 4-rasmda keltirilgan. Rezonator sig'imli, induktivlikli va qarshilikli ekvivalent kontur bilan almashtirilgan. Generator ning kichik qiymatlarida o‘z-o‘zini uyg'otadi va uchib o'tish rejimi amalga oshadi. Ushbu rejimda yuklamadagi quvvat domen hosil qiladi, diodning qolgan qismi passivdir. Shuning uchun diodning FIK bir necha foizdan oshmaydi.

4-rasm. Gann diodi asosidagi sodda generator sxemasi.

Gann diodi asosidagi generatorning ko'rib chiqilgan rejimi bir necha GGs chamasidagi chastotalar uchun o'rinli bo'lib, tranzistorlar asosidagi anchagina yuqori FIK ga ega bo'lgan generatorlar bilan raqobatlasha olmaydi. 10 GGs dan yuqori chastotalarda Gann diodilari hajmiy zaryad to'planishini chegaralash (XZTCH) rejimida ishlatiladi. Diod RE qarshiligi katta rezonatorga joylashtiriladi. Bunda statsionar domen

hosil bo'lm aydi va u diod anodiga yetguncha so'nib ketadi. Generatsiyalanayotgan tebranishlar chastotasi rezonator chastotasi bilan aniqlanadi. XZTCH rejimida 160 GGs ni tashkil etuvchi ishchi chastotalarga erishiladi. Gann diodi asosidagi santimetrli diapazonda qayta generatsiyalovchi kuchaytirgichlarning kuchaytirish koeffitsienti 6— 10 dB, chiqish quwati 1 Vt gacha va FIK 5 % gacha bo'ladi. Ularning
shovqin koeffitsienti maydonli tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlarning shovqin koeffitsientidan yuqori. Shuning uchun ular oraliq kuchaytirgich kaskadlarda ishlatiladi.