Berdaq nomidagi qoraqalpoq davlat universiteti fizika fakulteti

6-rasm. Unipolyar tranzistorning ekvivalent sxemasi
a-ekvivalent kuchlanish va b-ekvivalent tok generatori
ularning ekvivalent sxemalarini tuzish mumkin. Masalan, asosan unipolyar tranzistorning stok zanjirini o’zaro ketma-ket ulangan R_i va Rs rezistorlarga EYUK dU₃ ga teng generatorning ulanishi deb qarash mumkin (6. a-rasm). Shunga o’xshash ifoda uni o’zaro parallel ulangan R_i- va R_s rezistorlarga SdU₃ ga teng EYUK li generatorning ulanishi deb qarash mukinligini ko’rsatadi (6.b- rasm.) Ulardan birinchisi ekvivalent kuchlanish generatori deyilsa, ikkinchisi — ekvivalent tok generatori deb ataladi. Ular tok kuchi va kuchlanishning faqat o’zgaruvchan tashkil etuvchilarinigina hisobga oladi. Bu elektron qurilmalarni ekvivalent sxemalar bilan almashtirib tekshirishda ularning boshlang’ich ish rejimini hosil qilish uchun xizmat qiladigan o’zgarmas tok va kuchlanishni hisobga olmaslik imkonini beradi. Bundan tashqari, elektron asbobning ishchi soxasi qilib xarakteristikalar sistemasining to’g’ri chiziqli qismi tanlangan bo’lsa, tok kuchi va kuchlanishning dif­ferensial qiymatlarini ularning kompleks amplitu­dalari bilan almashtirish mumkin.
2.5 Integral mikrosxemalar
Integral — lotincha soʻz boʻlib, mayda kismlar majmuasi, toʻplami degan maʼnoni bildiradi. Mikrosxema esa ikki soʻzdan: mikro — kichik va sxema so’zlaridan tashkil topgan. Shunday qilib, integral mikrosxema deganda bir yoki bir necha tugallangan sxemalarni oʻz ichiga olgan, ixcham, kichik oʻlchamli qurilma tushuni­ladi. Integral mikrosxemalar tayyorlanish texnologiyasiga koʻra, yarim oʻtkazgichli; plyonkali va gibrid (duragay) turlarga boʻlinadiYarim oʻtkazgichli mikrosxemada yarim oʻtkazgich materiali olinib, uning butun hajmi boʻylab aktiv va passiv elementlar xosil qilinadi. Boshqa bir texnologiya boʻyicha, yaxlit korpus asosida aloxida yarim oʻtkazgichli kristallar joylashtirilib, ulardan aktiv elementlar hosil qilinadi. Ularning uchlari esa plyonka shaklida tayyorlangan passiv elementlarga ulanadi. Bu usulda tayyorlangan mikrosxema duragay mikrosxema deyiladi. Agar mikrosxema­da hamma elementlar va elementlarni birlashtiruvchi oʻtkazgichlar plyonka shaklid tayyorlangan boʻlsa, bunday mikrosxema plyonkali mikrosxema deb yuritiladi. Plyonkalar qalin va yupqa boʻlishi mumkin. Qalinligi 1 mkm dan kichik bo’lgan plyonkalar shartli ravishda yupqa plyonkali,1 mkm dan qalin boʻlganlari esa qalin plyonkali mikrosxemalar deb ataladi. Integral mikrosxemalarda mavjud boʻladigan elementlar sonini xarakterlash uchun integrallash koeffitsiyenti tushunchasi kiritiladi. Bu koeffitsiyent k = lgN bilan aniqlanadi; N — mik­rosxemaga kiruvchi elementlar soni. Masalan, uchinchi darajali mikrosxema deyilganda, 1000 tagacha elementi boʻlgan mikrosxema tushuniladi. Xozirgi paytda oltinchi darajali mikrosxema ish­lab chiqilgan. Integratsiya darajasi yuqori boʻlgan mikrosxema­lar faqat yarim oʻtkazgichlardan yasaladi. Yupqa plyonkali mikrosxemalarda passiv elementlar (rezis­torlar, kondensatorlar, induktiv gʻaltaklar) oʻtkazgich va dielektriklarni vakuumda changlatish usuli bilan dielektrik asosga oʻrnatilib yasaladi. Soʻngra sxemaning kerakli joylariga aktiv elekmentlarning ulanish uchlari yoki yarim oʻtkazgichli mikrosxema uchlari kavsharlanadi. Zarur boʻlgan element kattaligiga tuzatish kiritish mumkin. Buning uchun lazer nuri yorda­mida ayrim joylari kuydiriladi. Integral mikrosxemalar vazifasiga koʻra analogli va raqamli turlarga boʻlinadi. Uzluksiz funksiya koʻrinishida ifodalangan signallarni qayta ishlovchi va oʻzgartiruvchi mikrosxema analogli mikrosxema deyiladi. Ikkilik yoki boshqa raqamli kodlarda ifodalangan signallarni qayta ishlovchi va oʻzgartiruvchi mikrosxema raqamli mikrosxema deyiladi. Integral mikrosxemalar OST 11.073.915.