Академия наук республики узбекистан

2.13
-
расм. Никель қотишмаси асосидаги 
таглик устида Cr қатламининг SEM 
тасвири (а) силжиш потенциалисиз,
I
ems = 
40 мА; (б) силжиш потенциали 800 В, 
I
ems 
= 60 мА; (с) силжиш потенциали 800 В, 
I
ems = 100 мА. 
2.13-
расмда
Cr қоплама микро
-
структурасини, қоплама структурасини 
хосил қилувчи ионлар тезлашуви 
орқали назорат қилиш мумкинлигини 
кўриш мумкин. 
2.13a-
расмда Cr
қопламлари силжиш потенциалисиз 
кўрсатилган, 
I
ems
 
= 
40 
мА. 
Донадорликлар йирик ва алоҳида
. 
2.13b-
расм: силжиш потенциали
800 В, 
I
ems 
= 60 мА. Донадорлик кичик 
ўлчамларга эга ва қисман бирлашган. 
2.13c-
расм: силжиш потенциали
800 В, 
I
ems = 100 
мА. Донадорликлар 
бирлашган ва баланроқ.
2.13c-
расмда 
устунли структурани кўриш мумкин. 
Маълумки,
устунли микроструктуралар 
юқори 
температураларда 
қўл
-
ланилганда 
қоплам 
ва 
таглик 
оралиғидаги деформацияга чидамлилик 
42 

---

каби афзаллиги намоён бўлади. 
Иссиқликдан химоявий қатламлар (TBC) учун EB
-
PVD
жараёнида ион
-
стимуллашган усул орқали градиентланган
TBC оралиқ қатламларини 
шакллантириш
технологияси
яратилди. 
Ионли стимуллашган EB
-
PVD усулида бир циклда ўтказувчи қатлам, 
боғловчи қатлам, оксидланиш ва коррозияга қарши қатлам, функционал 
устки қатламларлардан ташкил топган иссиқликдан ҳимоявий қатлам (TBC)
ҳосил қилиниши ўрганилди.
Ушбу кўп қатламли пакетни материал адаптер сифатида фойдаланган 
ҳолда ўтиш қатламлари ва устки функционал керамик қатлам орасида 
кимёвий яқинлик ҳосил қилиш таклиф қилинди ва тажрибада исботланди.
Таклиф қилинаётган қўп қатламли структура қўйидаги мезонларга 
асосланган: 
• Хар бир қатлам ўз таркибида қўшни қатлам билан умумий бўлган кимёвий 
элементга эга.
• Ушбу кимёвий яқинлик қатламлар орасида кимёвий мутаносибликни 
яратиш имконини беради.
• Қатламлар орасида градиентлашган композит ўтиш механик 
мутаносибликни таъминлайди.
• Қатламларни ўстиришни активлаштириш учун тезлашган ионлардан 
фойдаланиш керакли морфологияга эришиш ва адгезияни яхшилаш 
имконини беради.