Ўзбекскистон алоқа ва ахборотлаштириш агентстлиги

Nazorat savollari

1. Optoelektron asbob nima va ular qayerlarda ishlatilishini tushuntiring.

2. Fotodiod ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.

3. Yorug‘lik diodi ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.

4. Tranzistorli optronni ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikasini tushuntiring.

5. Diodli optronda signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqtini hisoblab toppish formulasini yozing.

Laboratoriya ishi №11

Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish

Ishdan maqsad: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

11.1. Laboratoriya ishini bajarish oldidan uing pasport ko‘rsatmalarini yozib oling.

11.2. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchashda 11.1-rasmda keltirilgan prinsipal sxemani yig‘ing, sxemani o‘lchashda qo‘llaniladigan o‘lchov asboblari bilan tanishib chiqing.

R1=10÷56kΩ, R2=1kΩ, VT-MP37B

11.1-rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash sxemasi

11.2-rasm. Yarimo‘tkazgichli stabilitronni VAX

o‘lchash sxemasining ULS bajarilish tartibi
11.1 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi

Uke =0V	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE (V)
Uke >0V	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE (V)

11.2 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi

IB= 25 mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA
IB=150 mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA
IB=200 mkA	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA

11.3. 11.1 va 11.2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni U_KE=const bo‘lganda, I_B=f(U_BE)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni I_B=const bo‘lganda, I_K=f(U_KE)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va va
h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11E va h_12E – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21E va h_22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan):

, <sub>bo‘lganda

bo‘lganda</sub>

, bo‘lganda

, bo‘lganda

Nazorat savollari:

1. BT UE ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.

2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.

3. Baza toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi?

4. UE sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to‘yinish sohalarini ko‘rsating.

5. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.

6. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?

7. Nima uchun UE sxemada ishlayotgan BT baza elektrodidagi kuchlanishni uning kollektoridagi kuchlanishdan avval uzish mumkin emas?

Laboratoriya ishi №12

Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish

Ishdan maqsad: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

12.1. Laboratoriya ishini bajarish oldidan uing pasport ko‘rsatmalarini yozib oling.

12.2. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchashda 12.1-rasmda keltirilgan prinsipal sxemani yig‘ing, sxemani o‘lchashda qo‘llaniladigan o‘lchov asboblari bilan tanishib chiqing.

Re=500÷1000 Ω, Rk=1000 Ω, VT-MP37B

12.1-rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash sxemasi

12.1 – jadval. UB ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi o‘lchash uchun

UKB= 0V	IE (mA)	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10	-12	-14
	UEB (V)
UKB >0 V	IE (mA)	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10	-12	-14
	UEB (V)

12.2 – jadval. UB ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi o‘lchash uchun

IE = - 4 mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	3,5	4	4,5	-	-	-	-	-	-	-
	UKB (V)
IE = - 8mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7	8	9	10	12	14	16
	UKB (V)
IE = - 12mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7	8	9	10	12	14	16
	UKB (V)

12.3. 12.1 va 12.2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni U_KB=const bo‘lganda, I_E=f(U_EB)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni I_E=const bo‘lganda, I_K=f(U_KB)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va
h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11B va h_12B – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21B va h_22B – chiqish xarakteristikalar oilasidan):

, <sub>bo‘lganda

bo‘lganda</sub>

, bo‘lganda

, bo‘lganda

Nazorat savollari

1. BT UB ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.

2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.

3. Baza toki tashkil etuvchilari nomin i ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.

4. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi ?

5. UB sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to‘yinish sohalarini ko‘rsating.

6. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.

7. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?

Laboratoriya ishi №13

Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalarini o‘lchash va tadqiq etish

Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va differensial parametrlarini o‘rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta’sirini tadqiq etish.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:

Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 13.1-rasmda keltirilgani kanali p- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi.

13.1-rasm

Stok toki zatvorga kuchlanish berish orqali boshqariladi, ya’ni boshqarilayotgan p-n o‘tishga teskari kuchlanish U_ZI>0 beriladi. U_ZI dagi berkitish kuchlanishi ortgan sari hajmiy zaryad sohasining kengligi ortib boradi. Natijada berilgan U_SI kuchlanish qiymatida kanal kengligi kichrayadi, uning qarshiligi R_K ortadi, demak stok bilan istok oralig‘idagi stok toki I_S kamayadi. 13.2- rasmda boshqarish xarakteristikasi I_C= f (U_ZI) keltirilgan.

