Тема: Ознакомится с технологией и классификацией подготовки имс

2. Задание на выполнение лабораторной работы:
2.1. Подготовка к проведению эксперимента:
Ознакомиться со структурой и предельными параметрами транзистора, записать данные о транзисторе, подготовить таблицу для измерения.
Таблица 5.1
Входные и управляющие характеристики

EB	V	15
UBE	mV	866
IB	mA	2,827
IK	mA	-29,86

Выходная характеристика транзистора

IB, mkA	2,827
	uKE	mV	68,35
	iK	mA	-29,86

Соберите схему измерений, представленную на рисунке 4.3. Схема транзисторного цоколя приведена на рисунке 4.4. Сопротивления резисторов R1= (5-10 ) ком и R2=(510-1000) ом.

4.4-рис

Вид сверху

Контактные ножки

4.5- рис
2.2. Измерьте входные и управляющие характеристики транзистора при неизменном значении напряжения = 5 В. Результаты измерений и расчеты внести в таблицу 4.1.
2.3. Измерьте семейство выходных характеристик:
Измерьте семейство выходных характеристик для каждых значений 50 МКА, начиная со значения базового тока iB=0 МКА. Ток коллектора не должен превышать указанных в это время предельных значений; интервал изменения значения напряжения должен быть выбран таким образом, чтобы в режимах активного ( > ) и насыщенного ( < ) можно было получить 3-5 точек.
3. Обработка результатов измерений:
3.1. См.график семейства входных, контрольных и выходных характеристик.
определить параметры транзистора в точке uKE =5 В, iB =100 мкА
, ,
3.2. Смотрите характеристики выхода, когда базовый ток составляет 100 мкА. Выполнение линейно-блочной аппроксимации , , , посчитай.
4. Содержание отчета:
1) измерительные схемы;
2) таблицы и графики производных зависимостей;
3) анализ результатов измерений и учета.
5. Контрольные вопросы.
1. Расскажите о принципе работы схемы подключения БТ уе, эмиттерных и коллекторных р-н переходов, о значении площади базы.
2. Назовите организаторов тока эмиттера и укажите их направления для разных БТ р-н-п и р-н-п.
3. Назовите организаторов базового тока и укажите их направления для различных БТ П-Н-П и п-н-п.
3. Что такое токи ICB0 и IKE0 ? При действии каких носителей заряда они образуются ?
4. УЭ в семействе выходных характеристик БТ, подключенных к схеме, укажите области Active, berk и насыщения.
Схема:

Входные и управляющие характеристики

EB	V	15
UBE	mV	866
IB	mA	2,827
IK	mA	-29,86

Выходная характеристика транзистора

IB, mkA	2,827
	uKE	mV	68,35
	iK	mA	-29,86

Вывод:
В данной лабораторной работе я собрал схему БТ с общим эмиттером с двумя источниками ЭДС E₁ и E₂ и с двумя резисторами R_Б и R_К. После установил вольтметры V_БЭ и V_ЭК.

Затем дал значения источникам ЭДС E₁ = E₂ = 15В.
А резисторам дал R_Б = 5 кОМ, R_К = 500 Ом.
В конце работы записал входные/выходные и управляющие характеристики в таблицу.