Gann effekti va ko’chkili ko’payish. Reja

7-rasm. Emitter zanjiriga rezistor ulangan tranzistor sxemasi.



8-rasm. Baza potensialining ikki xil qiymatida em itter tokining
UKBkuchlanishga bog‘liqligi

III.Xulosa.

Xulosa qilib aytadigan bo’lsak, elektronikaning boshqa qismlari kabi hozirgi zamonaviy elektronikada Gann nazariyasi ham juda muhim rol o’ynaydi. Yuqoridagilardan kelib chiqadiki, Gann diodi oqim-kuchlanish xususiyatlariga nisbatan salbiy qarshilik maydoniga ega ekanligi haqida bilib oldik. Salbiy GaAs elektrod bilan kritik qiymatga erishilsa, past elektron harakatchanlikka ega bo'lgan maydon paydo bo'ladi. Keyin u ijobiy elektrod tomon siljiydi. Gannli diodlar 10 GGts dan THz gacha bo'lgan chastotalar bilan mikroto'lqinlar ishlab chiqarish uchun salınımlar qurishda ishlatiladi. Bu salbiy differentsial qarshilik qurilmasi, shuninGann diodiek, elektron elektron osilator deb ataladi va u DC kuchlanish kuchiga ega Gann diodidan tashkil topgan sozlangan zanjirdir. Shu bilan birgalikda mustaqil ishni bajarish davomida Gann effektini aniqlash usullaridan bir nechtasini ko’rib chiqdik. Gann effektini aniqlash. : yarimo'tkazgichli qurilmaga qo'llaniladigan kuchlanish kritik qiymatdan oshib ketganda, oqimning tez o'zgarishi ishlab chiqarish, natijada mikroto'lqinli quvvat hosil bo'ladi. Gann elektr ta'minoti: Gann elektr ta'minoti elektron tomonidan boshqariladigan DC quvvat manbai va Gann osilatori va pin modulyatorini bir vaqtning o'zida ishlashi uchun ishlab chiqarilgan kvadrat to'lqin generatoridan iborat. DC voltaji 0 dan 10 voltgacha o'zgaruvchan. Kvadrat to'lqinining chastotasi doimiy ravishda 800 dan 1 00 gacha o'zgarishi mumkin!

Yuqoridagilar bilan bir qatorda “Gann diodi qanday dasturlarga ega ?” degan savolga ham javob topa oldik.

Gannli diodlar 10 GGts dan THz gacha bo'lgan chastotalar bilan mikroto'lqinlar ishlab chiqarish uchun salınımlar qurishda ishlatiladi. Bu salbiy differentsial qarshilik qurilmasi, shuninGann diodiek, elektron elektron osilator deb ataladi va unga DC kuchlanish kuchiga ega Gann diodidan tashkil topgan sozlangan zanjir.

Ko’payish jarayoniga to’xtaladigan bo’lsak, ular ikki xil bo’lib Zener ko’payishi va ko'chkili ko’payishdir. Ko'chkili ko’payish va Zenerning bo'linishi - bu ikki xil mexanizm bo'lib, ular orqali PN aloqasi uziladi. ... Ko'chib ketish elektronlar va teshik juftlarining ionlanishi tufayli, Zener diodi esa kuchli doping tufayli sodir bo'ladi.