13.2-rasm

Boshqaruvchi p-n o‘tishning hajmiy zaryad sohasi va asos bilan kanal orasidagi p-n o‘tish birikkandagi (stok toki I_C nolga teng bo‘ladigan) zatvor kuchlanishi qiymati bo‘sag‘aviy kuchlanish U _BO‘S deb ataladi.

To‘yinish rejimida ishlayotgan maydoniy tranzistor boshqaruv xarakteristikasini quyidagi bog‘liqlik bilan approksimatsiyalash qulay.

, (13.1)

bu yerda I_{C max} – maksimal stok toki zatvor – istok kuchlanishi nol U_ZI = 0 ga mos keluvchi boshlang‘ich stok toki.

Boshqaruv xarakteristikasidan (13.2- rasm) xarakteristika tikligi aniqlanishi mumkin.

.

(13.1) approksimatsiyadan foydalanilganda tiklik quyidagicha aniqlanadi:

, (13.2)

Maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasi 13.3 – rasmda keltirilgan. Xarakteristikaning boshlang‘ich sohasi (U_SISI.TO‘Y) chiziqli rejimga mos keladi. Bu rejimda kanal butun istok-stok oralig‘ida mavjud bo‘ladi, shuning uchun U_SI ortgan sari, chiziqli qonunga mos ravishda stok toki ham ortadi.

U_SISI.TO‘Y da tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tadi, bu sohada stok toki I_S stok kuchlanishi U_SI ga kuchli bog‘liq bo‘lmaydi. Ikki rejim chegarasi hisoblangan to‘yinish kuchlanishi U_SI.TO‘Y zatvordagi kuchlanish U_ZI ga bog‘liq bo‘ladi va quyidagi formuladan aniqlanadi: U_SI.TO‘Y =U_ZI–U_BO‘S.. Chiqish xarakteristikasidan (13.3 - rasm) chiqish qarshiligi aniqlanishi mumkin

13.3-rasm

Bu kattalik to‘yinish rejimida hisoblansa, katta qiymatga ega bo‘ladi, shuning uchun tranzistor kuchaytirgich sifatida ishlatilayotganda sxemaning sokinlik nuqtasi shu rejimda tanlanadi. Chiziqli rejimda tranzistor chiqish qarshiligi zatvordagi kuchlanish U_ZI ga bog‘liq va taxminan tanlangan ishchi nuqtada U_SI kuchlanishini I_S tokka nisbati ko‘rinishida yoki 13.3 – formuladan aniqlanishi mumkin.

, (13.3)

bu yerda .

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

2.1.7.4- rasmda keltirilgan sxema, o‘lchash asboblari o‘lchanadigan KP103 maydoniy tranzistor pasport ko‘rsatmalari bilan tanishib chiqing. (6-ilovaga qarang)

Sokol rasmini chizib oling va tadqiq etilayotgan tranzistorning chegaraviy parametrlari U_SI.ChYeG, I_S.ChYeG, P_ChYeG qiymatlarini yozib oling. 13.4 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing.

13.4-rasm

2.2. Stok kuchlanishining U_SI=1/3U_SI.ChYeG va 2/3U_SI.ChYeG qiymatlari uchun ikkita boshqaruv xarakteristikasini o‘lchang (U_SI.ChYeG qiymati pasport ko‘rsatmalaridan olinadi). O‘lchash natijalarini 13.1 – jadvalga kiriting va undan foydalanib boshqaruv xarakteristikasini quring. Tajribada U_ZI kuchlanish qiymatini 0 dan bo‘sag‘aviy kuchlanish U_BO‘S gacha o‘zgartiring.

2.3. Zatvordagi kuchlanishning uchta qiymatida (U_ZI=0; 0,25U_BO‘S; 0,5U_BO‘S) chiqish xarakteristikalar oilasi I_S=f(U_SI) ni o‘lchang.

