Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
ВЛИЯНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА 
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР
ТИПА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК 
 
И.Н. Каримов, В.А. Абдуазимов, М.Б.Фозилжонов 
Андижанский государственный университет 
Как известно, ионизирующие излучение проводит к возрастанию 
положительного заряда в оксидном слое и увеличению заряда на 
поверхностных 
состояниях 
локализованных 
на 
границе 
раздела 
полупроводник-диэлектрик. Также известно, что общая емкость структур 
металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) может быть обусловлена слоем 
объемного заряда в полупроводнике и поверхностными состояниями. 
Контрольные измерения на диодах Шоттки, (методом изотермической 
релаксации емкости [1]) изготовленных на пластинах кремния, после 
удаления SiO
2
показали, что суммарная концентрация глубоких центров в 
объеме кремния, создаваемая облучением γ – квантами не превышает 
N
г
=5·10
11
см
-3
.
При таком значении концентрации перезаряжение этих центров не 
может привести к значительному изменению емкости слоя объемного заряда. 
Таким образом, наблюдаемое увелечение емкости МДП структур указывает 
на увелечение поверхностного заряда на границе раздела Si-SiO
2
.
Можно считать, что при указанных дозах облучения удельное 
сопротивление полупроводниковой подложки не меняется, как показано в 
работе [2]. 
Образование положительного подвижного заряда в слое SiO
2
подтверждается наличием гистерезиса С-V зависимостей. Однако, величина 
подвижного положительного заряда (образованного после облучения) 
сравнительно невелика. 
Экспериментальные результаты показали, что основной вклад в 
увлечение емкости МДП структур после радиационного излучения дает 
поверхностные состояния, локализованные границе раздела полупроводник-
диэлектрик. 
О природе образования поверхностных состояний имеются разные 
мнения. Например, авторы работы [3] объясняют появление указанных пиков 
пространственным распределением генерируемых дефектов, обусловленных 

---