Ў з б е к и с т о н р е с п у б л и к а с и Олий ва Ўрта махсус таълим вазирлиги Абу Райҳон Беруний номидаги

7.3. МНЭ усулида А^II В^VI, A^IV B^VI бирикмаларни ва уларнинг қаттиқ эритмаларини яратиш

МНЭ усулида А ^II В^VI, A^IV B^VIбирикмаларни ва уларнинг қаттиқ эритмаларини яратиш – амалий аҳамиятга эга бўлиши билан бир қаторда тор зонали квант ўрали ярим ўтказгичлар тизимларини олиш ҳамда уларнинг физик хоссаларини ўрганиш имкониятини яратиб бериш билан жуда аҳамиятли. Қуйида МНЭ усулида ушбу материалларни яратиш технологиясининг замонавий ҳолати ва ўсиш механизми тушунчаси кенг шарҳлаб берилади. Ўз сифати бўйича барча талабларни қондирувчи махсус ускуналарнинг таркибий қисми бўйича эпитаксиал плёнкаларни олишдаги охирги ютуқлар ёритилиб берилади, шунингдек ушбу соҳадаги мавжуд бўлган иш йўналишлари ва ўз ечимини топа олмаган муаммолар муҳокама этилади.

Ушбу бўлимда техник қўлланилиши нуқтаи назаридан муҳим бўлган ярим ўтказгичли бирикмаларнинг икки хил синфини яратиш учун молекуляр – нурли эпитаксия усулини қўллаш атрофлича кўриб чиқилади. Биринчи синф (А ^II В^VI бирикмалари) қуйидагиларни ўз ичига олган: IIВ ва VIA гуруҳи элементларидан ташкил топган материаллар ва қаттиқ эритмалар. Шу жумладан, Zn, Cd, Hg, S, Se, Te, турлича кўринишдаги тақиқланган зонали, юзаси руҳланган кристаллик панжарага эга бўлган ярим ўтказгичларни ўзида намоён этади. Иккинчи синф - A^IV B^VI бирикмалари – IVA ва VIA элементлари гуруҳи, шу жумладан қўрғошин ва мис халькогенидларидан яратилган қаттиқ эритмалар ва хом ашёлардан таркиб топгандир. Ушбу материаллар ва бир қанча ерда кам учрайдиган элементлар халькогенидлари, турли хил тақиқланган зона кенглигига эга бўлган тош тузи кристаллик панжарали ярим ўтказгичларни ўзида намоён этади. А ^II В^VI бирикмаларни ўрганишда ва яратишда МНЭ ва унга яқин бўлган технологик усулларни қўллаш, жадал ривожланувчи йўналишдан кетиш имконини беради.
Ҳозирги кунда тор зонали қаттиқ эритмаларни ярим ўтказгичлар Hg_1-Х – Cd_ХTe ларни олиш ва ўрганиш текширувнинг бош тармоғи деб ҳисобланади.
Қуйида МНЭ усулида олинган А^II В^VI, A^IV B^VI бирикмалари ва уларнинг қаттиқ эритмаларини ўрганишга ундовчи асосий сабаблар санаб ўтилади.
А. Асбобларда қўллаш.
1. Иссиқлик тасвирларини олиш ускуналари учун Hg_1-xCd_X.Te асосидаги фотодетекторлар. CdTe/ Hg_1-xCd_X.Te асосида гетероўтишли диодлар.
2. Ўзгарувчи инфрақизил нур манбалари учун А ^II В^VI бирикмалари асосидаги лазерлар.
3. Электролюминесцент ускуналар – ўзгарувчан ва ўзгармас токда ишловчи ZnS, ZnSe, ZnTe_1-XSe_X бирикмалари асосидаги панеллар.
4. А ^II В^VI : CdTe, CdS бирикмалари асосидаги қуёш элементлари.
Б. Тор зонали ярим ўтказгичлар физикаси.
1. а=Sn:a=Sn, HgTe, HgSe туридаги тирқишсиз ярим ўтказгичлар асосида икки ўлчамли ёнаки зонали квант ўралар тизими.
2. CdTe/InSb, Hg_1-XCd_XTe/CdTe, a=Sn/CdTe, a=Sn/InSb тизимида чегаравий қатламларда кучланишларни камайтириш учун панжаралар доимийсини мослаштириш.
3. HgTe – CdTe ўтапанжара. Инфрақизил нурланиш детектори сифатида қўлланилиши. Ушбу материалнинг ҳарорат таъсирига чидамсизлиги ва қаттиқ эритмаларнинг катта майдонда доимий юқори даражада бўлиш зарурияти, катта юзали тагликларни қўллаш имкониятини берувчи паст ҳароратда ишловчи ўстириш технологияларини ишлаб чиқишни талаб қилади. Шу нуқтаи назардан МНЭ жуда фойдали технологиядир. Бундан ташқари, МНЭ қурилмаларига киритилган юзани таҳлиллаш усуллари, in situ га контактлаш, ионли таъсир этиш ва пассивация – ускуналарини яратишнинг бош босқичини ўрганиш имкониятини яратиб беради. Ускуналарда қўллашдан ташқари ушбу технология ўзининг квант ўрали таркибларни яратиш имкониятини бера олиши билан ҳам ўта қизиқарлидир. Чунки уларни янги оптик ва электрик жиҳатга эга бўлган материалларнинг махсус синфи сифатида ҳам кўриб чиқиш мумкин.