Tajriba o‘tkazishdan avval I_S – U_SI koordinatalar tizimida tranzistorning ruxsat etilgan ishchi rejimi sohalarini belgilab oling. (13.4 - rasm)

13.1 – jadval

UZI, V	IS, mA
	USI=1/3USI ChYeG	USI=2/3USI ChYeG

Izoh: R_S.ChYeG chizig‘ini qurish uchun U_SI kuchlanishining 0 dan U_SI.ChYeG qiymatlari oralig‘ida ixtiyoriy bir nechta qiymatlari tanlanadi va shu nuqtalarda stok toki I_S=P_{S ChYeG}/U_SI hisoblanadi.

13.4-rasm

Tajribada olingan nuqtalarni 13.2 – jadvalga kiriting va tayyorlangan grafikda ularni belgilang (13.4 - rasm). Bunda tranzistor uchun ishlash ruxsat etilgan sohadan chiqib ketmaslikka e’tibor bering.

13.2 – jadval

USI, V	IS, mA
	UZI=0	UZI=0,25UBO‘S	UZI=0,5UBO‘S

2.4. Tranzistor stok tokiga temperatuning ta’sirini tadqiq etish. Tadqiq etilayotgan tranzistorni termostatga joylashtiring va tegishli temperatura qiymatini o‘rnating, stok kuchlanishning U_SI=1/3U_SI.ChYeG qiymatida va T=40 ⁰S va 80 ⁰S temperaturalarda ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni o‘lchang.

O‘lchash natijalarini 13.3 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib T=40 ⁰S va 80 ⁰S temperaturalardagi ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni quring.

13.3 - jadval

UZI, V	IS, mA
	T=40 ^0S	T=80^0S

3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.

3.1. 2.2. bandda o‘lchangan boshqaruv xarakteriskalarini 13.1 – ifoda yordamida approksimatsiyalang. Approksimatsiya natijalarini qurilgan I_S=f(U_ZI) grafigida aks ettiring.

3.2. Boshqaruv xarakteristikalaridan foydalanib, tranzistor tikligini

U_SI=1/3U_SI.ChYeG ishchi nuqtada aniqlang



S qiymatini xuddi shu nuqta uchun 13.2 – formula yordamida ham aniqlang.

3.3. 2.3 – bandda o‘lchangan chiqish xarakteristikalar oilasida U_{SI TO‘Y}=U_ZI – U_BO‘S oraliqqa mos keluvchi, chiziqli rejim bilan to‘yinish rejimi orasidagi chegarani ko‘rsating.

3.4. Chiqish xarakteristikalar oilasidan foydalanib, quyidagi ishchi nuqtalar uchun tranzistor chiqish qarshiligini aniqlang:

- to‘yinish rejimida (U_SI=1/3U_{SI ChYeG}, U_ZI=0,25 U_ChYeG);

- chiziqli rejimda U_SI=0 va zatvor kuchlanishining uchta qiymatida (U_ZI=0; 0,25U_BO‘S; 0,5U_BO‘S).

Hisoblashlar natijalarini 13.4 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib chiziqli rejim uchun r_ChIQ ning U_ZI ga bog‘liqlik grafigini quring.

13.4 – jadval

UZI,V	RChIQ, kOm
	USI=1/3USI ChYeG	USI=0
UZI=0
UZI=0,25UChYeG
UZI=0,5UChYeG

3.5. 2.4 – bandda o‘lchangan boshqaruv xarakteristikalarida, turli temperaturalarda o‘lchangan boshqaruv xarakteristikalari kesishadigan termo barqaror nuqtaning I_ST va U_ZIT koordinatalarini aniqlang.

4. Hisobot mazmuni.

1) tadqiq etilayotgan tranzistor pasport ko‘rsatmalari;

2) o‘lchash sxemasi;

3) o‘lchangan bog‘liqliklar jadval va grafiklari;

4) boshqaruv xarakteristikasining approksimatsiya, hisoblangan tranzistor xarakteristikasining tikligi S va chiqish xarakteristikalari r_ChIQ natijalari.

Laboratoriya ishi №14

Kanali induksiyalangan MDYa tranzistor xarakteristikalarini o‘lchash va tadqiq etish

Ishning maqsadi: MDYa tranzistorlarni statik rejimda ishlash xossalarini o‘rganish.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:

Bu ishni bajarishda stok toki zanjiridagi qarshilik qiymatining uzatish xarakteristikasi ko‘rinishiga ta’sirini o‘rganib chiqing. Kvazi chiziqli yuklama sifatida turli maydoniy tranzistorlar qo‘llanilganda uzatish xarakteriskalar turlicha bo‘lishiga ahamiyat bering.

