технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями

Т, под°С	50	63	75	100	120	150	210	250	300
350
VАФН, В	0	0	0	32	23	85	90	140	148	100

Пленки CdSе. АФН-эффект. в пленках селенида кадмия получен в /83/. Исходный материал CdSe путем термического испарения был осажден на подложку под углом 60°, где фотонапряжение при комнатной температуре составляло 100 В/см.
По новому методу /84/для получения АФН-пленок CdSe исходный селенид кадмия загружают в испаритель в виде порошка и при осаждении испаряется 10-15 % от его веса. Авторы /84 /подложку (стекло, слюда) погружали в азотную кислоту в течение 15 минут при 40°С, затем промывали дистиллированной водой и спиртом, испарение происходило при вакууме 10^-4 мм.рт.ст. и температуре ~760°С.
Пленки GaAs. Методы изготовления АФН-пленок арсенида галлия описаны в /63/. Монокристаллический GaAs n-типа возгонялся из тигеля при 700-800°С. Вакуум в процессе напыления поддерживался около 5·10^-5 мм.рт.ст., максимальное фотонапряжение давали пленки, напиленные под углом 45°. Температура подложки варьировалась от комнатной до 150°С. Отмечено, что температура возгонки галлия должна быть строго ограниченной, так как при температурах около 350°С происходит диссоциация. Приведем таблицу типичных значений V_АФН пленок GaAs, напиленных при различных температурах подложки (В= 5·10^-4 лк)
Таблица 1.5

Номер пленки	1	2	4	12	17	22	23	30	41