ЗАМОНАВИЙ ТАЪЛИМ / СОВРЕМЕННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ 2016, 11
Яримўтказгичли кристаллардан тайёрлана-
диган диодлар, транзисторлар худди шу усул-
да ясалади. Бу жиҳатдан қараганда энг оддий
яримўтказгич лазери
p ва
n-типли яримўтказ-
гичлардан ясалган диоддир.
Яримўтказгичли лазерлар учун
p-n ўтиш
соҳасида электрон ва тешиклар бир вақтда
иштирок этиши катта аҳамиятга эга. Бу шарт
кучли легирланган яримўтказгич донор ва ак-
цепторни ҳосил қиладиган
элементларни
яримўтказгичнинг кристалл панжарасига ки-
ритиб, концентрациясини бир сантиметр куб
ҳажмда 10
17
-10
18
та атомга етказишда бажари-
лади. Кучли легирланган яримўтказгичларда
Ферми сатҳи EF ўтказувчанлик зонасининг
ичида жойлашади.
n-типдаги яримўтказгичда
донор сатҳи электронга тўлади ва қисман
ўтказувчанлик зонасига ҳам ўтади.
p-типли
ярим ўтазгичда эса акцептор сатҳи тўлмайди
ва тирқиш валент зонасида пайдо бўлади.
Ферми сатҳи эса валент зонасида жойлашади.
Шу икки хил кучли легирланган яримўтказ-
гичлар туташтириб қўшилса, энергетик сатҳлар
силжийди ва Ферми сатҳи иккала тип учун бир
хил қийматга эга бўлади.
2-расмда
кучли легирланган p-n типли
ярим ўтказгичнинг энергетик схемаси келти-
рилган. Агар электр манбанинг мусбат қутбини
p-типига ва манфийсини
n-типига уласак,
электронлар мусбат электродга, тешиклар эса
манфий электродга қараб йўналади.
Ана шу
икки хил зарядли заррачалар икки типли
яримўтказгичинг қўшилган чегарасида, яъни
p-n ўтиш чегарасида учрашади. Электронлар
тешиклар
билан учрашиб, рекомбинацияла-
шади ва квант нурланишини ҳосил қилади.
Квант нурланишининг энергияси hν=Eg га
тенг.
Электр майдони таъсирида энергетик соҳа-
ларнинг силжиши кузатилади. Ўша силжиш
2б-расмда схематик келтирилган. Силжиш
қий мати электр
майдон потенциали билан
боғланган: ∆E = eV, e – электрон заряди, V –
электр майдон потенциали.
Яримўтказгичнинг икки типи томонга бери-
ладиган токнинг электр майдони таъсирида
p-n ўтиш чегарасида «ёпиладиган қатлам»
ҳосил бўлади. Бу ёпиладиган қатламда инвер-
сион кўчганлик ҳосил бўлади. Яримўтказгичга
электр манбаи уланганда ташқи электр май-
дони таъсирида ёпиладиган қатламда элек-
тронларни
n-типли яримўтказгичнинг ўтказиш
соҳасидан ва
тешикларни эса p-типнинг ва-
лент соҳасидан тортиб чиқариб тўплайди. Шу
пайтда ёпиладиган қатламда электрон билан
тешик учрашиб рекомбинациялашиш натижа-
сида ёруғлик нурини чиқаради (2в-расмга
қаранг). Шуни айтиш лозимки,
p-n ўтишли
яримўтказгич яхлит монокристаллдан тайёр-
ланади ва
p-n ўтиш шу монокристаллнинг
ичида ҳосил қилинади. Электр майдон таъси-
рида ёпиладиган қатламда
p-n ўтиш чегараси-
да заряд ташувчилар
электрон ва тешиклар-
нинг одатдагидан ортиқча концентрациясини
ҳосил қилиш шу яримўтказгич чегарасида ин-
версион кучланганлик ҳосил қилишнинг ай-
нан ўзидир. Ёпиладиган қатлам фаол қатлам
дейилади. Электр зарядни ташувчи электрон
ва тешиклар биргаликда фаол марказларни
Do'stlaringiz bilan baham: