Академия наук республики узбекистан

 
Объектами исследования
являются кристаллы кремния, кремний
-
органические
соединения (три
- 
и тетраэтоксисиланы), соединения кремния с 
водородом (силаны), эпитаксиальные, тонкопленочные и многослойные 
структуры на основе кремния и др. 
Предметами исследования
являются физико
-
химические процессы 
синтеза органических и гидридных соединений кремния, роста кристаллов, 
эпитаксиального роста, а также ионно
-
стимулированные процессы 
формирования слоев и покрытий.
 Методы исследования
– 
в диссертационной работе применены 
методы сканирующей электронной и сканирующей туннельной микрос
-
копии, Рамановской и инфракрасной Фурье
-
спектрометрии, газовой хромато
-
масс
-
спектрометрии и масс
-
спектрометрии с индуктивно
-
связанной плазмой.
 
Научная новизна исследования
:
разработана технология синтеза алкоксисиланов на основе прямой 
реакции металлургического кремния и этилового спирта, которая отличается 
высокой селективностью по основному продукту (выше 95%) и высокой 
степени конверсии (близко к 100%);
впервые достигнуто полное исключение индукционного периода 
реакции взаимодействия металлургического кремния и этилового спирта, что 
позволило ведение технологического процесса в непрерывном режиме;
предложен и реализован способ непрерывной активации реакционной 
среды при синтезе алкоксисиланов и
исключение
накопленыя вредных
примесей, которые могут выступить катализаторами побочных реакций;
 
54 

---

разработана бесхлорная моносилановая технология получения 
поликристаллического кремния с применением алкоксисиланов; 
показана возможность достижения высокой степени чистоты 
моносилана при однократной дистилляции благодаря исключению
агрессивных прекурсоров и полупродуктов реакций в процессе синтеза;
предложен новый способ приготовления катализатора для 
каталитического диспропорционирования триэтоксисилана, позволяющий 
проводить процесс синтеза моносилана при комнатной температуре в 
непрерывном режиме; 
разработана и создана экспериментальная установка для получения 
поликристаллического кремния на основе моносилановой технологии;
предложены способ разделения
и контроля потока заряженных частиц 
и устройство для его осуществления, позволяющие использовать ионы, 
генерированные при
электронно
-
лучевом испарении,
для контроля и 
управления процессов на ростовой поверхности;
достигнуто повышение уровня легирования до 10
19
см
-3
путем ионно
-
стимулированного встраивания атомов сурьмы в кристаллическую решетку 
кремния во время роста;
предложен метод ионно
-
стимулированной
релаксации
напряжения в 
гетероструктурах
во время роста и экспериментально доказана возможность 
управления степенью релаксации напряжений в гетероструктурах;
установлено, что при формировании наноостровков германия на 
поверхности кремния методом ионно
-
стимулированной молекулярно
-
лучевой эпитаксии
максимальное увеличение плотности и сужение функции 
распределения по размерам достигается при энергии ионов 200эВ;
обнаружено 
проявление 
при 
температурах 
выше 
500К 
тепловольтаических
свойств кремниевых
плёночных
p-n
структур, 
полученных
ионно
-
стимулированным вакуумным осаждением;
предложен метод создания
промежуточных слоев с химическим 
сродством и градиентным переходом для корректировки теплобарьерных 
покрытий ионно
-
стимулированным методом
.