Ў з б е к и с т о н р е с п у б л и к а с и Олий ва Ўрта махсус таълим вазирлиги Абу Райҳон Беруний номидаги

7.5-расм. Икки кристалли тебраниш эгри чизиқлари: 1–CdTe нинг массив намунаси учун, 2- CdTe юзасида 200⁰ С да ўстирилган 0,8 мкм калинликдаги CdTe плёнкаси учун, 3- CdTe плёнкаси Insb юзасида ўстирилган.
Паст ҳароратда яратилган эпитаксиал плёнка учун люминесценциянинг юқори интенсивлиги катта ютуқ ҳисобланади.
Нуқсонлар билан боғлиқ кенг полосаларга эга паст интенсив фотолюминесценция спектрлари кузатилган. Бу эса плёнкаларнинг ёмон структураси оқибати бўлиши мумкин. Бу эса ҳақиқатга яқин, маълумки, тагликларни қотириш учун индий кавшарини қўллаш кучланишга ва тагликлар ҳамда эпитаксиал қатламларнинг турли деформацияларига олиб келади.
7.6-расм. МНЭ усулида 150⁰С ўсиш ҳароратида (001) ориентациясида етиштирилган InSb тагликларидаги қалинлиги 1,5 мкм бўлган CdTe нинг 4 К қатламидаги фотолюминесценцияси спектри. Намуна МВL 31, NIT – NA=1,7 xx 10¹⁷ см^~3.

Углерод асосидаги суспензияларни қўллаш тагликларни қотириш муаммосини ечиши мумкин. CdTe ни МНЭ усулида InSb(111) устки қатламида етиштириш яхши натижа беради. Бироқ устки қатламни тозалаш учун, 230⁰С ҳароратдан анча катта бўлган ҳароратгача InSb тагликларини қиздиришдан фойдаланилади. Бунда InSb(111) устки қатламидан Sb нинг кўплаб буғланиб кетиши бошланади. Кўриниб турибдики, бу InSb устки қатламида In микроажралмаларнинг шаклланишига олиб келади. Бу эса плёнкаларнинг паст кристаллографик сифатининг сабаби бўлган, эҳтимол, бу ҳақида эса рентген дифракциялари қийшайишидаги картина осцилляциялари ёйлари далолат бериб турибди. Дарҳақиқат олинган CdTe плёнкалари, InSb тагликларида чўктирилган CdTe плёнкалари каби ярим изоляцияловчи бўлган. Муаллифнинг ҳамкорлар билан аниқланишича, ёмон кристаллографик сифатли CdTe плёнкалари (яъни кенг қийшиқ тебранмали) албатта ярим изоляцияловчи бўлиб чиқган. Бу эса, эҳтимол, зерен чегараларида қопқонлар ва бошқа нуқсонлар пайдо бўлиши натижасидир.