—8 boʻyicha toʻrtta element yordamida markalanadi. Birinchi element mikrosxemaning konstruktiv-texnologik gruppasini bildiradi: 1,5 6,7 yarim oʻtkazgichli mikrosxemalarni; 2,4, 8— duragay mikrosxemalarni; qolganlari 3 raqami bilan belgilanadi. Ikkinchi element tartib nomerini, uchinchi element ishlatilish sohasini bildiradi. Masalan, generatorlar — G, detektorlar — D; kommutator va kalitlar — K; koʻp funksiyali sxema — X; modulyatorlar — M; yarim oʻtkazgichli passiv elementlar toʻplami — N; ikkilamchi tok man-bai sxemalari — G va kuchaytirgichlar — U (usilitel) harfi bilan belgilanadi. Toʻrtinchi element bitta seriyadagi bir xil operatsiyani bajara oladigan mikrosxemaning nomerini bildiradi. Toʻrtinchi elementdan soʻng, mikrosxemani bir yoki bir nechta parametri boʻyicha farqlovchi harf qoʻyiladi. Keng qoʻllaniladigan integral mikrosxemalarda shartli belgilardan oldin K harfi qoʻyiladi. Mikrosxema korpusining materiali va tipini koʻrsatish uchun K harfidan keyin quyidagi harflar qoʻyiladi: R — ikkinchi tip plastmassali korpuslar uchun; M — ikkinchi tip keramika, metall-keramika va metall-shishali korpuslar uchun; E — ikkinchi tip metall-polimer korpuslar uchun; A — toʻrtinchi tip plastmassa korpuslar uchun; I — toʻrtinchi tip kerami­ka-shisha korpuslar uchun. 1974 yilgacha ishlab chiqarilgan mikrosxemalarda uchinchi element birinchi raqamdan soʻng yozilgan. Analogli integral mikrosxemalarning quyidagi turlari mav­jud: kommutatorlar (KR119KP1, KR143KT1 va h.); raqamli signalni analog signaliga, analog signalni raqamli sigmalga aylantirib beruvchilar (K252KT1A, K252PA1 va h.); ikkilamchi tok manbalari (K542ND1, K142EN1A va h.); kam quvvatli kuchaytirgichlar (K1184D1A, KR119UI1 va h.); filtrlar (K284SS2A, K284SS2B); komparatorlar (K554SA1, K554SAZB va h.); opto­elektron sxemalar (K249KN1A, K249KP2 va x.); generatorlar (KR119AT1, KR127GF1 va h.); radio va televizion priyomniklar uchun integral sxemalar (K174UN7, K174UP1 va h.); maishiy tex­nika uchun integral sxemalar (KM189XA1, KR189XA2 va h.) va boshqa analogli sxemalar (K118TL1A, KR198NT1A va h.k.z). Integral sxemalarning murakkabligi funksional integratsiya darajasi bilan belgilanadi:
K_u= lgN_el
bunda N_el— bitta mikrosxemadagi XAM — EMAS yoxud YOKI — EMAS elementlari soni. Irtegratsiya darajasi K_i~1 boʻlgan IS ni kichik (MIS), K_i= 1-2 boʻlganlarini oʻrta (SIS), Ki = 2 - 4 boʻlganlarini katta (BIS) va K> 4 boʻlsa, oʻta katta (SBIS) IS lar deb ataladi. Ular birbiridan mantiqiy elementlari soni xamda iqtisodiy jixatdan sama­radorligi bilan farqlanadi. IS ni tashkil qilgan kristallarda elementlar sonini orttirish ikki sababga koʻra cheklangandir. Bularga element oʻlchamlari va sarflanadigan energiyalar kiradi. Kichik (MIS) ISlarda kristall yuzasini element bilan toʻldirish darajasi, BIS larga nisbatan kichik boʻladi. BIS larda elementlar ki­chik oʻlchamga ega boʻlib, xalaqitlar xam kam. Element oʻlchamlarini BISlarda kamaytirishning yana bir usuli bir elementning maʼlum bir sohasi bir vaqtning oʻzida ikkita vazifani bajaradigan qilib yasaladi (masalan, koʻp emitterli yoki koʻp kollek­torli tranzistor). O’rta IS larga misol tariqasida kombinatsion va tadrijiy IS larni keltirish mumkin.