Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
243 
На рис. 2 приведена зависимость интенсивности проходящего света I от энергии фотонов 
h

для нанопленок NiSi
2
/Si с толщиной 50 и 200 Å. В случае h = 50 Å, резкое уменьшение I 
наблюдается при двух значениях h

: 0,5 и 1,0 эВ. Первое уменьшение связано поглощением 
света на участках покрытых наноостровками NiSi
2
, второе – на участках, не закрытых NiSi
2
. 
Экстраполяция этих кривых к оси h

показывает, что значение E
g
для NiSi
2
~ 0,6 эВ, а для Si - 
~ 1,1 эВ. В случае сплошной пленки NiSi
2
значение E
g
составляет ~ 0,6 эВ. I резко уменьшается 
до нуля в интервале h

= 0,5 – 0,6 эВ. 
В таблице 1 представлены режимы формирования ТФЭ пленок NiSi
2
/Si (111) и значения 
их удельного сопротивления. 
Таблица 1 
№ образца 
h
Ni
, Å 
h
NiSi2
, Å 
Т
эпит. 
Вид пленки 

, мкОм

см 
1 
2 
3 
4 
5 
15 – 20 
35 – 40 
50 – 60 
80 
200 
50 
100 
150 
200 
550 
800 
850 
850 
900 
950 
островковая 
островковая 
островковая 
сплошная, н.о
* 
сплошная, о
**
2

10
5
5

10
2
– 
100 
50 
*
– неоднородная, 
**
– однородная. 
Видно, что в случае островковой пленки значение 

очень высокая. При h
NiSi2
= 200 Å 
формируется сплошная пленка, однако значение 

немного больше, чем 

пленки с толщиной 
550 Å. По-видимому, при h = 200 Å пока еще пленки не является однородной по толщине. 
Таким образом, на основе анализа экспериментальных результатов можно заключить о 
том, что в процессе твердофазного осаждения Ni в Si в сочетании с отжигом на поверхности Si 
формируются эпитаксиальные нанопленки NiSi
2
. При толщинах h ≤ 150 Å пленки имеют 
островковый характер. Из-за близости параметров решетки NiSi
2
и Si на границе NiSi
2
/Si не 
возникает заметного напряжения и следовательно формируется сравнительно узкий 
переходной слой (50 – 60 Å). 
Литература 
1. Алтухов А.А., Жирнов В.В. Анализ морфологии и стехиометрии пленок CoSi/Si(100), 
полученных методами ТФЭ и РЭ // Материалы II-го Всесоюзного межотраслевого 
совещания “Тонкие пленки в электронике”: Москва-Ижевск. 1991. С. 15.
2. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. Получение наноразмерных фаз 
силицидов металлов в приповерхностной области кремния и изучение их электронных 
структур методом прохождения света. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и 
нейтронные исследования, 2017, № 4, с. 104–108.