“Yupqa qatlamlar fizikasi va texnologiyaSI”

Asosiy iboralar
Absopbtsiya, Adsopbtsiya, Absopbent, Adsopbat, Desopbtsiya, Diffuziya, Migpatsiya, Kondensatsiya, Dislokatsiya, Deffekt, Koalestsentsiya, Getepostpuktupa, Gomogen sistema(tizim), Sublimatsiya, epitaksiya, Avtoepitaksiya, Adgeziya, Püezoelektrik, Orolchali o’sish, Plyonka hosil bo’lish markazlari (zarodûsheobrazovanie), ×egaraviy qatlam, Purkash, Ionlar implantatsiyasi, Dendritlar, Kristallar (mono-, poli-, teksturlangan), Amorf jismlar, “Uzoq” va “yaqin” tartiblanish, Difraktsiya, Panjara doimiysi, Kogerentlik, Seperatsiya, Segregatsiya.

Tayanch so’zlar

Katod, past quvvatli signallar, shovqin, signallarni rostlash, mikroelektronika, nanoelektronika, katta va o’ta katta mikrosxemalar, yupqa plyonka, integral sxema, lazer nurlari, ionlar, yuqori vakuum.
Savollar

1. 
   Mikroelektronika va nanoelektronika nima?
   
2. 
   Katta va o’ta katta integral mikrosxemalar.
   
3. 
   Yupqa plyonka hosil qilish usullari.
   
4. 
   Yupqa plyonka hosil qilish qasosiy elementlari.
   
5. 
   Yupqa qatlamlarning ishlatilish sohalari.
   
6. 
   Uch o’lchamli tizimlar nima?
   
7. 
   Amorf va kristall jismlar nima?
   
8. 
   Adsorbsiya hodisasini tushuntiring.
   
9. 
   Fizikaviy va kimeviy adsorbsiya.
   
10. 
    Adsorbsiya va desorbsiya. Muvozanat nima?
    

Adabiyotlar:
1. [1] Iq. 14-16 betlar
IIq. 12-14 betlar

2. 
   [2] 5-10 betlar
   
3. 
   [6] 5-15 betlar
   

2-Ma’ruza


Reja

1. 
   Yupqa qatlamlarda markazlarning hosil bo’lishi.
   
2. 
   Markazlar hosil bo’lish nazariyasi.
   
3. 
   Atom va molekulyar model to’g’risida tushuncha.
   

YuPQA QATLAMLARDA MARKAZLAR (ZARODIShLAR) HOSIL BO’LISh NAZARIYaSI
Bog’langan atomlar asos yuzasiga o’tirib sovutiladi, ya’ni kondensatsiyalanadi. Ular qaytadan yana uchib chiqishi yoki o’tirib qolishi mumkin. Yuzaga kelib tushayotgan atomlarning energiyasi kT dan (T-asos temperaturasi) juda katta. Bu atomlar qanchalik tez asos bilan unga o’zining barcha zapas (zahira) energiyasini bermasdan muvozanatga kelishi ahamiyatlidir. Bunday muvozanatda atom adsorbsiya lanishi yoki qayta bug’lanishi mumkin. Bu hodisa termik akkomodatsiya koeffitsienti bilan xarakterlanadi.

E_V - asosga tushirilayotgan bug’ holidagi atomlarning energiyasi,
E_R - desorbtsiyalangan atomlarning asos bilan muvozanat ro’y berishidan oldingi energiyasi, E - desorbtsiyalangan atomning asos bilan muvozanat ro’y berganidan keyingi energiyasi, T_V, T_R, T - mos holdagi temperaturalar.
Bundan a_T<1 ekanligi ko’rinadi.
Nazariy tadqiqotlar asosida Kabreri, Övantsig, Mak Kerori va Erlix kabi olimlar “issiq” atom bir o’lchamli panjara bilan to’qnashganda a_T<1 shart bajarilishi uchun E_V ³ E bo’lishi kerakligini aniqlaganlar. Bu olimlar kelib o’tirayotgan atomlarning massasi kristall panjaradagi atomlarning massasidan qancha katta bo’lsa, to’liq termik akkomodatsiya (a_T=1) hodisasi ro’y berish ehtimolligi shuncha katta bo’lishligini ham aniqlaganlar. Uch o’lchamli panjaralar uchun termik akkomodatsiya to’liq ro’y berishi uchun E_V£E bo’lishi etarli ekanligini Gudmant aniqlagan. Masalan, atom desorbtsiyalanishi uchun kerak bo’ladigan aktivatsiya energiyasi 0,5 eV bo’lsa, termik aktivatsiya to’liq bo’lmasligi uchun, kelib tushayotgan atomning energiyasi temperatura orqali ifodalanganda 6500 K dan katta bo’lishi kerak.
Mak-Fi va Lennard-Djons tushayotgan atom o’zining ortiqcha kinetik energiyasini yo’qota borib asosga o’rnashib qolishi uchun 2/Y vaqt kerakligini aniqlagan. Bu erda Y - asos kristall panjarasining tebranish chastotasi. Demak, kristallga kelib tushgan atom bir nyecha tebranish jarayonida o’zining barcha ortiqcha energiyasini deyarli yo’qotadi. Shuning uchun ham juda ko’p hollarda muvozanat juda tez (oniy vaqtda, birdaniga) ro’y beradi deb qarash mumkin (juda engil atomlar va juda katta energiyali atomlar bundan mustasno).
Asosga kelib o’tirayotgan atomlar soni ma’lum miqdorga etgandan keyin, agar markazlar hosil bo’lishi ro’y bermasa, statsionar (muvozanat) holat vujudga keladi, ya’ni tushayotgan va qaytadan uchib chiqayotgan (bug’lanayotgan) atomlar soni aynan teng bo’ladi. Bu holda asos yuzasini to’ldirayotgan atom (adatom) lar soni atom kelib o’tirish tezligi - R ga bog’liq bo’ladi.

Y₀ - adsorbsiya langan molekulalar tebranish davriyligiga (~10¹⁴c^-1) teng bo’lgan desorbtsiya chastotasi, DG_des - desorbtsiyalanishning aktivatsiya erkin energiyasi.
Agar yuzaga atomlarning kelib o’tirishi to’xtasa va R®0, u holda asosning adsorbatlar bilan to’lishi ham nolga intiladi. Adsorbatning qayta bug’lanishiga qadar yuzada o’tirish vaqti (t_n).

Umuman, bir tekis plyonkalar atomlar tushish tezligi katta bo’lganda hosil bo’ladi. Yupqa plyonkalarda markazlar hosil bo’lishining ikki xil nazariyasi (modeli) mavjud: 1) kapillyar model, 2) atom modeli. Bu modellar bir - biri bilan markazlar hosil bo’lish energiyasini hisoblash usuli bilan farq qiladi.