Тема: Ознакомится с технологией и классификацией подготовки имс

2. Задания на выполнение лабораторного занятия.
2.1. Изучить систему обозначений ИС и дать краткую характеристику каждой ИС в заданном комплексе ИС: функциональная функция, тип технологии, область применения, основные параметры и т.д.з.
2.2. Нарисуйте и объясните структуру наблюдаемого Имс кристалла с помощью микроскопа.
3. Задание на выполнение лабораторной работы:
3.1. Ознакомьтесь с демонстрационным макетом и наглядными пособиями.
3.2. Определите наименование, классификацию видов ИС в заданном комплексе и каждой категории ИС.
3.3. С помощью справочника дайте характеристику изучаемой ИМС: выполняемую функцию, область применения, основные электрические параметры.
3.4. Используя основные этапы подготовки ИС, дать общее описание последовательности технологических этапов подготовки ИС и дать их краткую характеристику.
3.5. Установите образец проводящей пластины в поле зрения микроскопа, чтобы получить четкое изображение и нарисовать видимое изображение.
2.6. К какому технологическому этапу относится наблюдаемое изображение.
Содержание отчета:
- основные обозначения ИМС в заданном комплексе;
- краткая характеристика для каждой ИМС в заданном комплексе;
- описание технологических этапов изготовления полупроводниковых и гибридных ИС;
-изображение кристаллической структуры ИМС, наблюдаемое под микроскопом, и описание сущности технологического этапа, соответствующего этому изображению.
Контрольные вопросы
1. Что такое интегральная микросхема (ИС)?
2. Каковы основные характеристики ИМС?
3. Что называется элементом и компонентом ИМС?
4. Объясните разницу между вуалевыми, гибридными и полупроводниковыми IMS.
5. Почему транзисторная структура служит основой для изготовления различных элементов ИС?
6. Как изолировать элементы ИС друг от друга?
8. Как определяется уровень сложности цифровых и аналоговых ИМС?
9. Какие сигналы преобразуются в аналоговых и цифровых ИМС?
Ответы на вопросы:

1. 
   Интегральная микросхема – это совокупность электрических элементов, которые находятся на одной единой полупроводниковой основе или же подложке. И выполняет определённые задачи на основе электрических сигналов.
   
2. 
   Основные характеристики ИМС: выполняемая функция, область применения, основные электрические параметры (статическая помехоустойчивость; потребляемая мощность, средняя задержка сигнала, коэффициент объединения по входу, коэффициент объединения по выходу).
   
3. 
   Элемент или компонент ИМС – это элементарные электрические элементы (резистор, диод, транзистор), а также полупроводниковые материалы.
   
4. 
   Вуалевая ИМС имеет защитный поверхностный слой из SiO₂, который также используют как маску для проделывания для вставок.
   

Гибридная ИМС изготавливается на диэлектрической подложке и она состоит из плёночных элементов.
Полупроводниковая ИМС изготавливается на полупроводниковой подложке чаще всего из кремния.

5. 
   Технология полупроводниковых ИС основана на легировании (внесении) полупроводникового кристалла поочередно донорными и акцепторными примесями, в результате чего под поверхностью образуются тонкие слои с разным типом проводимости, то есть транзисторная структура n–p–n или p–n–p типа.
   
6. 
   Изоляция элементов в ИМС осуществляется при помощи диэлектрика или изоляции обратно-смещённым p-n переходом или комбинированным методом.
   
7. 
   Уровень сложности цифровых и аналоговых ИМС определяется по количеству элементов, которые содержит данная ИМС.
   
8. 
   В аналоговых ИМС обрабатываются аналоговые сигналы, то есть сигналы непрерывные по времени.