Elektron asboblar va integral sxemalar fanidan mustaqil ish

ISLOM KARIMOV NOMIDAGI TOSHKENT DAVLAT TEXNIKA UNIVERSITETI
QO'QON FILIALI.


ELEKTRON ASBOBLAR VA INTEGRAL SXEMALAR FANIDAN


MUSTAQIL ISH.
Guruh va yo'nalish: 6-21 EA
Topshirdi: Rasulov Sodiqjon
Qabul qildi: Esonaliyeva N.
MAVZU: GANN DIODLARNI ISHLASH PRINSPI.
REJA:

1. 
   Gann diod haqida ma‘lumot
   
2. 
   Gann effekti
   

Gann dioddi ilk bor Rossiyada ishlab chiqarilgan Gann diodi Gann diod, shuningdek, uzatiladigan elektron qurilma (TED) deb ham nomlanadi, bu yuqori chastotali elektronikada ishlatiladigan, salbiy qarshilikka ega, ikki terminali passiv yarimo'tkazgichli elektron komponentdir. U 1962 yilda fizik J. B. Gann tomonidan kashf etilgan "Gann effekti" ga asoslanadi. Undan eng katta foydalanish mikroto'lqinlarni yaratish uchun elektron osilatorlarda, radar tezligi avtomatlari, mikroto'lqinli o'rni ma'lumot uzatish uzatgichlari va avtomatik eshik ochish moslamalarida qo'llaniladi.
Gann diodlari ko'chma radiolokatorlarda, aloqa tizimlarida, shuning Gann dodidek mantiqiy elementlar sifatida va boshqa qurilmalarda keng qo'llaniladi. Bir jinsli, n — turli GaAs va InP kristalllaridan Gann effekti asosini vohalar aro o'tish deb ataluvchi davriy tok impulslari hosil bo‘lishiga olib keluvchi o'tish tashkil etadi. Qutbli yarim o'tkazgichlarda o'tkazuvchanlik zonasi energiyalar oralig'i bilan bir-biridan ajratilgan bir nechta minimumga yoki “vohaga” ega. Soddalashtirish uchun,
o'tkazuvchanlik zonasi bosh voha 1 va ekvivalent voha 2 dan iborat deb hisoblanadi GaAs uchun ∆=0,36 eV, ∆= 1,43 eV.
Elektronlar (kovaklar) effektiv massasi material turiga, kristall tuzilishiga hamda zarday tashuvchilar energiyasiga bog'liq, chunki kristall panjara xususiy elektr maydoni tezlanishiga ushbu zarrachalar ta’sir etadi. GaAs kristalida elektronlarning yuqori — 2 vohadagi effektiv massasi = 1,2m, pastki voha 1 dagisi esa =0,07m ni tashkil etadi, bu yerda m — vakuumdagi erkin elektronning massasi. Ikkinchi tom ondan, elektronlar effektiv massasi ortgani sayin ularning harakatchanligi µ≈· qonunga binoan kamayadi,
bu yerda: T —kristalning absolut temperaturasi.

Shuning uchun yuqori voha “ og'ir’' elektronlarining harakatchanligi 100 , pastki voha “yengil” elektronlarining harakatchanligi esa 5000 ni tashkil etadi. Shunday qilib, berilgan temperaturada o'tkazuvchanlik zonasida bir vaqtning o'zida “yengil” va “og'ir” elektronlar mavjud. Botsman taqsimotiga muvofiq xona temperaturasida elektronlarning ko'p qismi pastki vohada to'planadi.