Mantiqiy signallar sathlarini aniqlashda kalitning uzatish xarakteristikasi U_ChIQ=f(U_KIR) dan foydalanilishiga e’tibor bering. (14.1- rasm)

14.1-rasm

Mantiqiy nol U⁰ hamda mantiqiy bir U¹ sathlar uzatish xarakteristikasi va uning ko‘zguli aksi (punktir chiziq) kesishgan nuqtalardan aniqlanadi.

_ΛU = U¹ – U⁰ mantiqiy signallarning sathlar farqi deb ataladi.

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

2.1. MDYa tranzistorda yasalgan kalit uzatish xarakteristikasiga yuklama qarshiligining ta’sirini U_ChIQ=f(U_KIR) tadqiq etish.

n-turdagi kanali induksiyalangan MDYa tranzistorda bajarilgan kalit sxemasi 14.2- rasmda keltirilgan. Sxema E₂ = 9V manbadan ta’minlanadi. Kirish kuchlanishi U_KIR roslanuvchi E₁ kuchlanish manbaidan beriladi. Chiqish kuchlanishi U_ChIQ va iste’mol qilinayotgan tokni o‘lchash uchun raqamli voltmetr va ampermetrlardan foydalaning. VT1 sifatida K176LP1 mikrosxemadagi n-kanalli tranzistorlarning birini oling. Ishlash qulay bo‘lishi uchun ilovada keltirilgan mikrosxema prinsipial sxemasini chizib oling va elektrodlari raqamlarini belgilab oling.

14.2-rasm

Tajribani quyidagi tartibda olib borish tavsiya etiladi:

- MDYa tranzistor stok zanjiriga chiziqli rezistor R=51 kOm ni ulang;

- kuchlanish manbai qiymatini E₂=9 V qilib o‘rnating;

- kirish kuchlanishini 0 dan 9V gacha o‘zgartirib borib, U_ChIQ=f(U_KIR) va I_IST=f(U_KIR) bog‘liqligini o‘lchang;

- qarshilikning R=10 kOm va 3,5 kOm qiymatlari uchun o‘lchashlarni takrorlang;

- tajriba natijalaridan foydalanib U_ChIQ=f(U_KIR) bog‘liqlik grafiklarini quring.

3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.

3.1. 2- bandda olingan uzatish xarakteristikalarni quring.

3.2. Har bir kalit uchun mantiqiy signal U⁰ va U¹ sathlari va mantiqiy signallar sathlar farqi _ΛU = U¹ – U⁰ni aniqlang.

Olingan natijalarni 14.1 – jadvalga kiriting.

14.1 – jadval

Parametr Yuklama turi	U^0, V	U^1, V	ΛU, V	PO‘RT, mV
Qarshilikli yuklama
Ryu=51kOm
Ryu=10kOm
Ryu=3,5kOm

3.3. Mantiqiy nol va mantiqiy bir holatlarida manbadan iste’mol qilinayotgan quvvatning o‘rtacha qiymatini aniqlang:

; .

4. Hisobot mazmuni.

1) o‘lchash sxemalari;

2) olingan bog‘liqliklar jadvallari va grafiklari;

3) o‘lchash va hisob natijalarining tahlili.

5. Nazorat savollari.

1. Yuklama sifatida qarshilik ulangan kalit parametrlarining yuklamadagi qarshilik qiymatiga bog‘liqligini tushuntiring.

2. Nima sababli KMDYa tranzistorlarda yasalgan kalit statik holatlarda manbadan quvvat iste’mol qilmaydi ?

Nazorat savollari.

1. Zatvori p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tasvirlang va ishlash mexanizmini tushuntiring.

2. Maydoniy tranzistor ish rejimlarini aytib bering. Har qaysi rejimda tranzistor zatvori va stoki orasidagi kuchlanish munosabalari qanday bo‘ladi ?

