“Yupqa qatlamlar fizikasi va texnologiyaSI”

Tayanch so’zlar
To’yinish darajasi, kritik holatga o’tish darajasi, atom modeli, markazlarning dissosiasiya, dissosiasiya energiyasi, turg’un markaz, diffuziyalanish aktivasiya energiyasi.
Savollar:

1. 
   Uolton va Rodinning kichik markazlar modeli.
   
2. 
   Markaz hosil bo’lishining atom modeli.
   
3. 
   Markaz hosil bo’lish tezligining haroratga sifatiy bog’lanishi.
   
4. 
   Markazlarning dissosiasiya energiyalari.
   
5. 
   Ikki atomli markazning kritik holatiga o’tish temperaturasini aniqlash tenglamasi.
   
6. 
   Desorbsiya chastotasini aniqlash formulasi.
   
7. 
   Eng kichik turg’un markaz nechta atomdan iborat.
   
8. 
   Diffuziya, desorbsiya, migrasiya, segregasiya hodisalarini tushuntiring.
   

Adabiyotlar:

1. 
   [1] - II qism 13-29 betlar
   
2. 
   [8] - 30-55 betlar
   

5-ma’ruza


Reja

1. 
   Molekulyar-nurli epitaksiya.
   
2. 
   Qattiq fazali epitaksiya.
   
3. 
   Reaktiv epitaksiya.
   

MOLEKULYaR-NURLI EPITAKSIYa (MNE).
Plyonkali materiallarni elektronika sohasida ishlatilishida eng asosiy o’rinni epitaksial plyonkalar egallaydi. Bunday plyonkalar katta va o’ta katta integral sxemalar ishlab chiqarishda, umuman eng zamonaviy va eng noyob mikroelektron asboblar ishlab chiqarishda alohida rolü o’ynaydi. U kelajak elektronikasi, ya’ni nanoelektronikaning ham asosini tashkil etishi tabiiy.
Kristall panjarasining tuzilishi asosning kristall panjarasi tuzilishi bilan bir xil bo’lgan monokristal plyonkalar epitaksial plyonkalar deyiladi.



Расм 5.1. МНБ ўстиришнинг тизими: 1-вакуум камераси; 2,3-электрон нурли буғлатгич (ЭНБ); 4-диффузион
манба; 5-намуна; 6-манипулятор; 7-šиздиргич; 8-термопара; 9-катта энергияли электронлар тўпи; 10-люминисцентли экран; 11-газоанализатор; 12-криопанель; 13,14-ўсиш тезлигини аниšловчи кварцли датчиклар; 15,16-ёпғич (заслонка); 17-ион насоси; 18-ёпғични бошšариш тизими; 19-ЭНБ манбаси; 20-ЭђМ.




MNEda hosil bo’layotgan plyonka berilgan asosning yuzasida o’sadi va bu yuza bilan u aralashib ketmaydi. MNEda kerakli atomlar asosning yuzasiga kelib o’tiradi va yuzada qatlamma-qatlam o’sib boraveradi.
Kremniyning yuzasiga kobolüt kremniy (CoSi₂) plyonkasini MNE yo’li bilan hosil qilish jarayoni: yuqori vakuum sharoitida yuzasi juda yaxshi tozalangan kremniy monokristalining sirtiga kobolüt (Co) va kremniy (Si) manbalaridan ularning atomlari kelib o’tira boshlaydi. Bunda har bir momentda bitta kobolüt atomi kelib o’tirganda, ikkita kremniy atomi tushadi. Asosning temperaturasi shunday tanlanadiki, yuzaga kelib o’tirayotgan atomlar CoSi₂ birikmasini hosil qiladi va ularning plyonkasi epitaksial o’sa boshlaydi (5.1-rasm).