технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями

VАФН, В	70	11	22	70	120	200	220	300
380
R, Om	6·10^11	4·10^12	7·10^11	3·10^12	4·10^11	2·10^12	5·10^12	2·10^12	5·10^12

Мартинуцци и др. /8б/для осаждения GaAs применяли двухтигельный метод (вакуум в камере составлял 10^-6 мм.рт.ст.), по которому в одном тигеле были материалы Ga, в другом As. Тигель, содержащий Ga, был наклонен к подложке. Авторы получили фотонапряжение 4В при освещенности 0,25 Вт/см².
Высоковольтное фотонапряжение в слоях из соединений типа A^III B^V исследовано в работе /87/. Пленки InAs, GaAs, InP, GaP конденсировались на ситалле в вакууме при возгонке закисей индия и галлия в парах фосфора или мышьяка, АФН-эффект наблюдался только в пленках GaAs и (в пленке GaAs до 350В, а в InPдо 20В). На пленках GaP и InAs высоковольтное напряжение не возникало.
В результате /63/тоже изучались методы приготовления АФН-пленок GaAs. Продолжая изучение АФН-эффекта из соединений A^III B^V, авторы /88/обнаружили высоковольтное фотонапряжение в пленках GaP, хотя в работе /87/не удалось обнаружить АФН-эффект в слоях GaP.
В литературе имеются сообщения о возникновении аномально высокого фотонапряжения в InS /8999/, CdS /66-68/и орторомбической сере /102/.
Таким образом, по литературным данным видно, что в настоящее время имеется определенная информация о процессах изготовления АФН-пленок. Для дальнейшего выяснения этих вопросов требуется провести исследования на большом количестве материалов, что позволит определить специфические особенности каждого метода и вещества, общие закономерности АФН-эффекта, поскольку среди исследователей нет единого мнения о методике изготовления АФН-пленок.
Отрицательные результаты, полученные многими исследователями, объясняются тем, что возникновение высоковольтного фотонапряжения зависит от технологического режима, чистоты испаряемого материала, угла напыления, давления остаточных газов в камере во время испарения, температуры испарения и подложки, толщины пленок, расстояния подложки от испарителя, условий термической обработки пленок после напыления и т.п. Каждому материалу соответствует свой оптимальный режим, а наибольшее отклонение от него приводит к автоматическому исчезновению АФНэффекта в изготовляемых пленках.