References k. Graff, Metal Impurities in Silicon-device Fabrication, 2nd ed. Springer, Berlin, 2001



Download 32.63 Kb.
bet1/12
Sana28.08.2021
Hajmi32.63 Kb.
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12

REFERENCES

  1. K. Graff, Metal Impurities in Silicon-device Fabrication, 2nd ed. (Springer, Berlin, 2001).

  2. Ammon, W.: Defects in Monocrystalline silicon. In: Kasap, S., Capper, P. (eds.) Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, Springer, New York (2007), pp. 101–120.

  3. Y. Yoshida, G. Langouche (eds.), Defects and Impurities in Silicon Materials, Lecture Notes in Physics 916, DOI 10.1007/978-4-431-55800-2_1, Springer, 2015, p. 18.

  4. Куликов Г.С., Юсупова Ш.А. Влияние марганца на диффузионное распределение никеля в кремнии. //ФТП, 1995,т.29,в.3,с.469-473.

  5. G.W. Ludwig, H.H. Woodbury: Solid State Phys. 13, 223(1962)

  6. H.H. Woodbury, G.W. Ludwig: Phys. Rev. 117, 102(1960)

  7. E. Weber, H.G. Riotte: Appl. Phys. Lett. 33, 433(1978)

  8. Kvande et al., J. Appl. Phys. 104, 064905, 2008

  9. T. Isobe, H. Nakashima and K. Hashimito. Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, No.7, July, 1989, pp.1282-1283.

  10. W. Wijaranakula and S. S. Kim. Precipitation of 3d transitionmetal silicides in Czochralski silicon crystals. Journal of Applied Physics 76, 6017 (1994); doi: 10.1063/1.358355

  11. J. Schmidt et.al. Journal of Applied Physics 102, 123701 (2007); doi: 10.1063/1.2822452

  12. К.П.Абдурахманов, Г.С. Куликов, А.А. Лебедев, Ш.Б. Утамурадова, Ш.А. Юсупова. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния, //ФТП, 1991, т.25, в.6, с. 1075-1078.

  13. Загребин Л.Д., Бузилов СВ. Измерение температуропроводности и тепло-проводности металлов вблизи точки плавления. //ПТЭ.- 2003. - № 1 - С153-157

  14. А.С. Асташенков, Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии. Доклады БГУИР, 8(38), 2008, с. 37-43

  15. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. Взаимодействие атомов кобальта с окисленной поверхностью Si(100)2×1. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 10. С.1901-1906

  16. Н.И. Медведева, Э.И. Юрьева, А.Л. Ивановский. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11. С.1281-1284

  17. Ch. Sun, A.Liu, Fiacre E. Rougieux,  D. Macdonald. Lifetime Spectroscopy and Hydrogenation of Chromium in n- and p-type Cz Silicon. Energy Procedia, Volume 77, August 2015, Pages 646-650

  18. H. Nakashima, Taizoh Sadoh, H. Kitagawa, K. Hashimoto. Diffusion and electrical properties of 3d transition-metal impurity series in silicon.
    Materials Science Forum, 1993 (Volumes 143-147). Pp. 761-766.

  19. Download 32.63 Kb.

    Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
maxsus ta’lim
O’zbekiston respublikasi
zbekiston respublikasi
axborot texnologiyalari
o’rta maxsus
guruh talabasi
nomidagi toshkent
davlat pedagogika
texnologiyalari universiteti
xorazmiy nomidagi
toshkent axborot
pedagogika instituti
haqida tushuncha
rivojlantirish vazirligi
toshkent davlat
Toshkent davlat
vazirligi toshkent
tashkil etish
matematika fakulteti
ta’limi vazirligi
samarqand davlat
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
bilan ishlash
pedagogika universiteti
vazirligi muhammad
fanining predmeti
Darsning maqsadi
o’rta ta’lim
navoiy nomidagi
haqida umumiy
Ishdan maqsad
moliya instituti
fizika matematika
nomidagi samarqand
sinflar uchun
fanlar fakulteti
Nizomiy nomidagi
maxsus ta'lim
Ўзбекистон республикаси
ta'lim vazirligi
universiteti fizika
umumiy o’rta
Referat mavzu
respublikasi axborot
таълим вазирлиги
Alisher navoiy
махсус таълим
Toshkent axborot
Buxoro davlat