Gann effekti va ko’chkili ko’payish. Reja

II.1.Gann effekti va Gann diodi.

Gann Effekti  — N simon hajmiy volt-amper xarakteristikali yarim oʻtkazgichlarda elektrtokining yuqori chastotali tebranishlarini generatsiyalash. Gann effektini amerikalik fizik J.Gann (J.Gann) elektron oʻtkazuvchanlikli GaAs va JnP namunalarida kuzatgan (1963). Gann effekti doimiy kuchlanish maromida namunalarda doimiy ravishda paydo boʻladigan, koʻchadigan va yoʻqoladigan kuchli elektr maydon sohasining mavjudligi tufayli yuzaga keladi. Bu soha Gann domeni deyiladi. Gann effektida tebranish chastotasi namuna uzunligiga teskari mutanosib boʻladi. Uz. 30—50 mkm li GaAs kristallda tebranish chastotasi – 0,3—2 GGs.

Gann diodlari. Generatsiyalovchi diodlarning boshqa turini Gann diodlari tashkil
etadi. (GANN DIODI) —bir jinsli yarimo'tkazgichda Gann effekti hisobiga MDQka ega yarimo'tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga ulangan GANN DIODI O'YCHli garmonik tebranishlar generatsiyalashga qodir.