3. Maydoniy tranzistorlarda qanday differensial parametrlar tizimi qo‘llaniladi va nima sababli ?

4. Zatvori p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang va tushuntirib bering.

5. Zatvori p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasini tasvirlang va tushuntirib bering.

6. Turli temperaturalarda o‘lchangan zatvori p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang. Bu xarakteristikalarda temperaturaga barqaror nuqtalarning mavjudligi nima bilan tushuntiriladi ?

Laboratoriya ishi №15

Operatsion kuchaytirgich parametrlarini tadqiq etish.

Ishning maqsadi: Operatsion kuchaytirgich parametrlarini o‘lchash usullarini o‘rganish.

1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:

Integral ko‘rinishda bajarilgan operatsion kuchaytirgich (OK) – bu universal analog mikrosxemadir. U ikki kirishli differensial kuchaytirgichda bajarilgan keng polosali o‘zgarmas tok kuchaytirgichi bo‘lib, chiqishida shakllanayotgan signal kirishdagi signallarning farqiga teng bo‘ladi.

Uning chiqishida teskari aloqa zanjirini qo‘llab kirishdagi signallar ustidan turli matematik amallar bajarish imkoniyati borligi tufayli ham - operatsion kuchaytirgich nomini olgan. Chiqish zanjirini tanlashga qarab OK qo‘shish, ayirish, ko‘paytirish, o‘rta qiymatni aniqlash, integrallash, differensiallash, logarifmlash va boshqa amallarni bajarish uchun qo‘llanilishi mumkin. Amallarni bajarish aniqligi OKning kuchaytirish koeffitsiyenti va kirish qarshiligi qancha katta, chiqish qarshiligi esa qancha kichik bo‘lsa, shuncha yuqori bo‘ladi.

OK ni xarakterlovchi parametrlar soni bir necha o‘n qiymatga yetadi.

Ularga quyidagilar kiradi:

- teskari aloqasiz OK kuchaytirish koeffitsiyent - K_U. K_U ning teskari aloqasiz qiymati bir necha o‘n – yuz mingni tashkil etadi;

- sinfaz kirish signallarning so‘nish koeffitsiyenti – K_TA.SF. OKning ikkala kirishiga berilayotgan signallarni so‘ndirish qobiliyatini baholaydi. Odatda, K_{TA .SF} detsibellarda ifodalanadi:

- siljituvchi kirish kuchlanishi - U_SIL . Bu kattalik, OK chiqishida kuchlanish nolga teng bo‘lishi uchun, kirishga berish kerak bo‘lgan kuchlanish qiymatini belgilaydi. Bu kattalik OK ning ideal emasligini xarakterlaydi va kirish kaskadidagi tranzistorlarni bir xil emasligiga asoslangan. Odatda U_SIL qiymati millivolt- o‘n millivoltlarda bo‘ladi;

- kirish toklari - I_KIR. Chiqishdagi kuchlanish nolga teng bo‘lganda kirishlarda oqib o‘tadigan tokni bildiradi. Bu toklar kirishdagi bipolyar tranzistorlarning baza toklari yoki OK kirish kaskadida maydoniy tranzistorlar qo‘llanilgan bo‘lsa zatvordagi sizish toki bilan tushuntiriladi. Odatda I_KIR qiymati nanoamper – o‘n mikroamper (10^-10.....

10^-15A) larda belgilaydi;

- kirish toklarining farqi I_KIR – 10...20% ga yetishi mumkin. Bu kattalik OK kirish kaskadining simmetrik emasligini ifodalaydi;

- chiqish kuchlanishining ortib borish tezligi V_u.ChIQ - bu kattalik U_ChIQ qiymatini o‘zining nominal qiymatidan 10% dan 90% gacha o‘zgarishining, shu o‘zgarishlarga ketgan vaqtga nisbatiga teng;

- birlik kuchaytirish chastotasi - f₁. Bu kattalik OKda kuchlanishni kuchaytirish koeffitsiyenti birga teng bo‘ladigan kirish signali chastotasini bildiradi. Bu kattalik OK kuchaytirishi mumkin bo‘lgan signallarning chastota diapazonini belgilaydi.

12.1. a, b – rasmlarda OKning sxemalarda beriladigan shartli belgisi va chiqishlarning vazifalari tasvirlangan.

