Berdaq nomidagi qoraqalpoq davlat universiteti fizika fakulteti

2-rasm.Ko’p emitterli tranzistorning tarkibiy sxemasi va sxemada belgilanishi
2- rasmda ko’p emit­terli tranzistorning tarkibiy sxemasi va sxe­mada belgilanishi ko’r­satilgan. Uni umumiy baza va kollektorga ega bo’lgan bir necha p—n— p tranzistorning to’plami deb qarash mumkin. Bun­da har bir qo’shni emit­ter jufti baza qatlami bilan birgalikda zararli n—p —n — turdagi tranzistorni hosil qiladi. Agar emitterlardan biriga to’g’ri, ikkinchisiga teskari kuchlanish ulansa, to’g’ri kuchlanish ulangan emitterdan baza qatlamiga elektronlar kiritila boshlaydi, teskari ulanishli emitter esa, ulardan baza qatlamida rekombinatsiyalanib ulgurmaganlarini qabul qiladi. Natijada yopiq turishi zarur bo’lgan qatlamdan tok o’ta boshlaydi. Bu zararli effekt hisoblanadi. Bundan qutulish uchun emitterlar orasidagi masofa katta (10— 15 mkm) qilib olinadi, chunki baza qatlamiga o’tgan elektronlar kavak­lar bilan to’la rekombinatsiyalanib ulgurishi ke­rak.Ko’p kollektorli tranzistorlarning tarkibiy qismi ko’p emitterli tranzistorlarnikiga o’xshash bo’ladi. Lekin ishlash rejimi farq qiladi. Unipolyar tranzistorlar ham bipolyar tranzistorlarni yasash texnologiyasi asosida yaratiladi. Lekin ularni yasash osonroq, chunki elementlarni himoya qilish talab qilinmaydi va to’plamdagi qo’shni tranzistorlar­ning istok va stoklari qarama-qarshi yo’nalishda ulangan — o’tishlar bilan bir-biridan ajratilgan bo’ladi. Natijada tranzistorlarni o’zaro juda yaqin masofada joylashtirib, sxema elementlari zichligini oshirish imkoni tug’iladi. Unipolyar tranzistorlardan eng ko’p tarqalgani MOP turdagi tranzistorlardir. Bunga sabab ularning kirish qarshiligi katta va tuzilishining soddaligidir. Ayrim IMSda n yoki p— turdagi kanalga ega MOP tranzistorlar jufti keng ishlatiladi. Bunday juft tranzistorlar komplementar tranzistor deb ataladi va elektrod kalit vazifasida ishlatiladi. Ular juda kichik toklarda ishlaydi va o’ta tezkor qurilma hisoblanadi. Diodlar. Odatda diod qilish uchun bitta p—n o’tish yasash yetarli bo’ladi. Lekin IMSlarda tranzistor tarkibi asos qilib olingani uchun u binolyar tranzistorning o’tishlari orqali yaratiladi.Bipolyar tranzistordan diod qilishning 5 xil turi mavjud (3-rasm). Ular bir-biridan parametrlari bilan farq qiladi. Masalan, 3-rasmdagi a — ulanishda diodning ochiq holatdan yoniq holatga o’tish vaqti yetarlicha qisqa bo’lsa, b — ulanishda u katta bo’ladi. Bundan tashqari, bu ulanish turlarining sig’rimi eng kichikdir. Rezistorlar. IMSda rezistorlar bipolyar tranzistorning baza, kollektor yoki emitter qatlamlari tarkibida yuzaga keladi.