Berdaq nomidagi qoraqalpoq davlat universiteti fizika fakulteti

3-rasm. Tranzistorni diod sifatida o’lchash
Bunda diffuziya usulidan foydalanilgani uchun ular diffuzion rezistorlar deb ataladi. Diffuzion rezistorlar yarim o’tkaz­gich hajmidan — p o’tishlar yordamida himoya qilib ajratiladi. Diffuzion rezistorning qarshiligi rezistor vazifasini bajaradigan sohaning geometrik o’lchamlariga va undagi sotishmaning konsentratsiyasiga bog’liq qatlam, yaʼni tranzistorning bazasi asosida yaratilgan rezistorlarning qarshiligi bir necha 10 kiloomni tash­kil qilsa, emitter qatlami asosida yaratilgan rezis­torlarning qarshiligi kichik bo’ladi.Katta qarshilikli rezistorlar ion implantatsiyasi (ko’chirilishi) usu­lida tayyorlanadi.Rezistorlar M O P — tarkibli unipolyar tranzistor asosida ham yaratiladi. Bunda rezistor vazifasini tranzistorning kanali bajaradi. Qarshiligining kattaligi esa, zatvor kuchlanishi yordamida boshqariladi. Boshqaruvchi p—n o’tishli tranzistor asosida yasaladigan rezistorlar tinch — rezistor deb ataladi. Kondensatorlar. IMSlarda kondensatorlar maxsus texnologiya asosida yasalmaydi. Ular tranzistorlar va diffuzion rezistorlarni yasash jarayonida hosil qilinadi. Bunda p—n o’tishga teskari yo’nalishda kuchla­nish ulangandagi to’siq qatlamning sig’imi kondensator vazifasini bajaradi. Ular diffuzion kondensator deb ataladi. Bunday kondensatorlarning dielektrigi bo’lib p—n o’tishning hajmiy zaryadlar soxasi xizmat qiladi. Bipolyar tranzistorlarda kondensator hosil qilishning 3 xil usuli mavjud: emitter — baza o’tishi, kol­lektor -baza o’tishi va kollektor — taglik (“yer”) oralig’i. Emitter — baza o’tishi hisobiga hosil qilingan kondensatorning solishtirma sig’imi eng katta (1500 pf/mm² gacha) bo’lib, buzilish kuchlanishi eng ki­chik (birnecha volt) bo’ladi.
Kollektor — baza o’tishidan foydalanilganda esa, kondensatorning sig’imi 5-6 marta kichrayadi, lekin buzilish kuchlanishi shuncha martaga ortadi. Bu ikki variantda tayyorlangan kondensatorlarning asosiy kamchiligi — kondensator qoplamalari bilan taglik (“yer”) orasida zararli sigimning hosil bo’lishidir. Bu kamchilik kondensatorlarning uchinchi turida yo’qotiladi, chunki kondensatorning II qoplamasi bo’lib taglik “yer” xizmat qiladi.Diffuzion kondensatorlar o’zgarmas yoki o’zgaruvchan bo’lishi mumkin. Kondensator sig’imi o’zgarmas bo’lishi uchun p—n o’tishga beriladigan teskari kuchlanish doimiy bo’lishi lozim. Agar bu kuchlanish o’zgaruvchan bo’l­sa, sig’im ham ozzgaruvchan bo’lad i. Lekin p—n o’tish sig’imi chiziqli bo’lmagan kattalik bo’lgani uchun uning o’zgarishi kuchlanishga mutanosib bo’lmaydi (Teskari kuchlanish 1÷10 V oraliqda o’zgarganda kondensator sig’im 2÷2,5 marta o’zgaradi). MOP tarkibli unipolyar tranzistorlarda ham kon­densator hosil qilinadi. Lekin ularning sig’imi kichik (500 pf gacha) bo’ladi. Induktivlik. Yarim o’tkazgichli IMSlarda induk­tivlik g’altagi va transforlyaatorlar biror texnologi ya asosida hosil qilinmaydi. Shuning uchun ular tranzistor, rezistor va kondensatorlarning biror TUR ulanishi hisobiga ek­vivalent element sifatida olinadi. Masalan, 4- rasmda ekvivalent induktiv­lik hosil qilish sxemalaridan biri keltirilgan.