Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
233 
Обращает на себя внимание существенное различие в концентрационной динамике 
численных значений Ландау-Плачека. В области значений малых концентраций градиент 
температурного поведения ярко выражен. Тогда как максимальное значение изменения 
Ландау-Плачека с повышением содержания 4МП спадает медленно и не тривиально. 
Зависимость соотношение Ландау-Плачека от концентрации 4МП в растворе при 
температуре 10 
0
С и 80 
0
С. (▲-10 
0
С , ●-80 
0
С) 
Таким образом предсказанное Фабелинским [1] необходимость учитывать флуктуации 
плотности вызванные градиентом температуры в спектре молекулярного рассеяния получило 
своё экспериментальное подтверждение. 
Однако, обращает внимание необычное поведение Ландау-Плачека в зависимости от 
концентрации. Динамика поведения значений Ландау-Плачека, существенно различаются 
относительно «особой точки» 0,06 м.д. пиколина в воде. Для объяснения совокупности 
результатов эксперимента отображенных на рис. Необходимо привлеь для анализа результаты 
наших исследований [3] фазовой диаграммы состояний которые может иметь водный раствор 
пиколина с изменением концентрации. 
Литературы 
1. Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. М.: Наука, 1965.
2. Фабелинский И.Л. Избранные труды. В 1-2 т. Под ред. В.Л. Гинзбурга. М.: Физматлит, 
2005.
3. L.M. Sabirov, D.I. Semenov, Ukrainian Journal of Physics, 2015, v.60(9), pp.869-872 
КИНЕТИКА МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ С МАГНИТНЫМИ 
НАНОКЛАСТЕРАМИ. 
 
Рузимуродов Ж.Т. Турсунов М. Э. 
Самаркандский государственный университет 
Представлены результаты экспериментального исследования магнетосопротивления 
(МС) 
образцов 
монокристаллического 
сильно 
компенсированного 
Si<В,Mn> 
ионноимплантированного марганцем. 
Эксперименты были проведены в магнитных полях (0-15 kOe) при комнатной 
температуре по стандартной методике [1]. Простейший и самый распространенный вид МС 
связан с движением носителей заряда в магнитном поле (МС Лоренца) и сопротивление должно 
возрастать пропорционально квадрату напряженности магнитного поля. Это МС является 
положительным. Оно наблюдается во всех полупроводниках [2] и металлах[3]. МС в тонких 
неоднородных полупроводниковых пленках может отклоняться от квадратичного закона [3;4]. 
Отклонение может быть связано с тем, что структурный беспорядок и сильное легирование 
-5
5
15
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
135
145
155
165
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1

---