1 – OKning inverslamaydigan kirishi;

2 - OKning inverslaydigan kirishi;

3,4 – amplituda bilan ulanish uchun xizmat qiladigan chiqishlar;

5,6 – balanslovchi tashqi elementlar bilan ulanish uchun xizmat qiladigan chiqishlar;

7 – OK chiqishi;

8 – kuchlanish manbaining musbat ishorali elektrodiga ulanish chiqishi;

9 – kuchlanish manbaining manfiy ishorali elektrodiga ulanish chiqishi;

10 – sxemanining nol shinasiga (nol potensial) ulanish chiqishi.

a) b)

15.1-rasm. OKning sxemalarda beriladigan shartli belgisi (a) va chiqishlarning vazifalari (b).

Laboratoriya ishida tadqiq etilayotgan OKning chiqishlarining joylashishi, parametrlari va tahrirlovchi sxemalar ilovada keltirilgan. Shuni yodda tutish kerakki, OK asosidagi prinsipial sxemalarda mavjud manba zanjirlari va standart tahrirlash sxemalari keltirilmasligi mumkin.

2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

Ilovadan tadqiq etilayotgan OK shartli belgisini chizib oling (chiqish raqamlari va tahrirlash elementi bilan), chegaraviy qiymatlarini yozib oling.

2.1. OK kuchaytirish koeffitsiyentining chegaraviy qiymatini aniqlang. Qancha katta qiymatga ega bo‘lsa, uni bevosita o‘lchash qiyin. Shu sababli K_U qiymati hisoblash natijasida olinadi.

2.1.1. 15.2 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (OK tsokoli ilovada keltirilgan). (Shuni eslatib o‘tmoqchimizki, chatotani tahrirlovchi sxema yig‘ilgan bo‘lsa ham uning sxemasi ko‘rsatilmagan. Keyinchalik E₃ manba elementi ham tushirib qoldiriladi).

2.1.2. Generator chiqishida (1) amplitudasi U_g=l V va chastotasi f_r=l0..20 Gts bo‘lgan sinusoidal signal o‘rnating. Bu vaqtda ossillograf ekranida (2) shakli buzilmalgan signal kuzatillishi kerak (agar buzilishlar mavjud bo‘lsa, U_r ni kamaytirish kerak).

15.2–rasm. O‘lchash sxemasi.

2.1.Z. Voltmetr (3) yordamida o‘zgaruvchan U1 kuchlanish (“A” nuqta bilan umumiy sim orasida) va U_ChIQ ni o‘lchang, so‘ngra K_U quyidagi formula yordamida aniqlang:

2.2. OK siljituvchi kuchlanishi (U_SIL) va kirish toki (I_KIR )ni hisoblab toping.

Bu kattaliklar kichik qiymatga ega bo‘lganligi uchun ularni bevosita o‘lchash mushkul. Shu sababli ular hisoblash yordamida aniqlanadi.

2.2.1. 15.3 – rasmga mos ravishda sxemani yig‘ing (sxemada manba va tahrirlash zanjirlari ko‘rsatilmagan).

2.2.2. OK inverslamaydigan kirishini (sxemada “+” ishora bilan ko‘rsatilgan) umumiy sim bilan ulovchi P₁ qayta ulagichni o‘rnating (R₁ rezistor o‘rniga). Voltmetr ko‘rsatayotgan U_ChIK1 o‘zgarmas kuchlanish qiymatini yozib oling.

2.2.3. P₁ qayta ulagichni olib tashlang va uni OKning inverslamaydigan kirishi bilan R₁ rezistor umumiy simi o‘rtasiga o‘rnating. Bu vaqtda voltmetr ko‘rsatmasi o‘zgaradi. Bu qiymatni U_ChIK2 deb belgilab, yozib oling.

2.2.4. U_ChIK1 va U_ChIQ2 qiymatlarning ishorasiga e’tibor bergan holda siljitish kuchlanishi

va OK kirish toki I_KIR

15.3-rasm. O‘lchash sxemasi.

2.3. OK chiqish kuchlanishining ortib borish tezligi V_u.ChIQ ni o‘lchash.

2.3.1. 15.4–rasmga mos ravishda sxemani yig‘ing (sxemada manba ko‘rsatilmagan).