Agar diodga katta bo'lmagan potensiallar farqi berilsa, unda elektronlarni tezlatuvchi maydon hosil bo'ladi.
Elektronlar tezlikka erishadilar va diodda tok hosil bo'ladi.
Yarimo‘tkazgichga berilgan elektr maydon E ortishi bilan kristall temperaturasi ortadi, shu bilan bir qatorda elektronlaming o'rtacha energiyasi ham ortadi. ,2 kV/sm ga yetganda GaAs kristali elektronlari potensial to'siqni yengib o'tish uchun yetarli energiya oladilar. Natijada pastki voha elektronlardan bo'shab, yuqoridagisi esa — to‘ladi. Bu jarayon vohalararo o'tish deb ataladi.
Ushbu o'tish natijasida elektronlarning dreyf tezligi ga teng bo‘lib qoladi va ilgarigiga qaraganda kamayadi, hosil bo'layotgan tok zichligi ham kam ayadi. Elektr maydon diodga berilgan
kuchlanishga proporsional, dioddagi tok esa elektronlarning dreyf tezligiga proporsional bo'lgani sababli keltirilgan egri chiziqni diod VAXi sifatida qarash mumkin. Egri chiziqning pastga qarab ketgan sohasida, diod MDQka ega. MDQ mavjudligi, diodga passiv zanjir, masalan, rezonator ulab, tebranishlar generatsiyalovchi yoki kuchaytiruvchi sifatida foydalanish imkonini ochadi. Maydon kuchlanganligi yana ham orttirib borishi bilan dreyf tezlik to ‘yinadi
Diodning vohalararo o'tishlar sodir bo'layotgan ma’lum tor sohasidagina elektr maydon kuchlanganligining bo‘sag‘aviy qiymatiga erishiladi. Ushbu soha hajmiy elektr noharqarorlik sohasi deb ataladi. Yarimo'tkazgich material hajmida har doim kiritmalar konsentratsiyasi kichik bo‘lgan soha mavjud bo'ladi. Ushbu S sohaning qarshiligi atrofidagi boshqa sohalar qarshiligiga nisbatan yuqoriroq bo'lgani sababli undagi elektr maydon kuchlanganligiga yetadi
Natijada sohada zaryad tashuvchilarning pastki nimzonadan yuqoridagi nimzonaga o'tishi boshlanadi. sohadagi elektronlarning dreyf tezligi kichikroq bo'lgani sababli ular sohadan tashqaridagi elektronlardan orqada qoladilar. Natijada kuzatilayotgan tor sohada elektr domen deb ataluvchi qo‘sh elektr zaryad sohasi etadi.
Gann diodlari (GD) - bir jinsli yarimo'tkazgichda Gann effekt hisobiga MDQka ega yarimo'tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga ulangan GD O'YCHli garmonik tebranilar generatsiyalashga qodir. Diod uzunligi 10~2-M0~3 smli bir jinsli yarimo'tkazgich plastinadan iborat.
Plastinaning qarama-qarshi tomonlarida katod К va anod A deb ataluvchi metall kontaktlar hosil qilinadi. Gann diodlarini hosil qilish uchun n — turli GaAs, InSb, InAs va InP kabi birikmalardan foydalaniladi. Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi kontaktlariga kuchlanganligi 3 • 103 V/sm ga yaqin elektr maydon hosil qiluvchi doimiy kuchlanish berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha bo'lgan elektr tebranishlar hosil bo'ladi. Elektr tebranishlar quwati 10-ь 15 Vt gacha bo'ladi, diodning FIKi esa 10-H2 % ni tashkil etadi.GD asosidagi generatorning 10 GGs chastotadagi maksimal quwati2 Vtga yaqin (FIK 9-H5%). Chastota ortishi bilan \\M f 1 qonun bo'yicha kamayib boradi. Bunday natijalar nobarqaror hajmiy zaryad sohasi rejimida olingan. GDlari ko'chma radiolokatorlarda, aloqa tizimlarida, shuningdek mantiqiy elementlar sifatida va boshqa qurilmalarda keng qo'llaniladi.
Bir jinsli, n — turli GaAs va InP kristalarida Gann effekti asosini vohalararo o'tish deb ataluvchi davriy tok impulslari hosil bo‘lishiga olib keluvchi o'tish tashkil etadi. Qutbli yarim o'tkazgichlarda o'tkazuvchanlik zonasi energiyalar oralig'i bilan bir-biridan ajratilgan bir nechta minimumga yoki “vohaga” ega. Soddalashtirish uchun, o'tkazuvchanlik zonasi bosh voha 1 va ekvivalent voha 2 dan iborat deb hisoblanadi (3.14-rasm). GaAs uchun ДЖ ;=0,36 eV, Д W = 1,43 eV.
Elektronlar (kovaklar) effektiv massasi material turiga, kristall tuzilishiga hamda zaryad tashuvchilar energiyasiga bog'liq, chunki kristall panjara xususiy elektr maydoni tezlanishiga ushbu zarrachalar ta’sir etadi. GaAs kristalida elektronlarning yuqori — 2 vohadagi effektiv massasi mEF = \,2m, pastki voha 1 dagisi esa mEF=0,07m ni tashkil etadi, bu yerda m — vakuumdagi erkin elektronning massasi. Ikkinchi tom ondan, elektronlar effektiv massasi ortgani sayin ularning harakatchanligi f i к, ( m Ef ) 3/2 • T U2 qonunga binoan kamayadi,bu yerda: T — kristalning absolut temperaturasi. Shuning uchun yuqori voha “ og'ir’' elektronlarining harakatchanligi = 100 sm2/[V -s],pastki voha “yengil” elektronlarining harakatchanligi esa /л{ = 5000 sm2/[V -s] ni tashkil etadi. Shunday qilib, berilgan temperaturada o'tkazuvchanlik zonasida bir vaqtning o'zida “yengil” va “og'ir” elektronlar mavjud. Botsman taqsimotiga (1.5-formulaga qarang) muvofiq xona temperaturasida elektronlarning ko'p qismi pastki vohada to'planadi.
A
gar diodga katta bo'lmagan potensiallar farqi berilsa, unda elektronlarni tezlatuvchi maydon hosil bo'ladi (3.15-rasmda 1—2 soha). Elektronlar Sdr= / j.xE tezlikka erishadilar va diodda j(E) = qnxvDR(E) - r^/u^E tok hosil bo'ladi. Tok hosil bo'lishida

