Жадвал 2. Кўпқатламли пакетнинг кимёвий таркиби ва кўндаланг кесими тасвири
EDS-
Measuring on Cross
-
Section of Sample, 25kV
ZrO
2
-Al
2
O
3
-Al-
Si
-Ni
Atom-%
EDX-
Points
№
Al
Ti
Cr
Fe
Co
Ni
Mo
Si
O
Zr
∑
1 3,49
0,00
0,00
-
0,13
-
6,52 59,86 30,0
2 47,80
-
0,08
0,07
-
0,18
-
1,22 48,52 2,12 100,0
3 52,25
-
0,03
0,13
-
0,12
-
1,78 45,33 0,37 100,0
4 14,33
-
-
-
-
0,26
-
68,29 17,11
-
100,0
5 67,10 0,05
8,07
0,52
5,29 17,28 1,69
-
-
-
100,0
6 2,17
0,37 25,97 1,21 11,48 53,65 5,15
-
-
-
100,0
Градиентлашган Ti
ва
Al
ва
Si
-
Si
-
(Al)
композит қопламларини олиш
учун
ион
-
стимуллашган
EB
PVD
усули қўлланилди.
Белгиланган хоссага эга бўлган кўпқатламли структуралар таклик
температураси, ионлар энергияси ва ионлар оқими зичлиги каби жараённинг
бошқариладиган параметрлари орқали ҳосил қилинди.
(2
-
жадвал).
44
Ni, Ti, Al, Si унсурларнинг ўзаро диффузияси натижасида оралиқ
қатламлар
(мослашув материали)
ва никель асосидаги таглик ўртасида
яхшиланган диффузияга эришилди.
Металл
-
керамика кўпқатламли қомламаларини ион стимуллашган усул
орқали бир циклда амалга ошириш имконияти тажрибада тасдиқланди.
ZrO
2
/AlO
2
дан иборат устки керамик қатламларни электрон нурли
буғлатгичли физикавий буғдан ўстириш қурилмасида ўтиш қатламлари
орқали шакллантириш натижасида олинган кўп қатламли структура
иссиқликдан ҳимояловчи хусусиятларни ўзида намоён этди. Бу эса нисбатан
анча арзон ва кенг тарқалган материаллар асосида самарали иссиқлик
барьери структураларини ионли стимуллашган усул ёрдамида яратиш
имкониятини беради.
ХУЛОСА
«Поликристалл кремний олишнинг моносиланли технологияси ва
кремний структураларини яратишнинг ионли стимуллашган усуллари»
мавзусидаги докторлик диссертацияси бўйича олиб борилган тадқиқотлар
натижасида қўйидаги хулосалар тақдим этилди:
1. Металлургик кремний
билан спиртларнинг бевосита реакцияси
орқали алкоксисиланлар синтезига асосланган поликристалл кремний
олишнинг моносиланли технологияси ишлаб чиқилган ва уни амалга
ошириш учун технологик қурилма таклиф этилган
.
2.
Илк бор кремнийни 30 дан 100 мкмгача майдалаш
жараёни
алкоксисиланлар
синтезида эритувчи сифатида қўлланилувчи суюқлик
муҳитида ўтқазилиши орқали янги ҳосил бўлаётган сиртларни
ташқи муҳит,
айниқса кислород ва ҳаво намлиги таъсиридан ҳимояланган ва бунинг
натижасида металлургик кремний ва спиртнинг бевосита реакциясининг
индукцион даври йўқотилган, ҳамда алкоксисиланлар синтези жараёнида
сувнинг таъсирида ёндош реакциялар юз бермаслиги таъминланган.
3. Металлургик кремний заррачалари, катализатор кукунини ва
эритувчи суюқликдан иборат суспензия
белгиланган миқдорда узлуксиз
равишда реакторга узатиш орқали
реакция жараёнида сарфланаётган
кремний ўрни доим тўлатиб бориш усули таклиф қилинган
ва реакциянинг
бир
маромда амалга ошиши кўрсатилган
.
