Aksiyadorlik jamiyati toshkent temir yo‘l muhandislari instituti «Temir yo’l transportida axborot tizimlari» kafedrasi “Raqamli texnika va mikroprotsessorlar”

8.2.2.Tranzistor-tranzistorli mantiq sxemasi
TTM ning bazali elementida (8.10-rasm) VD₁ va VD₂ diodlarining funksiyalarini ko’p emmiterli tranzistorning emitterlari bajaradi, VD₃ va VD₄ diodlarining roli esa – uning kollektorli o’tishi. Bundan kelib chiqib, DTM sxemasi qanday mantiqiy operatsiyani bajarsa, TTM sxemasi ham xuddi shuni bajaradi, yani VA- EMAS. agar x₁ yoki х₂ kirishlarida и_kir = 0 (mantiqiy nul) bo’lgan past darajali signal ishlasa, unda zanjirda +E oziqlanish manbasidan R₁ rezistori va tegishli ochiq emitterli o’tish orqali tok oqib o’tadi.

8.10 – rasm. TTM sxemasi

VT1 tranzistorining bazasining potensiali taxminan 0,7V ga teng bo’ladi. Ushbu patonsial VT1 tranzistorining kollektorli o’tishi va VT2 tranzistorining emiterli o’tishi orasida taxminan teng taqsimlanadi. Shuning uchun U_b-e2 kuchlanish VT2 tranzistorini ochish uchun yetarli emas, va shunga sxemaning chiqishida kuchlanishning U_chiq = +Е_и (mantiqiy bir) baland darajasi belgilanadi.

Agar x₁ и х₂ kirishlarida U_kir (mantiqiy bir) signalining yuqori darajasi ishlasa, unda VT₁ tranzistorining o’tishlari yopiq bo’ladi, tok +E manbasidan R_u rezistori VT₁ kollektorli o’tish va VT₂ emmiterli o’tish orqali o’tadi. VT₂ tranzistori bazasining potensiali U_b-e2 ~ 0,7 V ga, potensial U₃~ 1,4V ga teng bo’ladi. VT₂ tranzistori ochiladi, va sxemaning chiqishida U_chiq ~ 0,1 V ga teng bo’lgan past kuchlanish o’rnatiladi.