3.14-rasm. Gann effektini tushuntiruvchi energetik diagramma.

y
uqori voha elektronlarining ulushi, ular konsentratsiyasi kichik bo‘lgani sababli, hozircha juda kichik.
3.15-rasm. Dreyf tezlikning elektr maydon kuchlanganligiga bog'liqligi.
Yarimo‘tkazgichga berilgan elektr maydon E ortishi bilan kristall temperaturasi ortadi, shu bilan bir qatorda elektronlaming o'rtacha energiyasi ham ortadi. EB0.fz3,2 kV/sm ga yetganda GaAs kristali elektronlari A W t potensial to'siqni yengib o'tish uchun yetarli energiya oladilar. Natijada pastki voha elektronlardan bo'shab 3.17-rasm. Gann diodi asosidagi sodda generator sxemasiga asosidagi generatorning ko'rib chiqilgan rejimi bir necha GGs chamasidagi chastotalar uchun o'rinli bo'lib, tranzistorlar asosidagi anchagina yuqori FIK ga ega bo'lgan generatorlar bilan raqobatlasha olmaydi. 10 GGs dan yuqori chastotalarda GDlari hajmiy zaryad to'planishini chegaralash (XZTCH) rejimida ishlatiladi. Diod REqarshiligi katta rezonatorga joylashtiriladi. Bunda statsionar domen hosil bo‘lmaydi va u diod anodiga yetguncha so'nib ketadi. Generatsiyalanayotgan tebranishlar chastotasi rezonator chastotasi bilan aniqlanadi. XZTCH rejimida 160 GGs ni tashkil etuvchi ishchi chastotalarga erishiladi. GD asosidagi santimetrli diapazonda qayta generatsiyalovchi kuchaytirgichlarning kuchaytirish koeffitsienti 6— 10 dB, chiqish quwati 1 Vt gacha va FIK 5 % gacha bo'ladi. Ularning shovqin koeffitsienti maydonli tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlarning shovqin koeffitsientidan yuqori. Shuning uchun ular oraliq kuchaytirgich kaskadlarda ishlatiladi. esa — to‘ladi. Bu jarayon vohalararo o'tish deb ataladi. E -bosib o ‘lgan maydon ta ’sirida (3.15-rasm , 2 — 3 soha) elektronlarning asosiy qismi pastki vohadan yuqori vohaga o‘tadi. Ushbu o'tish natijasida elektronlarning dreyf tezligi 3 = JU^E ga
Elektronlar teng bo‘lib qoladi va ilgarigiga qaraganda kamayadi, hosil bo'layotgan tok zichligi ham kam ayadi. Elektr maydon diodga berilgan kuchlanishga proporsional, dioddagi tok esa elektronlarning dreyf tezligiga proporsional bo'lgani sababli 3.15-rasmda keltirilgan egri chiziqni diod VAXi sifatida qarash mumkin. Egri chiziqning pastga qarab ketgan sohasida, diod MDQka ega. MDQ mavjudligi, diodga passiv zanjir, masalan, rezonator ulab, tebranishlar generatsiyalovchi yoki kuchaytiruvchi sifatida foydalanish imkonini ochadi. Maydon kuchlanganligi yana ham orttirib borishi bilan dreyf tezlik to ‘yinadi (!9TO,y ~ 107sm/s) (3.15-rasmda 3—4 soha).Statik rejimda bunday xarakteristika kuzatilmaydi. Diodning vohalararo o'tishlar sodir bo'layotgan ma’lum tor sohasidagina elektr maydon kuchlanganligining bo‘sag‘aviy qiymatiga EB0.S erishiladi. Ushbu soha hajmiy elektr noharqarorlik sohasi deb ataladi. Yarim o'tkazgich material hajmida har doim kritmalar konsentratsiyasi kichik bo‘lgan soha mavjud bo'ladi. Ushbu S sohaning qarshiligi atrofidagi boshqa sohalar qarshiligiga nisbatan yuqoriroq bo'lgani sababli undagi elektr maydon kuchlanganligi EB0.S ga yetadi (3.16, a-rasm). Natijada £ sohada zaryad tashuvchilarning pastki nimzonadan yuqoridagi nimzonaga o'tishi boshlanadi. £ sohadagi elektronlarning dreyf tezligi kichikroq bo'lgani sababli ular sohadan tashqaridagi elektronlardan orqada qoladilar. Natijada kuzatilayotgan tor sohada elektr domen deb ataluvchi qo‘sh elektr zaryad sohasi vujudga keladi. Domenning chap tom onida sust harakatlanuvchi elektronlar, o ‘ng tom onda esa, zaryadlari tez harakatlanuvchi elektronlar bilan kompensatsiyalanmagan, musbat ionlar to'planadi. Domen hosil qilgan maydon birlamchi maydonga qo'shiladi va yangi elektronlarni yuqori nim zonaga o 'tish in i ta’minlaydi. Domendagi va undan tashqaridagi elektronlar tezliklari tenglashmagunga qadar domen zaryadi uzluksiz ortib boradi. Shuning uchun stabil domen hosil bo'lishi uchun domen hosil bo‘lish vaqti TF domenning katoddan anodga uchib o‘tish vaqti T0 = L I 3 JO,y dan kichik bo‘lmog‘i zarur. Anodga yetgan domen so‘rilib ketadi. Shundan keyin S ~qatlamda yangi dom en hosil bo'ladi va jarayon takrorlanadi. D om enlarning yo‘qolishi va yangisining hosil bo‘lishi diod qarshiligining o'zgarishi bilan davom etadi, natijada diod toki tebranishlari kuzatiladi. T0 bo'lganda diod toki tebranishlari chastotasi f — &m,Y IL ga teng, bu yerda, STO,y = 107 sm/s, L -yarimo'tkazgich uzunligi. Diodning domenlar hosil qilib ishlash rejimi uchib o'tish rejimi deb ataladi.

