Berdaq nomidagi qoraqalpoq davlat universiteti fizika kafedrasi radioelektronika

3.3. Unipolyar tranzistorlar

Unipolyar tranzistorlar elektr maydoniga ega bo’lgan tranzistorlar bo’lib, tok bir turdagi asosiy tok tashuvchi hisobiga hosil qilinadi.

<>yoki <> so’zining mohyati shundayki, unipolyar tranzistorning chiqish toki boshqaruvchi elektrodining kuchlanishi hosil qiladigan elektr maydon orqali boshqarilishini bildiradi.

Исток Boshqaruvchi p-n o’tishli transistor hisoblanadi. Uning tuzilishi 3.22-rasmda ko’rsatilgan. Unda chapdagi elektrod oqim boshlanishi-istok deb, o’ngdagi elektrod esa stok deb ataladi. O’rtadagi boshqaruvchi elktrod-zatvor deyiladi.

Исток + - Е3 -Ес+ 3.22- rasm. Boshqaruvchi p-n o’tishli unipolyar transistor.

Istok bilan stok oralig’idagi qatlam kanal deb ataladi. Uning o’tkazuvchanligi n yoki p turda bo’lishi mumkin. Agar asos yarimo’tkazgich n- turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lsa, zatvor qatlami p-turli yarimo’tkazgich bo’ladi va aksincha. 3.22-rasmda ko’rsatilgan tranzistorda asos qatlam n-turli yarimo’tkazgichdan iborat. Shuning stokka istokka nisbatan musbat kuchlanish berilsa, asosiy tok tashuvchilar, ya’ni elektronlar stokka tomon harakat qiladi. Zatvorga kuchlanish har doim teskari ulanishda beriladi, shuning uchun p-n o’tish yopilishi kerak. Ko’rilayotgan zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilgan . Shuning uchun p-n o’tish qatlai kengayadi va Е₃ tok ko’zi kuchlanishining o’zgarishi hisobiga kanalning kesimi o’zgaradi. Bu undan o’tadigan electron oqimining miqdori o’zgarishga, ya’ni stok tokening boshqarilishiga olib keladi.

Unipolyar tranzistorlarning yana bir turi zatvori izolyatsiyalangan transistor deb ataladi. Ularda metalldan yasalgan zatvor asos qatlam-kanaldan dielektrik modda bilan ajratilgan bo’ladi. Shuning uchun bunday tranzistorlar MDP (metal-dielektrik-poluprovodnik) turidagi unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi. Ko’pincha dielektrik sifatida pksid metallar ishlatiladi (masalan, kremniy oksidi. Bu holda transistor MOP (metal-oksid-poluprovodnik) turdagi transistor deb ataladi

Istok zatvor stok Изолятор Канал р yoki n tipli asos 3.23-rasm.Zatvori izolyatsiyalangan uniployar tranzistor.

MDP turdagi tranzistorning tuzilishi 3.23-rasmda ko’rsatilgan. Unda ham stok toki kuchlanishi orqali boshqariladi. Zatvor bilan asos yarimo’tkazgich orasida elektr maydon hosil qilinganda maydon kuchlanishining

Yo’nalishiga qarab, asosiy tok tashuvchilari yoki asos yarimo’tkazgichning sirtiga yoki hajmiga tortiladi.

Agar asosiy tok tashuvchilar asos yarimo’tlazgichning sirtiga tortilsa, sirt qatlam-o’tkazuvchanlik kanalining o’tkazuvchanligi ortadi, hajm ichida tortilganda esa, u kamayadi. Birinchi usulda ishlaydigan tranzistorlar boyitilgan turda, ikkinchi usuldagilar esa , kambag’allashgan rejimda ishlaydigan tranzistorlar deyiladi..

Umuman olganda MDP turdagi tranzistorlarning ishlash prinsipi juda murakkab bo’ladi. U asosiy yarimo’tkazgich materialining turiga, tok tashuvchilar konsentratsiyasiga, texnologiyasiga va boshqalarga bog’liq. Shunga bog’liq bu turdagi unipolyar tranzistorlar ikki guruhga ajratilib, kanali induksiyalanuvchi va kanali hosil qiligan tranzistorlar deb ataladi.

Kanali induksiyalanuvchi tranzistorlarda zatvor kuchlanishining ma’lum bir qiymatida stok toki hosil bo’lmaydi. Sababi unda zatvor kuchlanishi ma’lum bir chegaraviy qiymatdan ortgandan keyingina zaryad taqsimlanishi o’zgarib o’tkazuvchi kanal paydo bo’ladi va tok hosil bo’ladi.

Ikkinchi guruh tranzistorlarda esa , o’tkazuvchan kanal oldidan ola bor bo’lib u orqali zatvor kuchlanishining nol qiymatida stok toki o’tib turadi. Zatvorga kuchlanish berib, uni noshqarish mumkin. Bu guruhdagi tranzistorlar birinchi guruh tranzistorlarga o’xshab ham boyitish, kambag'allashtrish rejimida ishlashi mumkin.

Unipolyar tranzistorlarning sxemada belgilanishi 3.4- jadvalda ko’rsatilgan.

3.4-кесте

Tranzistorning turi	р-tipli	n-tipli
Boshqaruvchi p-n o’tishli
MDP turli transistor kanali induksiyalangan
Kanali hosil qilingan