Ў з б е к и с т о н р е с п у б л и к а с и Олий ва Ўрта махсус таълим вазирлиги Абу Райҳон Беруний номидаги

5.4. МНЭ ва ҚФЭ усулларининг афзалликлари ва камчиликлари

МНЭ усули ўтган асрнинг 70-йилларидан бошлаб йўлга қўйила бошлади. Бу вақтга келиб, юқори вакуум олиш (10^-8-10^-10 Па) ва юзаларни юқори даражада тозалаш (ионлар билан, лазерлар ёрдамида ) имкониятлари пайдо бўлди.

МНЭ усули жуда тоза ва юқори вакуум шароитида ўтказилиши туфайли олдинги усуллардан фарқ қилади. МНЭнинг ўзига хос хусусиятларга эга бўлишини таъминлаш учун бажарилиши керак бўлган вазифаларни яна бир бор санаб ўтамиз:
а) Жуда юқори тозаликдаги ва мукаммал тузилишдаги монокристаллардан фойдаланиш. Ўтказиладиган молекулаларнинг жуда юқори тозалигини таъминлаш. Булар ЎЮВ (10^-8Па дан юқори)да олиб борилади.
б) Нисбатан кичик ҳароратда ўта юпқа ва таркиби жиҳатдан кескин фарқ қиладиган плёнка ўстириш, бу диффузиянинг олдини олиш учун қилинади.
в) Қатламма-қатлам ўстириш ҳисобига силлиқ ва нуқсонсиз сиртларни ҳосил қилиш.
г) Молекулаларнинг тушишини керакли йўналишда бошқариш ва молекулаларнинг оқими тезлигини камайтириш ҳисобига қалинлигини назорат қилиб бўладиган юпқа плёнкалар олиш.
д) Мураккаб таркибли плёнкаларнинг қатламма-қатлам тизимларини ҳосил қилиш.
Бошқа (ҚФЭ, РЭ, ион-активация, ион имплантация) усулларга нисбатан, аввал қайд қилганимиздек, МНЭ усули қуйидаги асосий афзалликларга эга:

1. 
   асос ва атом (молекула) лар манбаларини юқори даражада тозалаш ва эксперементни жуда юқори вакуумда ўтказиш хисобига эпитаксия ҳароратни жуда пастга тушириш мумкин (500600К);
   
2. 
   ҳар хил турдаги (металл, ярим ўтказгич, диэлектрик) материалларни бир бирининг устига қатламма-қатлам керакли қалинликда ўтқазиш мумкин;
   
3. 
   бундай қатламларни (масалан: металл-диэлектрик-ярим ўтказгич, металл-оксид-ярим ўтказгич, ярим ўтказгич-диэлектрик-ярим ўтказгич ...) даврий равишда бир хил устма-уст ўтказиб бориш, яъни ҳажмий структуралар олиш мумкин;
   
4. 
   бундай ўстиришда битта турдаги қатлам иккинчи турдаги қатлам билан кескин чегара ҳосил қилиши мумкин;
   
5. 
   плёнкалар ҳосил қилиш жараёнида уни легирлаш учун легирловчи модданинг таркибини ва концентрациясини ўзгартириш йўли билан хусусияти ўзгариб борувчи тизимларни ҳосил қилиш мумкин.
   

Юқорида кўрсатилган афзалликлар туфайли МНЭ плёнкалар микроэлектрониканинг ривожланишида асосий роль ўйнаган бўлса, наноэлектрониканинг пайдо бўлишига сабаб бўлди.
Умуман юпқа эпитаксиал плёнкалар алоҳида, ўзига хос бўлган хусусиятларга эга бўлади. Бундай хусусиятларнинг пайдо бўлишида асоснинг таъсири ҳам, плёнка ўсиш давомида легирланиш даражаси ҳам, плёнкага тушган, ундан ўтаётган ва чиқаётган электронлар ва фотонларнинг таъсирлари ҳам массив плёнкалардан кўра фарқ қилишлари асосий роль ўйнайди.