4. Реакторга металлургик кремний орқали тушган хар хил
нокерак
киришмалар реактордан эритувчи суюқлик билан бирга олиб
чиқиш орқали
эритувчи суюқлик миқдори
ва реакцион массанинг фаоллаштириш усули
таклиф қилинган, бунда
реактордан эритувчи суюқликнинг ортиқча
миқдорини
олиб чиқиш реактор деворига ўрнатилган махсус сопол
мембраналар орқали узлуксиз амалга оширилган
.
5. Эритувчи суюқлик муҳитида кремнийни майдалаш, суспензиянинг
белгиланган миқдорини
узлуксиз равишда реакторга узатиш ва
реактордан
ортиқча эритувчи суюқликни
унда эриган нокерак киришмалар билан
биргаликда
олиб чиқиш каби техник ечимларни бирвақтда амалга ошириш
45
эвазига реакцион муҳитда кремний, катализатор ва эритувчи миқдорини
алкоксисиланлар синтезининг бутун жараёни даврида бир текис ўзгармас
ҳолда ушлаш имкони яратилган ва илк бор алкоксисиланлар синтези
жараёнини бутунлай узлуксиз режимда олиб боришга имкон яратилган
.
6
.
Тетраэтоксисилан ичида ташқи муҳит билан контактсиз равишда
натрий этилати тайёрлаш усули таклиф қилинган
ва
моносилан синтези учун
катализатор сифатида янги тайёрланган натрий этилатидан фойдаланилганда
реагентлар контакт вақти кескин камайиши туфайли технологик жараённинг
унумдорлигини 5 баробар оширишга эришиш мумкинлиги аниқланди
.
7.
Илк бор моносилан абсорберда 133К
ҳароратгача совутилган
триэтоксисиланда тозалаб, адсорбернинг юқори қисмида ўрнатилган фаза
ажратгичда 193К
ҳароратда қайта ажратиб олиш усули таклиф қилинган
ва
қисқа технологик жараёнда моносиланнинг юқори даражада тозалаш имкони
яратилган.
8.
Ўсиш
сиртидаги жараёнларни назорат қилиш ва бошқаришда
электрон
нурли буғлатишда ҳосил қилинган ионлардан фойдаланиш
имконини берувчи зараядланган зарралар оқимини ажратиш ва ўлчаш усули
ва буни амалга оширувчи қурилма ишлаб чиқилган
.
9. Дельта легирланиб ўсиш
вақтида кремний кристалл панжарасида
сурьма атомларининг
ионли стимуллашган жойлаштириш эвазига легирлаш
даражасини
10
19
см
-3
гача оширилишига эришилган.
10. Ионлар билан стимуллашган молекуляр нурли эпитаксия усулида
шакллантирилаётган кремний
-
германий гетероструктураларидаги механик
зўриқишлар
релаксацияси
даражасини мақсадли бошқариш имконияти
тажрибада тасдиқланган
.
11. Ионлар билан
стимуллашган молекуляр нурли эпитаксия усулида
кремний сиртидаги
шакллантирилган германий нанооролчаларининг
зичлигининг
максимал ошириши ва уларнинг катталиги бўйича тақсимоти
функциясини
торайиши
ионлар энергияси 200эВ бўлганда эришилиши
аниқланган.
12. Вакуумда ионли стимуллашган усулда
олинган кремнийнинг
қатламли
p-n
структураларнинг 500К ҳароратдан бошлаб термовольтаик
хоссаларни намойиш қилиши аниқланган;
13. Ионлар билан
стимуллашган буғдан физик ўстириш усулида
иссиқлик барьер қатламларини тагликка мослаштирувчи кимёвий яқинликли
ва градиент ўтишли оралиқ
қатламлари шакллантириш таклиф қилинган.
46
Do'stlaringiz bilan baham: |