Yo‘nalishi uchun mo‘ljallangan bo‘lib, oliy ta’limning mavjud davlat standartlariga va ishchi o‘quv dasturlariga mos keladi

Operatsion kuchaytirgichlarning tuzilishi
Birinchi avlodga mansub uch kaskadli OK funksional sxemasi 6.2 – rasmda keltirilgan. U kirish, muvofiqlashtiruvchi va chiqish kuchaytirish kaskadlaridan tashkil topgan.

6.2– rasm. Uch kaskadli OK funksional sxemasi.
OKlarda kirish kaskadi sifatida differensial kuchaytirigich (DK) qo‘llaniladi. Ma’lumki, DK chiqishdagi nol dreyfini maksimal kamaytirishga, yuqori kuchaytirish koeffitsientiga, maksimal yuqori kirish qarshiligiga va sinfaz tashkil etuvchilarni maksimal so‘ndirishga imkon beradi. Muvofiqlashtiruvchi kaskad talab qilingan kuchaytirishni ta’minlaydi va DK chiqishidagi o‘zgarmas kuchlanish sathi siljishini chiqish kaskadi uchun talab etilgan qiymatgacha kamaytiradi. Muvofiqlashtiruvchi kaskad differensial ѐki bir taktli kuchaytirgich bo‘lishi mumkin. CHiqish kaskadlari OKning kichik chiqish qarshiligini va lozim bo‘lgan chiqish quvvatini ta’minlashi kerak. CHiqish bosqichlari sifatida, odatda AV sinfga mansub komplementar tranzistorlar asosida hosil qilingan ikki taktli kuchaytirgich sxemalari qo‘llaniladi
Uch kaskadli OKning soddalashtirilgan prinsipial sxemasi
6.3– rasmda keltirilgan. Sxemada quyidagi elektrodlar ko‘rsatilgan: inverslamaydiga kirish Kir1, inverslaydigan kirish Kir2, chiqish, ikki qutbli kuchlanish manbaiga ulash uchun xizmat qiluvchi elektrodlar -E_M va +E_M, sxemaga korreksiyalovchi kuchlanish manbai ulangan elektrod U_KOR.

6.3 – rasm. Uch kaskadli OK prinsipial sxemasi.
Kirish kaskadi VT1 va VT2 tranzistorlarda tuzilgan klassik DK sxemasi bo‘lib, yuklama sifatida R_K1 va R_K2 rezistorlar qo‘llanilgan. Ularning emitter toklari o‘zgarmasligini VT3 va VT4 tranzistorlarda qurilgan BTG ta’minlaydi. Kuchaytirgichda sochilaѐtgan quvvatni kamaytirish maqsadida, BTGning R_SIL siljitish rezistori OKning bitta kuchlanish manbaidan (-E_M) ta’minlanadi. R_E1 va R_E2 rezistorlar yuklama toki bo‘yicha mahalliy ketma – ket manfiy TAni tashkil etadilar va DKning kirish qarshiligini oshiradilar.
Muvofiqlashtiruvchi kaskad p–n–p turdagi VT5 va VT6 tranzistorlar asosidagi DKda hosil qilingan. Qarama – qarshi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan p–n–p turdagi tranzistorlarning qo‘llanilishi chiqish kaskadi chiqishidagi kuchlanishni deyarli nolgacha siljitish imkonini beradi. Birinchi kaskad chiqishida kirish signalining sinfaz tashkil etuvchisi deyarli mavjud bo‘lmaganligi sababli, ikkinchi kaskadda uni so‘ndirish talab qilinmaydi. SHuning uchun VT5 va VT6 tranzistorlarning emitter zanjirlarida BTG qo‘llanilmaydi. Bu holat ikkinchi kaskad toklarini milliamper darajaga ko‘tarish va kuchaytirish koeffitsientini yana 30 marta va undan yuqori qiymatga oshirish imkonini beradi. Ikkinchi kaskad nosimmetrik chiqishga ega. Buning natijasida VT5 tranzistor kollektor zanjirida rezistor qo‘llanilmaydi.
Ikkinchi avlodga mansub K544UD1 turli ikki kaskadli OKning soddalashtirilgan sxemasi 6.4–rasmda keltirilgan bo‘lib, unda muvofiqlashtiruvchi kaskad qo‘llanilmagan. SHu sababli kuchaytirish koeffitsienti qiymatini yuqori olish uchun kirish DKida rezistorli yuklama differensial yuklamaga almashtirilgan.

6.4 – rasm. K544UD1 turli ikki kaskadli OK prinsipial sxemasi.

Bunday sxemotexnik echimga, ISning umumiy asosda bir xil xarakteristikalarga ega bo‘lgan egizak n – p – n va p – n – p BTlarni yasash texnologiyasi o‘zlashtirilgandan so‘ng erishildi. Bundan tashqari, DKlarda BT o‘rniga n – kanalli VT2 va VT5 MTlar ham qo‘llanilgan. Ular kuchaytirish va chastota xususiyatlari BTlarga nisbatan past bo‘lishiga qaramasdan, kirish toklarini keskin kamaytirish va kirish qarshiligi ortishini ta’minlaydilar. VT1, VT3 va VT4 tranzistorlarda hosil qilingan BTG dinamik yuklama hisoblanadi. DKning kirish toki VT6 va VT7 tranzistorlar asosidagi tok generatori ѐrdamida barqarorlashtirilgan.

CHiqish kaskadi ikki bosqichdan iborat. Birinchi bosqich UE ulangan VT8 tranzistor asosida hosil qilingan bo‘lib, unga yuklama toki bo‘yicha ketma – ket manfiy TA zanjiri kiritilgan. Ikkinchi bosqich VT10 va VT11 komplementar tranzistorlarda hosil qilingan AV sinfiga mansub ikki taktli quvvat kuchaytirgichdan iborat. YUqori chastotalarda har bir kaskad fazani siljitadi. Ma’lum chastotalarda manfiy TAli OKlarda natijaviy faza siljishi 360⁰ ga teng bo‘lib, kuchaytirgich turg‘unligini yo‘qotadi. Turg‘unlikni oshirish uchun VT8 tranzistor kollektor o‘tishini shuntlovchi ichki ѐki tashqi S_KOR kondensator ulanadi.

1.