6-mavzu. O‘tishning teshilishi. Teshilish turlari. Stablitronlar. Tunelli diodlar

2.32-rasm. Diodning maksimal tunnel tokining kirishmalar effektiv konsentratsiyasiga bog‘liqligi

2.32-rasmda germaniyli tunnel diodlarda maksimal tunnel tokining p va n sohalardagi kirishmalarning effektiv konsentratsiyaga bog‘liqligi ko‘rsatilgan. Rasmdan ko‘rinib turibdiki, kirishmalar konsentratsiyasi qanchalik katta bo‘lsa, tunnel tokining maksimal qiymati shunchalik katta bo‘ladi. Tunnel diodning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi: I_m-maksimal tunnel toki, I_mI_v-diod maksimal tunnel tokining uning minimal tunnel tokiga nisbati, U_m–maksimal tunnel tokiga mos keluvchi kuchlanish, U_v–diodning minimal tokiga mos keluvchi kuchlanish, Ye–diod sig‘imi. Maksimal tokning minimal tokka nisbatining kattaligi birinchi navbatda diod tayyorlangan material bilan aniqlanadi. Ge uchun bu kattalik 4 ga, Si uchun 8 ga, GaAs va GaSb uchun 12 ga teng. Diodning har ikkala sohasida konsentratsiyaning ortishi bilan barcha materiallar uchun toklar nisbati kattaligi ortadi. Diodning sig‘imi ishlatilgan material turi va p-n o‘tish yuzasi bilan aniqlanadi. Yuqori chastotali tunnel diodlari (1-2 GGs chastotalardan yuqori chastotalarda ishlaydigan diodlar) o‘tish yuzasi odatda 6-8 mkm ni tashkil qiladi. Misol tariqasida, 3I301G tipdagi tunnel diodning voltamper xarakteristikasi (tavsifi) 2.33-rasmda keltirilgan. 2.34-rasmda sanoatda ishlab chiqariladigan ba’zi tunnel diodlarning tashqi ko‘rinishi keltirilgan.