Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
235 
- доминирующей причиной ПМС является спин-зависимая рассеяние носителей заряда от 
высокоспиновых магнитных нанокластеров марганца; 
- наблюдение временной кинетики ПМС показывают конкуренцию между тепловой 
разупорядочением и упорядочением внешним магнитном полем ориентацию магнитных 
моментов высокоспиновых магнитных нанокластеров марганца; 
- наблюдение гистерезиса в МС образцов показывают, наличие коэрцитивной силы в 
переориентации магнитных моментов нанокластеров марганца и тем самым дает предпосылки 
существования ферромагнитной фазы. 
В настоящее время не имеется какая либо теоретическая модель объясняющая 
происхождения ферромагнитного состояния сильно компенсированных образцов р–Si. 
Литературы 
1. 
Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. 
школа, 1987. C.350. 
2. 
A.К. Звёздын, В.В. Костюченко, и др. Магнитные молекулярные нанокластеры в 
сильных магнитных полях. // УФН. 2002, Т 172, №11, ст. 1303-1306. 
3. 
А.И.Вейнгер, А.Г.Забродский, Т.В.Тиснек, Магнетосопротивление компенсированного 
Ge:As на сверхвысоких частотах в области фазового перехода металл-изолятор. // ФТП, 2000, 
том 34, вып. 7, c.774-783. 
4. 
А. Е. Варфоломеева, М. В. Седова. Эффект большого положительного 
магнитосопротивления в слабых магнитных полях в металл-диэлектрических 
нанокомпозитах. // ФТТ. 2003, том 45, в. 3, ст. 500-504. 
МАГНИТ МАЙДОНИ ОРҚАЛИ МАГНИТ КИРИШМАЛИ ЯРИМ ЎТКАЗГИЧЛИ 
ФОТОЭЛЕМЕНТЛАР САМАРАДОРЛИГИГА ТАЪСИР КЎРСАТИШ 
ИМКОНИЯТЛАРИ 
 
Ж.Т. Рўзимуродов, М.Э. Турсунов
Самарқанд давлат университети 
 
Кейинги йилларда жадал ривожланиб бораётган қуёш энергетикаси учун янги самарадор 
материаллар излаш билан бирга мавжудларининг самарадорлигини ошириш бўйича ҳам илмий 
тадқиқот ишлар олиб борилмоқда[1].
Ҳозиргача кучли магнит майдонининг моддалар хусусиятларига, хусусан ярим 
ўтказгичларни олиш-ўстириш тезлиги жараёнига, ярим ўтказгичларни олиш-ўстириш 
жараёнида киришмалар ҳолати ва концентрациясига, ярим ўтказгичларнинг электрофизик 
хоссларига, ярим ўтказгичли асбоблар (p-n) ўтиш хоссларига, ярим ўтказгичли қуёш 
элементларига ҳам ижобий, ҳам салбий таъсирлари ҳамда магнит киришмали ярим ўтказгичлар 
магнит хоссаларига таъсири аниқланган[2]. 
[3] ишда эса 0.2 Т бўлган кучсиз магнит майдонида нуқтавий дефектларга эга бўлган 
чахральский усулида ўстирилган кремнийда τ заряд ташувчилар яшаш даврининг ошгани 
кузатилган.
Марганец билан диффузия усулида легирланган кучли компенсирланган p-типли кремний 
намуналарида кузатиладиган катта манфий магнит қаршилик [4], марганец билан ионли 
имплантация усулида легирланган кучли компенсирланган n-типли кремний намуналарида 
кузатиладиган катта мусбат магнит қаршилик [5] ва вақт бўйича магнит қаршилик ортиши 
динамикаси каби экспериментал фактлар шуни кўрсатадики магнит майдони киришмаларга эга 
бўлган ярим ўтказгичлар электрофизик хоссаларига таъсир кўрсата олади. Афсуски хозирча бу 
кузатилган экспериментал фактлар етарлича назарий асосланмаган ёки туб сабаблари 
аниқланмаган. Шунга қарамасдан барча ишлардаги тадқиқот намуналари таркибида 

---