Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
337 
радиацией. Наблюдаемый пик в спектре поверхностных состояний получен 
при дозе имплантации 3·10
11
ион/см
2
после отжига при Т=490
0
. 
Учитывая, 
что 
на 
поверхности 
полупроводников 
помимо 
изолированных точечных дефектов могут существовать и скопления 
дефектов типа вакансионных и примесных кластеров, образованных при 
обработке кристаллов [4], полученные экспериментальные результаты можно 
интерпретировать как проявление таких состояний. Так как данные кластеры 
и включения различаются размерами, химическим составом и структурой, то 
им присущи разные энергии образования. 
При воздействием радиации с энергией, соответствующей энергии 
образовании указанных скопления, последние могут распадаться и 
взаимодействие продуктов распада (отдельные атомы, вакансии) с 
поверхностными дефектами [5] приводит к образованию новых дефектов, 
которые появляется в виде пиков на фоне однородного распределения N
ss
по 
ширине запрещенной зоны кремния. 
Литература 
1. Берман Л.С. //Емкостные методы исследования полупроводников. // Л. 
Наука, 1972 г. 102 стр. 
1.
Киблик В.Я., Литванов Р.О., Литовченко В.Г., Литовченко Н.И. 
//Украинский физический журнал.//1977 г., Т.32, в.7, 1097 стр. 
2.
Приходько В.Г., Ждан А.Г., Галкин Г.Н., Аббасова Р.У., Боброва Е.М. 
//Физика и техника полупроводников//, 1982г., в. 7. 1266 стр. 
3.
Фистуль В.И., Петровский В.И., Рытова Н.С., Гринштейн П.М. //Физика и 
техника полупроводников//, 1979г., т. 13,в.7, 1402 стр. 
4.
Гурский Л.И., Румах Н., Куксо В.В., Зарядовые свойства МОП-структур. 
Минск, Наука и техинка, 1980 г.