Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
331 
полупроводниковую структуру с использованием поэтапного легирования с 
установленной градацией температуры; изучение алгоритмов моделей 
расчета влияния источников погрешностей кремниевых преобразователей с 
наноматериалами 
осуществлением 
классификации 
источников 
погрешностей; разработка математических моделей и принципов построения 
кремниевых преобразователей температуры с активными наноматериалами; 
разработка 
принципов 
формирования 
однородного 
распределения 
наночастиц на поверхности полупроводника и создание возможности 
управления размерами, составом и упорядочением легированных элементов; 
исследование алгоритмов и методики параметрического проектирования 
кремниевых преобразователей температуры с наночастицами по критерию 
чувствительности и линейности статической характеристики. 
В соответствии со Стратегией действий по дальнейшему развитию 
Республики Узбекистан имеет важное значение стимулирование разработок 
эффективного механизма внедрения достижений научных исследований, 
применение физических процессов протекающих в полупроводниках с 
нановключениями в практику, их использования для создания 
предназначенных для контроля сред.
Научно-исследовательские работы разработкой интеллектуальных 
микропроцессоров для измерительных устройств температуры и влажности 
различных 
объектах 
на 
основе 
полупроводниковых 
материалов 
осуществляются в известных научных центрах мировом
масштабе и высших 
учебных заведениях мира, а также ведущих фирмах Siemens, Volvo 
(Германия), Hewlett-Packard (Англия), Grunde (США), Watanabe Keiki 
(Япония) и российскими учеными Ю.Ф.Григорьева, В.В.Сахина и 
А.Ф.Котюка.
Получены некоторые научно-практические результаты по разработке
измерительных устройств температуры и влажности различных объектах на 
основе резистивных элементов и монокристаллических полупроводников, в 
частности, научных центрах Litton-Mark-NBIS (США), Howaldtswerke 
(Германия), 
Philips 
(Нидерландия) 
разработаны 
температурные 
полупроводниковые преобразователи с положительным температурным 
коэффициентом, а в предприятиях Rodan Industries Ins, Texas Instruments 
(США) развита технология изготовления кремниевых преобразователей 
температуры и влажности на основе полупроводниковых материалов, 
функционирующих вредных средах и труднодоступных объектах для 
измерения температуры и влажности.
Вопросам исследования теоретических и практических задач по 
разработке кремниевых преобразователей температуры и созданию 
высокоэффективных систем контроля параметров различных объектов с 
учетом дестабилизирующих факторов посвящены работы ряда учёных: 

---