Aksiyadorlik jamiyati toshkent temir yo‘l muhandislari instituti «Temir yo’l transportida axborot tizimlari» kafedrasi “Raqamli texnika va mikroprotsessorlar”

Qo’shimcha adabiyotlar.

1.www.Intel.cov

2.www.IBM.com

3.http// tashiit.uz.uch2.uz

4.Белоусов А.И., Емельянов В.А., Турцевич А.С. Основы схемотехники микроэлектронных устройств. – М.: Техносфера, 2012.


8.2. DIOD-TRANZISTOR MANTIQIY VA TRANZISTORLI-TRANZISTOR MANTIQIY ELEMENTLARNING TURLI XIL KO’RINISHLARI
REJA

8.2.1. Diod-tranzistor mantiqiy elementlarning sxemasi.

8.2.2. Tranzistor-tranzistor mantiqiy elementlarning sxemasi.

Tayanch suz va iboralar:diodli kalit,tramzistorli kalit,haqiqiy jadval, mantiqiy sxema, VA mantiq sxemasi, Yo’q mantiq sxemasi,algebraic tenglama.

8.2.1.Diod-tranzistorli mantiq sxemalari

Diod- tranzistorli mantiqiy elementlar (DTM) quyidagi afzalliklarga ega: sxemalarning soddaligi, funksional imkoniyatlarning kengayishini moslashuvchanligi (mantajli YOKIga chiqishlarning birlashishi, tashqi diodlarning ulanishi bilan kiritish joylarini ko’paytirish va h.)

DTL elementlarida VA, YOKI, VA-YOKI vazifalari dizyunktorlar va dioddagi konyunktatorlar orqali amalga oshiriladi, vazifalari tranzistorlar sxemalari orqali bajarilmaydi. Shu yordamida VA-EMAS, YOKI-EMAS, VA-YOKI-EMAS va hokazolar bajariladi.

8.8– rasm. VA-EMAS DTL sxemasi

Ikki kirishli diod-tranzistorli 2VA-EMAS sxemani ko’rib chiqamiz

8.9 - rasm. Ikki kirishli diod-tranzistorli 2VA-EMAS sxemi

Bu sxemalarda ikkita ketma-ket yoqilgan funksional qismlar mavjud: birinchisida x₁va x₂ kirish signallari diodli elementga yuboriladi (diodlar VD₁ va VD₂), u VA operatsiyasini bajaradi; ikkinchi qismi VT₁ tranzistorida bajariladi va inventorni tashkil qiladi. Shu orqali sxemada alohida mantiqiy VA va EMAS operatsiyalari bajariladi, bundan kelib chiqib sxema mantiqiy 2VA — EMAS operatsiyasini bajaradi(2 soni ME dagi kirishlar sonini bildiradi). VD₃ va VD₄ diodlari sxemaning ikkita qismi orasidagi bog’lovchi ro’lini bajarishadi va to’siqliklarga chidamliligini oshiradi.

Agar x_1­­ yoki x₂ kirishlaridan biriga U_x=0 signali berilsa, unda diodlarning biri ochiq bo’ladi va sxemada +E_H manbasidan R₁ rezistori va ochiq diod orqali tok oqa boshlaydi. Bu holatda A nuqtada U~0.7 V potensiali o’rnatiladi, bu ketma ket ulangan VD₃ va VD₄ diodlarini ochish uchun kamlik qiladi. Natijada VT₁ tranzistori yopiladi va sxemaning chiqishida mantiqiy birlikga tegishli U_chiq ~ +E_p kuchlanish o’rnatiladi. Sxema bu holatda, x₁ va x₂ kirishlariga U_kir (mantiqiy birlik) yuqori darajali signali kelmaguncha vaqtinchalik to’xtaydi.

Bu holatda VD₁ va VD₂ diodlari yopiladi, A nuqtadagi potensial VD₃ vaVD₄ diodlarni ochishga yetarli ko’payadi va zanjirda E manbasidan R rezistori VD₃ va VD₄ diodlari orqali VT₁ tranzistori bazasiga tok boradi. Natijada VT₁ tranzistori ochiladi, va sxema chiqishida past kuchlanishga ega bo’ladi U_chiq = U_x ~0.1 V (mantiqiy nul), shunday qilib DTM sxemada VA- EMAS operatsiyasi bajariladi. R₃ rezistori berilgan sxemada VT₁ tranzistorining bazasida to’plangan zaryadni tarqatuvchi zanjirni yaratish uchun xizmat qiladi. Ayrim hollarda R₃ rezistorini yer bilan emas, manfiy kuchlanish manbasi Е ~ -2V bilan ulashadi, bu bazali zaryadni tezroq tarqalishini va signalning kechikish vaqti kamayishini taminlaydi.

Bu holatda VD₁ va VD₂ diodlari yopiladi, A nuqtadagi potensial VD₃ vaVD₄ diodlarni ochishga yetarli ko’payadi va zanjirda E manbasidan R rezistori VD₃ va VD₄ diodlari orqali VT₁ tranzistori bazasiga tok boradi. Natijada VT₁ tranzistori ochiladi, va sxema chiqishida past kuchlanishga ega bo’ladi U_chiq = U_x ~0.1 V (mantiqiy nul), shunday qilib DTM sxemada VA- EMAS operatsiyasi bajariladi. R₃ rezistori berilgan sxemada VT₁ tranzistorining bazasida to’plangan zaryadni tarqatuvchi zanjirni yaratish uchun xizmat qiladi. Ayrim hollarda R₃ rezistorini yer bilan emas, manfiy kuchlanish manbasi Е ~ -2V bilan ulashadi, bu bazali zaryadni tezroq tarqalishini va signalning kechikish vaqti kamayishini taminlaydi.