Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги наманган муҳандислик – Қурилиш

Список литературы: 
1. 
Брандт 
Н.Б., 
Кульбачинский 
В.А. Квазичастицы 
в физике 
конденсированного состояния. – Москва, Физматлит. 2007. - 632 С. 
2. 
Зеегер К. Физика полупроводников. Москва, Мир. 1977. – С.414 
3. 
Pidgeon C.R., Brown R.N. 
Interband Magneto-Absorption and Faraday 
Rotation in InSb
. // Phys. Rev. USA. -1966. - Vol. 146, Iss.2. –P. 575-583 
4. 
Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. Москва, Наука, 
1978. -Гл. 6. –С.367. 
5. 
Zwerdling S., Keyes R.J., Foner S., Kolm H.H., Lax B. 
Magneto-band Effects 
in InAs and InSb in dc and High Pulsed Magnetic Fields
 // Phys. Rev. USA. 
1956. - Vol. 104, Iss. 6. –P.1805-1808.
ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ВЕЕРНУЮ ДИАГРАММУ СПЕКТРА 
МАГНИТОПОГЛОЩЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С 
НЕПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ 
д.ф.-м.н., проф. Г.Гулямов (НамИСИ),
д.ф.-м.н., доц. У.И.Эркабоев, асс. Н.А.Сайидов (НамИТИ) 
Комбинированные плотности состояний (КПС) играют важную роль в 
межзонном магнитооптическом эффекте [1,2].Во многих случаях матричный 
элемент мало меняется в пределах зоны Бриллюэна. Следовательно, 
структура спектра преимущественно определяется КПС в полупроводниках.
Если начальные и конечные состояния имеют симметричные зонные 
спектры, тогда с помощью разложения в ряд по 
0
( , , )
df E
T
dE

– функциям можно 
найти комбинированную плотность состояний при любой конечной 
температуре: 


0
1
( , , )
,
,
( ,
)
(1)
n
n
n
i
jds
jds
i
i
df E
T
N
E H T
N
E H
dE





---

245 
(
,
)
n
jds
i
N
E H
- комбинированная плотность состояний в квантующем маг-
нитном поле при абсолютном нуле температуры. Это выражение при T

0 
превращается в [1]. В этом случае уровни Ландау проявляются резко. 
Выполненный Бардином и Шокли [3] теоретический расчет вклада, 
даваемого расширением решетки, показывает, что ширина запрещенной зоны 
при высоких температурах меняется линейно с температурой. Основываясь 
на теоретическом рассмотрении электрон-фононного взаимодействия, 
проведенного Васильевым [4] и Адамсом [5], Варшни [6-8] предложил 
следующую формулу для описания зависимости ширины запрещенной зоны 
от температуры: 
2
( )
(0)
g
g
aT
E T
E
T




(2)
В работах [7,8] подробно исследовались температурная зависимость 
ширины запрещенной зоны в новых материалах. Показано, что ширина 
запрещенной зоны с ростом температуры уменьшается. Отсюда, с помощью 
подстановки формулы (2) в работе [2] можно вычислить температурную 
зависимость спектра веерной диаграммы в полупроводниках: 
2
max
1
[
( )]
4[
( )] (
)
(3)
2
g
g
c
E T
E T
N






Это формула является температурной зависимостью веерной диаграммы 
с учетом комбинированной плотности состояний. Рассчитанные зависимости 
максимальной энергии фотона от магнитного поля при различных 
температурах представлены на рис.1. Важным обстоятельством является то, 
что с ростом температуры спектры магнитопоглощения изменяются. На рис.2 
представлена трехмерная веерная диаграмма в узкозонных полупроводниках. 
На этом рисунке энергии фотона изменяются в зависимости от магнитного 
поля и ширины запрещенной зоны. 
 
Рис.1. Зависимость энергии фотона от сильного магнитного поля при 
различных температурах в InSb 

---

246