7-ma’ruza: bipolyar tranzistorlarning ishlash prinsipi. Zonaviy diagrammalar. Baza, emitter va kollektor toklarini hisoblash. Emitter va kollektor o‘tishlarning effektivligi. Tok bo‘yicha kuchayish koeffitsienti

3.7-rasm. Tranzistor bazasida kovaklar konsentratsiyasining taqsimoti
Emitter o‘tishda to‘g‘ri kuchlanish mavjud bo‘lganda, kollektor o‘tishda kuchlanish bo‘lmaganda ham, kollektor orqali tok o‘tadi. Bu hol kollektor toklari o‘rtasidagi muvozanatning buzilishi tufayli yuz beradi. Emitterdan purkalgan kovaklar tufayli paydo bo‘ladigan va bazadan kollektorga tomon yo‘nalgan kollektorning kovakli toki kollektordan bazaga yo‘nalgan qarama-qarshi yo‘nalgan oqim tufayli yuzaga keladigan kovaklar tokiga nisbatan ko‘p. Bazadan kollektorga o‘tayotgan ortiqcha kovaklar oqimini kompensatsiyalash va kollektor toklari muvozanatini olish uchun,kollektorga uncha kata bo‘lmagan kuchlanish qo‘yish zarur. Tranzistor umumiy emitter bilan ulangan sxemada kirish toki baza toki,chiqish toki esa kollektor toki hisoblanadi. Shu sababli, kirish voltamper xarakteristikalari turkumi bu emitter toki (I_e) ning, kollektor va baza orasidagi kuchlanish doimiy bo‘lganda (U_kconst) dagi emitter va baza orasiga qo‘yilgan kuchlanishga bog‘liqligidir. Chiqish xarakteristikalari to‘plami esa berilgan baza tokida (I_bconst) kollektor toki (I_k) va kollektor bilan baza o‘rtasidagi kuchlanish o‘rtasidagi bog‘lanishdir. Kollektordagi kuchlanishning ortishi (U_k) baza sohasi kengligining kamayishi va shu sababli bazada mavjud bo‘lgan kovaklar umumiy sonining kamayishiga olib keladi. Baza sohasida kovaklarning kamayishi, birlik vaqt ichida kovak va elektronlar rekombinatsiyasining kamayishiga olib keladi. Baza tokini tashkil etuvchi elektronlar, rekombinatsiya uchun baza kirish klemmasi orqali kirganligi sababli, baza toki kamayadi. Bu o‘z navbatida xarakteristika (tavsifni o‘ngga siljishiga, ya’ni baza-emitter o‘tishdagi berilgan kuchlanish qiymatida baza toki kattaligining kamayishiga olib keladi. Agar baza-emitter o‘tishida kuchlanish nolga teng (U_b0) va baza-kollektor o‘tishga teskari kuchlanish (U_k>0) qo‘yilgan bo‘lsa,u holda tranzistorning bazasohasida kovaklar konsentratsiyasi muvozanat holatidagidan kam,ya’ni kovaklarning bir qismi kollektor kuchlanishi ta’sirida kollektor sohasiga ketib qoladi. Shu sababli, baza sohasida isiqlik generatsiyasi jarayoni rekombinatsiya jarayonidan ko‘proq bo‘ladi. Generatsiyalangan elektronlar baza sohasidan baza kirish klemmasi orqali ketib qoladi va bu baza tokining kamayishiga olib keladi.

Umumiy baza (3.6-rasm) va umumiy emitter (3.8-rasm) sxemalari bo‘yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristika (tavsif)larini solishtirish natijasida ko‘rinadiki, umumiy emitter sxemasida ulangan holda chiqish xarakteristikalari (tavsiflari) katta qiyalikka ega bo‘lib, bu chiqish qarshiligining kamayishini ko‘rsatadi.3.9-rasmda misol tariqasida KT364B tranzistorning kirish va chiqish xarakteristika (tavsif)lari keltirilgan.