Generator chiqishidagi signal (U_g) shunday o‘rnatilishi kerakki, OK kaskadi chiqishidagi kuchlanish U_ChIQ maksimal chegaraviy qiymatga yaqin bo‘lsin, ya’ni chiqishdagi sinusoidal signal chegaraviy qiymatga yaqin bo‘lsinu, lekin chegaralanmasin. Bu vaqtda generator chastotasini ancha kichik qilib tanlang (0,1...1kGts).

15.4-rasm. O‘lchash sxemasi.

2.3.2. Generator chastotasini orttirib borib, chiqish signali ossilogrammasini kuzatib boring. Kengayish kamaygan sari uchburchak shaklga yaqinlashib boradi (15.5 - rasm).

3. 
   Generator chastotasini bir necha o‘n kGts tartibda o‘rnatib, hamda kanaldagi kuchlanish “Y” va yoyish tezligi (mks/bo‘l)ni kalibrlab, olingan ossilogramma tikligini o‘lchang (15.5 - rasm).
   

15.5–rasm. Chiqish signali ossilogrammasi.

Hisobot mazmuni:

- tadqiq etilayotgan OK pasport ko‘rsatmalari va tahrirlash sxemalari;

- OK parametrlarini o‘lchash sxemalari va olingan natijalar.

Nazorat savollari

1. “Ideal” OK parametrlariga qanday talablar qo‘yiladi?

2. Nima sababli OKlar chastota xarakteristikasini tahlilisiz ishlay olmaydilar?

3. OK siljish kuchlanishi parametri ma’nosini tushuntirib bering.

4. OK kirish tokining o‘rtacha qiymati va kirish toklarining farqi parametrlarining fizik ma’nosini tushuntiring. Ular qanday kirish signallarida o‘lchanadilar?

5. Chiqish kuchlanishi o‘sish tezligi parametrning fizik ma’nosini tushuntiring.

ABIYOTLAR

1. Bakalov V.P., Dmitrikov V.F., Kruk B.I. Osnovыy teorii tsepey. – M.: Radio i svyaz, 2003 god.

2. Atabekov G.I. Osnovnыy teorii tsepey. Uchebnik dlya vuzov. M., «Energiya», 1969 god.

3. Beletskiy A.F. Teoriya lineynыx elektricheskix tsepey. – M.: Radio i svyazi, 1986 god.

4. Zeveke G.V. i dr. Osnovыy teorii tsepey. – M.: energiya, 1975 god.

5. Ushakov V.N. Elektrotexnika i elektronika: Ucheb. Posobiye dlya vuzov.- M.: Radio i svyazi, 1997 god

6. Baskakov S.I. Leksii po teorii tsepey. - Izd-vo MYeI, 1991.-224 st.

7. Losev A.K. Teoriya lineynыx elektricheskix tsepey: Ucheb. dlya vuzov. – M.: Vыssh. shk., 1987 god.

8. Bessonov L.A. Teoreticheskiye osnovы elektrotexniki. Elektricheskiye tsepi. – M.: Vыsshaya shkola, 1984 god.

9. Matxanov P.I. Osnovnыy analiza elektricheskix tsepey. Lineynыe tsepi. – M.: Vыsshaya shkola, 1981 god.

10. Frisk V.V. Osnovnыy teorii tsepey. – M.: Radio Soft, 2002 god

11. Popov V.P. Osnovnыy teorii tsepey. – M. Vыsshaya shkola, 1985 god.

12. Krыlov V.V., Korsakov S.Ya. Osnovnыy teorii tsepey dlya sistemotexnikov.- M.: Vыsshaya shkola, 1990 god.

13. Bosey N.D. Elektricheskiye filtrы. Uchebnoye posobiye dlya studentov radiotexnicheskix i elektrotexnicheskix spetsialnostey. Gosudarstvennoye izdatelstvo texnicheskoy literaturы USSR. Kiyev. 1960 god

14. Andreyev V.S. Teoriya nelineynыx elektricheskix tsepey. M., «Svyaz», 1972 god.

15. Kushnir V.F., Fersman B.A. Teoriya nelineynыx elektricheskix tsepey. Uchebnik dlya elektrotexnicheskix institutov svyazi. M., «Svyaz». 1974 god.

16. Dezoyer Ch.A. i Ku e.S. Osnovnыy teorii tsepey. Per. s angl. N.L.Smirnovoy pod red. V. A. Smirnova. M., «Svyaz», 1976 god.