Berdaq nomidagi qoraqalpoq davlat universiteti fizika kafedrasi radioelektronika

Rezistorlar. IMS da rezistorlar bipolyar tranzistorning baza, kollektor yoki emitter yuzaga keladi. Bunda diffuziya usulidan foydalangani uchun ular diffusion rezistorlar deb ataladi.

Diffuzion rezistorlar yarimo’tkazgich hajmidan p-n o’tishlar yordamida himoya qilib ajratiladi.

Diffzuion rezistorning qarshiliig resistor vazifaini bajaradigan sohaning geometric o’lchamlariga va undagi qattiqlikning kinsentratsiyasigabog’liq. P-qatlam, ya’ni tranzistorning bazasi asosida yaratilgan rezistorlarning qarshiligi bir necha 10 kiloni tashkil qilsa, emitter qatlami asosida yaratilgan rezisorlarning qarshiligi kichik bo’ladi. Katta qarshilikli rezistorlar ion implantatsiyasi (ko’chirilishi) usulida tayyorlanadi.

Rezistorlar MOP-tarkibi unipolyar transistor asosida ham yaratiladi. Bunda rezistorning vazifasini tranzistorning kanali bajaradi. Qarshiligining kattaligi esa zatvor yordamida boshqariladi.