16-rasm. Gann diodi tuzilmasi (a), unda elektr maydon kuchlanganligi (b) va konsentratsiyaning (d) taqsimlanishi.GD asosidagi generatoming sodda sxemasi 3.17-rasmda keltirilgan.

R
ezonator Cf sig'imli, LE induktivlikli va /?£qarshilikli ekvivalent kontur bilan almashtirilgan. Generator Ri; ning kichik qiymatlarida o‘z-o‘zini uyg'otadi va uchib o'tish rejimi amalga oshadi. Ushbu rejimda yuklamadagi quvvat domen hosil qiladi, diodning qolgan qismi passivdir. Shuning uchun diodning FIK bir necha foizdan oshmaydi

3.17-rasm. Gann diodi asosidagi sodda generator sxemasi.

GD asosidagi generatorning ko'rib chiqilgan rejimi bir necha GGs chamasidagi chastotalar uchun o'rinli bo'lib, tranzistorlar asosidagi anchagina yuqori FIK ga ega bo'lgan generatorlar bilan raqobatlasha olmaydi. 10 GGs dan yuqori chastotalarda GDlari hajmiy zaryad to'planishini chegaralash (XZTCH) rejimida ishlatiladi. Diod RE qarshiligi katta rezonatorga joylashtiriladi. Bunda statsionar domen hosil bo'lmaydi va u diod anodiga yetguncha so'nib ketadi. Generatsiyalanayotgan tebranishlar chastotasi rezonator chastotasi bilan aniqlanadi. XZTCH rejimida 160 GGs ni tashkil etuvchi ishchi chastotalarga erishiladi. GD asosidagi santimetrli diapazonda qayta generatsiyalovchi kuchaytirgichlarning kuchaytirish koeffitsienti 6— 10 dB, chiqish quwati 1 Vt gacha va FIK 5 % gacha bo'ladi. Ularning shovqin koeffitsienti maydonli tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlarning shovqin koeffitsiyentidan yuqori. Shuning uchun ular oraliq kuchaytirgich kaskadlarda ishlatiladi. 3.17-rasm. Gann diodi asosidagi sodda generator sxemasi.
Foydalanilgan adabiyotlar: 1. Elektronika Aripov .X.K, Abdullayev.M.A, Alimova.N.B, Bustanov .X.X `O`zbekiston faylasuflari milliy jamiyati nashriyoti` Toshkent 2012 2.`Umumiy elektronika va elektronika asoslari` Qodir Odilov, Qobiljon Odilov Toshkent 2013 3.Google.com 4.Ziyonet.uz
XULOSA: Gann diodining ishlash prinsipi Gann effektiga asoslanadi . Ushbu diod salbiy differensial qarshilik masalasida bo`lib u ko`pincha mikroto`lqinlarni ishlab chiqarish uchun quvvatli osilator sifatida ishlatiladi. U faqat n tipdagi yarimo`tkazgichlardan iborat bo`lib unda elektronlar ko`p zaryad tashuvchisi hisoblanadi.